本文只是论述由单只IGBT管子或双管做成的逆变模块,及其有关测量和判断好坏的方法。IPM模块不在本文讨论内容之内。场效应管子有开关速度快、电压控制的优点,但也有导通压降大,电压与电流容量小的缺点。而双极型器件恰恰有与其相反的特点,如电流控制、导通压降小,功率容量大等,二者复合,正所谓优势互补。IGBT管子,或者1GBT模块的由来,即基于此。从结构上看,类似于我们都早已熟悉的复合放大管,输出管为一只PNP型三极管,而激励管是一只场效应管,后者的漏极电流形成了前者的基极电流。放大能力是两管之积。IGBT管子的等效电路及符号如下图:
上传时间: 2022-06-21
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本书着眼于现代永磁同步电机控制原理分析及 MATLAB 仿真应用,系统地介绍了永磁同步电机控 制 系统的基本理论、基本方法和应用技术 。全 书分为 3 部分共 10 章,主要内容包括 三 相永磁同步电 机 的数学建模及矢量控制技术、 三 相电压源逆变器 PWM 技术、 三 相永磁同步电机的直接转矩控制、 三 相永磁同步电机的无传感器控制技术、六相永磁同步电机的数学建模及矢量控制技术、六相电压源逆变器 PWM 技术和五相永磁同步电机的数学建模及矢量控制技术等。每种控制技术都通过了 MATLAB 仿真建模并进行了仿真分析 。 本书各部分既有联系又相互独立,读者可 根据自己的需要选择学习 。本书可作为从事电气传动自动化、永磁同步电机控制、电力电子技术的工程技术人员的参考书,也可作为大专院校相关专业的教师、研究生和高年级本科生的参考书 。
上传时间: 2022-06-21
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怎样判断IGBT MOS管的好坏?怎么检测它的引脚?IGBT1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ 挡,用万用表测量时, 若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大, 则判断此极为栅极(G )。其余两极再用万用表测量, 若测得阻值为无穷大, 调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,则判断红表笔接的为集电极( C);黑表笔接的为发射极(E)。2、判断好坏将万用表拨在R×10KΩ 挡,用黑表笔接IGBT 的集电极(C),红表笔接IGBT 的发射极( E),此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极( G)和集电极(C),这时IGBT 被触发导通,万用表的指针摆向阻值较小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极( G)和发射极( E),这时IGBT 被阻断,万用表的指针回零。此时即可判断IGBT 是好的。3、注意事项任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时,一定要将万用表拨在R×10KΩ 挡,因R×1KΩ 挡以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使IGBT 导通,而无法判断IGBT 的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管( P-MOSFET )的好坏。现在经常要检测MOS 管了,转几篇MOS 管的检测方法,以备随时观摩!用万用表检测MOS 开关管好坏的方法一、MOS 开关管针脚判断:在电脑上, MOS 管都是N 沟道增强型的MOSFET 开关管, 大部分都采用TO-220F 封装,其针脚判断方法是:将针脚向下,印有型号的面向自己,左边的是栅极,中间是漏极,右边是源极。
上传时间: 2022-06-22
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一、NTFS系统结构NTFS是Windows NT引入的新型文件系统,如果您是一位熟悉FAT磁盐格式的专业人士,您可能会觉得NTFS系统的思想整脚而晦涩,如果您对FAT格式一无所知,那么恭喜您,您会更快的了解这种更有效率的磁盘格式。NTFS的结构复杂,内容繁多,笔者仅对NTFS卷上的底层结构做分析,并提供卷上数据删除的特征状态供大家参考.现在,我们首先来建立了解NTFS需要的基本概念。1.0基本结构及基本概念在NTFS中,文件以簇的形式分配。最小的单位为扇区,N个扇区为一簇。其中,N的值可以通过BPB(引导扇区)读出(以下会详细介绍)1.0.1卷与簇卷大小(分区大小)每簇的扇区缺省的簇大小小000513MB 1024MB(1GB)2 1024字节(1KB)1025MB 2048MB(2GB)4 2048字节(2KB)大于等于2049MB 8 4KB
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上传时间: 2022-06-22
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1引言随着高r能永磁材料、电力电了技术、大规模集成电路和计算机技术的发展,永同步电机PMSMD)的应用领城不扩大。由于对电机控制性能的要求越来越高,因此如何建立有效的仿真模型越来受到人们的关注。本文在分析永司步电机数学模型的基础上,提出了一种PMSM控制系统建模的方法,在此仿真模型基础上,可以十分便捷地实现和验证控制算法。因此,它为分析和设计PMSM控制系统提供了有效的手段,也为实际电机控制系统的设计和调试提供了新的思路。2永磁同步电机的数学模型[]水磁同步电动机三相绕组分别为U.v.w,各相绕组平面的轴线在与转子轴垂直的平面上,三相绕组的电压回路方程如下;式中,U L,为各相绕组两端的电压14A为各相的线电流,中uoyow为相统组的总磁链,R为定子每相绕组的电阳:P为微外算子(d/at).磁链方程为:
上传时间: 2022-06-22
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LTspice1.变压器仿真的简单步骤:A.为每个变压器绕组绘制一个电感器B.采用一个互感(K)描述语句通过一条SPICE指令对其实施耦合:K1L1L21K语句的最后一项是耦合系数,其变化范围介于0和1之间,1代表没有漏电感。对于实际电路,建议您采用耦合系数=l作为起点。每个变压器只需要一个K语句;LTspice为一个变压器内部的所有电感器应用了单一耦合系数。下面所列是上述语句的等效语句:K1L1L21K2L2L31K3LlL31C.采用“移动”(F7)、“旋转”(Ctrl+R)和“镜像”(Ctrl+E)命令来调节电感器位置以与变压器的极性相匹配。添加K语句可显示所含电感器的调相点。D.LTspice采用个别组件值(在本场合中为个别电感器的电感)而非变压器的匝数比进行变压器的仿真。电感比与匝数比的对应关系如下:
标签: ltspice
上传时间: 2022-06-24
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本文档描述了基于飞思卡尔电机控制专用的数字信号控制器MC56F8274S的三相交流感应电机矢量控制方案。三相交流感应电机因为其结构简单、工艺成熟、造价低廉、无电刷、维护简单、鲁棒性强等优点,被广泛应用于工业控制中。如水泵、风机、压缩机、制冷系统中。为了实现三相交流感应电机的调速,需要对电机提供电压幅值和频率可变的交流电,一般使用由数控开关逆变器构成的三相变频器。电机的控制算法大体分为两类,一类是标量控制,如被广泛应用的VF恒压频比控制。另一类被称为矢量控制或磁场定向控制(FOC),相对于标量控制,矢量控制全面提升了电机驱动性能,比如矢量控制实现了转矩和磁链的解耦控制、全转矩控制、效率更高且提高了系统的动态性能。基于飞思卡尔电机控制专用的数字信号控制器MC56F82748的三相交流感应电机矢量控制是一个面对客户和工业应用的设计方案。低成本和高可靠性是两个关键的考量指标。为了减小系统成本,我们采用了单电阻电流采样方案。为了减少系统对参数的依赖,我们使用了闭环的磁链估算方案,提升了系统稳定性和鲁棒性。本文档介绍了基本的电机控制理论,系统的设计理念,硬件设计、软件设计,包括FreeMASTER可视化软件工具。
上传时间: 2022-06-24
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电子元器件是组成电子电路的最小单位,也是修理中需要检测和更换的对象。本书对常用电子元器件的外形、性能、识别及检测技术进行了系统的分析,内容新颖、资料翔实、通俗易懂,具有较强的针对性和实用性。按照结构清晰、层次分明的原则,本书可分为以下几部分:第一部分为基本元器件篇。主要包括本书的第一章~第七章。重点介绍了电阻、电容、电感、变压器、二极管、三极管、场效应管、晶闸管的基本组成,识别方法和检测技巧。这些元器件是电路的基本组成元件,也是必须理解和掌握的内容。第二部分为特殊元器件篇。主要包括本书的第八章~第十二章。重点介绍了电声器件、石英晶体、陶瓷器件、开关、插接件、继电器、传感器和显示器件的识别及检测,这些元器件虽不如基本元器件应用广泛,但在电路中具有特殊的作用,是分析和理解电路的基础。第三部分为集成电路篇。主要包括本书的第十三章、第十四章。重点介绍了常用集成电路的分类、识别、检测和拆焊,并对应用十分广泛的集成稳压器进行了详细的分析。第四部分为贴片元器件篇。主要包括本书的第十五章。贴片状元器件(SMD/SMC)是无引线或短引线的新型微小型元器件,它适合于在没有通孔的印制板上安装,是表面组装技术(SMT)的专用元器件。目前,片状元器件已在计算机、移动通信设备、医疗电子产品等高科技产品和摄像机、彩电高频头、VCD机等家用电器中得到广泛应用。本篇重点分析了常用片状元件的性能及识别技巧,可供维修和使用片状元件时参考。本书具有较强的针对性和实用性,内容新颖、资料翔实、通俗易懂,同时,考虑到读者使用方便,对书中所给出的元器件均进行了认真的分类和总结。由于时间仓促,书中错漏之处在所难免,敬请广大读者批评指正。
标签: 电子元器件
上传时间: 2022-06-24
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C语言已成为当前举世公认的高效简洁而又贴近硬件的编程语言之一。将C语言向单片机上的移植,始于20世纪80年代的中后期。经过十几年的努力,C语言终于成为专业化单片机上的实用高级语言。用C语言编写的8051单片机的软件,可以大大缩短开发周期,且明显地增加软件的可读性,便于改进和扩充,从而研制出规模更大、性能更完善的系统。因此,不管是对于新进入这一领域的开发者来说,还是对于有多年单片机开发经验的人来说,学习单片机的C语言编程技术都是十分必要的。本书简要介绍了8051单片机的主要构成、单片机Cx51开发与仿真环境的使用方法,透彻分析了Cx51的语法结构,并给出了大量实例。书中大多数实例和全部实验都经过了实验板的验证。本书的主要读者对象是面向有一定单片机基础的初学者,因此建议读者在阅读本书之前,先阅读《从零开始学单片机技术》一书,以达到融会贯通的目的。从我们多年来学习、开发的经验来看,单片机C语言编程技术是一门实战性非常强的学科,除了不断地学习之外,更重要的是要不断地实践!本书附有光盘,光盘中包含有书中所有实验的源程序。由于时间仓促,书中错漏之处在所难免,敬请广大读者批评指正。
上传时间: 2022-06-25
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由于多绕组移相整流变压器的二次线圈互相存在一个相位差,实现了输入多重化,由此可以消除变频器各单元产生的谐波对电网的污染,是高压变频器成为“绿色”电力电子产品的重要组成部分。本文以高压变频器中多绕组移相整流变压器为主要研究对象,进入了深入的研究,主要包括以下几方面:1、对移相整流变压器的研究现状和发展趋势作了较为全面的综述,介绍了移相整流变压器在高压变频器中的作用。2、分析了多绕组移相整流变压器的移相原理。研究了多绕组移相整流变压器励磁涌流产生的原因、后果及如何解决。3、分析了ZTSG-530/6移相整流变压器的主要参数计算、结构设计。用Visual C++编程语言开发了多绕组移相整流变压器的电磁设计软件。4、对多绕组移相整流变压器的电磁场进行了详细的分析,运用电磁场有限元分析软件Maxwll3D对ZTSG-530/6移相整流变压器样机的瞬态磁场进行分析。5、根据设计,研制出样机并试验,得出试验数据,并对比分析了电磁设计软件的计算结果、试验结果和有限元分析结果,验证了所设计样机数据的合理性。
标签: 整流变压器
上传时间: 2022-06-25
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