半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。
上传时间： 2014-01-20
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基于PSCAD/EMTDC软件建立了电压型PWM整流器仿真模型，PWM整流器中直流侧电容的设计取值对双闭环控制结构中的电压环性能有重要影响。采用基于软件仿真验证的方法，在综合考虑直流侧电压跟随性能和纹波要求的情况下，给出了确定电容取值在较小范围的方法。该方法可在线调整电容数值，对实现PWM整流器直流侧电压的即时控制有一定实用价值。
上传时间： 2013-11-22
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这里仅讨论电容及电感值的选取。种类的选取,则需要更多的工程实践,更多的RF电路的经验,这里不再讨论。从理论上讲,隔直电容、旁路电容的容量应满足。显然,在任何角频率下,这在工程上是作不到的。电容量究竟取多大是合理的呢？图1-5(a),(b)给出了隔直电容(多数情况下,这个电容又称为耦合电容)和旁路电容的使用简化
上传时间： 2013-11-12
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电路如果存在不稳定性因素，就有可能出现振荡。本文对比分析了传统LDO和无片电容LDO的零极点，运用电流缓冲器频率补偿设计了一款无片外电容LDO，电流缓冲器频率补偿不仅可减小片上补偿电容而且可以增加带宽。对理论分析结果在Cadence平台基上于CSMC0.5um工艺对电路进行了仿真验证。本文无片外电容LDO的片上补偿电容仅为3 pF，减小了制造成本。它的电源电压为3.5~6 V，输出电压为3.5 V。当在输入电源电压6 V时输出电流从100 μA到100 mA变化时，最小相位裕度为830，最小带宽为4.58 MHz
上传时间： 2014-12-24
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LTC3625 是一款高效率超级电容充电器，非常适合于RAID 应用中的小型后备电源系统。
上传时间： 2013-10-13
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电容降压电源原理及相关计算
上传时间： 2013-11-13
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电容的标识和容量
上传时间： 2013-10-29
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电容式电磁炮电源电路的设计与仿真
上传时间： 2013-10-08
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在阴雨天情况下也能对超级电容充电的光伏控制器的设计和实际试验测试结果分析。
上传时间： 2013-11-20
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贴片电容材质NP0、X7R、Y5V、Z5U图解及分析(1)
上传时间： 2013-11-20
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