SiCOI MESFET的特性分析
使用ISE-TCAD二维器件仿真软件,对SiCOI MESFET的电学特性进行模拟分析。结果表明,通过调整器件结构参数,例如门极栅长、有源层掺杂浓度、有源区厚度等,对器件转移特性、输出特性有较大影响。 ...
使用ISE-TCAD二维器件仿真软件,对SiCOI MESFET的电学特性进行模拟分析。结果表明,通过调整器件结构参数,例如门极栅长、有源层掺杂浓度、有源区厚度等,对器件转移特性、输出特性有较大影响。 ...
本文的目的在于,介绍如何计算具有狭窄气隙的圆形转子电机中的绕组感应。我们仅处理理想化的气隙磁场,不考虑槽、外部周边或倾斜电抗。但我们将考察绕组磁动势(MMF)的空间谐频。 在图1中,给出了12槽定子的轴截面示意图。实际上,所显示的是薄钢片的形状,或用于构成磁路的层片。铁芯由薄片构成,以控制涡流电流损...
Construction Strategy of ESD Protection CircuitAbstract: The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic conceptions of ESD ...
文中介绍了一款超高频窄带低噪声放大器电路,该电路结构小巧(20 mm ×13 mm ,厚度为0.6 mm),功能可靠、稳定。放大器芯片采用3SK318YB,该芯片具有高增益、低噪声等特点。电路主要用于超高频段微波通信,电路拓扑结构采用反馈型、稳定衰减器法和低端增益衰减法进行设计。生产成品...
PCB线宽和电流关系公式 先计算Track的截面积,大部分PCB的铜箔厚度为35um(即 1oz)它乘上线宽就是截面积,注意换算成平方毫米。 有一个电流密度经验值,为15~25安培/平方毫米。把它称上截面积就得到通流容量。 I=KT(0.44)A(0.75), 括号里面是指数...