高Q值COG多层片状陶瓷电容器应用:
高Q值COG多层片状陶瓷电容器应用:适合于射频RF电路及要求Hi-Q、低ESR、高频率响应的微波电路中。CQ、CF电容器说明:下述Q值标准是相...
高Q值COG多层片状陶瓷电容器应用:适合于射频RF电路及要求Hi-Q、低ESR、高频率响应的微波电路中。CQ、CF电容器说明:下述Q值标准是相...
8583时钟芯片的初始化程序。包括8583时钟芯片状态寄存器的初始化,中断的初始化(本例程采用1分钟一次的时钟中断),周期寄存器的初始化。...
netcf2.0开发,ImageButton.可以设定多种图片状态,显示方式等等。是PDA软件开发必备的控件...
薄膜电阻器提供不渗透硫的解决方案. 只有内部端接不包含银或铜质材料的片状电阻器,或者那些内部端接由硫无法渗透的中间层加以保护的片状电阻器,才能够完全不受硫污染的影响。市场上存在具有竞争力的基于厚膜的解决方案,它们有一定防硫效果,但仍不能完全避免硫污染——时间一长,它们最终也会失效,变成开路。...
近年来,随着电子产品向小型薄型化和多功能化方向的发展,有利于实现小型化的片状多层陶瓷电容器成为了市场关注的焦点。...