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瓷介电容器

  • 超级电容器储能系统统一模型的研究

    从超级电容器储能系统的运行机理出发,设计了含双向DC-AC-DC 变换器的超级电容器储能系统主电路结构,并建立了其统一模型。仿真结果证明了所建统一模型的正确性和有效性, 并表明超级电容器储能系统提高了分布式发电系统的运行稳定性。

    标签: 超级电容器 储能系统 模型

    上传时间: 2013-12-23

    上传用户:lllliii

  • 介电体超晶格的研究

    介电体超晶格是一种新型的有序微结构材料。它具有通常均质材料所不具有的独特的优异性能,展现出重要的应用前景。本文介绍南京大学研究组关于介电体超晶格研究所取得的进展,如将多个独立的光参量过程集成于一块介电体超晶格之中获得了多波长激光的同时输出,研制成超晶格全固态三基色原型激光器,在介电体超晶格中将拉曼散射强度增强到10的4次方-10的5次方倍,用超晶格研制的器件填补了体波超声器件从几百MHz到几千MHz的空白频段,发现了微波与超晶格振动的强烈耦合以及研究了由此而产生的极化激元(polariton)的激发与传播等。

    标签: 介电体 晶格

    上传时间: 2013-11-01

    上传用户:清山绿水

  • IPC介电常数测试方法

    IPC介电常数测试方法

    标签: IPC 介电常数 测试方法

    上传时间: 2013-11-15

    上传用户:gaoliangncepu

  • 高频PCB基材介电常数与介电损耗的特性与改性进展

    文章针对基板材料的介电常数与介电损耗的关系加以论述,并对它们与外部环境的关系做出相应的阐述,使得在PCB的制造中对各种基板材料进行合理正确的评估和使用。

    标签: PCB 高频 基材 介电常数

    上传时间: 2013-11-13

    上传用户:royzhangsz

  • IC封裝製程簡介(IC封装制程简介)

    半導體的產品很多,應用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內部的晶片,圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當引發過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見的LED,也就是發光二極體,其內部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負極的腳上,經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時,晶片會發光而使LED發亮,如圖六所示。     半導體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產品,稱為IC封裝製程,又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節中將簡介這兩段的製造程序。

    标签: 封裝 IC封装 制程

    上传时间: 2013-11-04

    上传用户:372825274

  • 电容器的寄生作用与杂散电容.pdf

    电容器的寄生作用与杂散电容.pdf

    标签: 电容器 寄生 电容

    上传时间: 2013-11-08

    上传用户:18862121743

  • ELT-2131绝缘油介电强度测定仪

    ELT-2131绝缘油介电强度测定仪简述

    标签: 2131 ELT 绝缘油介 度测定仪

    上传时间: 2013-10-12

    上传用户:lifangyuan12

  • 常规风华中高压产品承认书

    电容器及介质种类: ※高频类: 此类介质材料的电容器为Ⅰ类电容器,包括通用型高频COG、COH电容器和温度补偿型高频HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器。其中COG、COH电容器电性能最稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化,适用于低损耗,稳定性要求高的高频电路,HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器容量随温度变化而相应变化,适用于低损耗、温度补偿型电路中。 ※ X7R、X5R:此类介质材料的电容器为Ⅱ类电容器,具有较高的介电常数,容量比Ⅰ类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。 ※Y5V:此类介质材料的电容器为Ⅱ类电容器,是所有电容器中介电常数最大的电容器,但其容量稳定性较差,对温度、电压等条件较敏感,适用于要求大容量,温度变化不大的电路中。 ※Z5U:此类介质材料的电容器为Ⅱ类电容器,其温度特性介于X7R和Y5V之间,容量稳定性较差,对温度、电压等条件较敏感,适用于要求大容量,使用温度范围接近于室温的旁路,耦合等,低直流偏压的电路中。

    标签: 风华 产品承认书

    上传时间: 2013-11-05

    上传用户:后时代明明

  • 超级电容器最大优点

    超级电容器最大优点

    标签: 超级电容器

    上传时间: 2013-11-21

    上传用户:梧桐

  • 超级电容器发展现状及发展前景分析

    超级电容器发展现状及发展前景分析

    标签: 超级电容器 发展现状 发展

    上传时间: 2015-01-03

    上传用户:lijinchuan