DH45L是基于CMOS工艺设计和生产的霍尔IC，元件内部集成了霍尔效应片、电压调节器、休眠唤醒控制电路、信号放大滤波电路、偏移补偿电路、施密特触发器，开漏极输出。与DH481周期性周期检测磁场不同，DH45L连续检测环境磁场强度，响应速度快，但功耗较大(2mA)。DH45L不区分N极和S极，对N极和S极都感应，因此便于较小磁钢的装配。电压是5-24V.
上传时间： 2013-11-12
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ROHM最近推出了SiCMOSFET的新系列产品“SCT3xxxxR系列”。SCT3xxxxR系列采用最新的沟槽栅极结构，进一步降低了导通电阻；同时通过采用单独设置栅极驱动器用源极引脚的4引脚封装，改善了开关特性，使开关损耗可以降低35%左右。此次，针对SiCMOSFET采用4引脚封装的原因及其效果等议题，我们采访了ROHM株式会社的应用工程师。关于SiCMOSFET的SCT3xxxxR系列，除了导通电阻很低，还通过采用4引脚封装使开关损耗降低了35%，对此我们非常感兴趣。此次，想请您以4引脚封装为重点介绍一下该产品。首先，请您大致讲一下4引脚封装具体是怎样的封装，采用这种封装的背景和目的是什么。首先，采用4引脚封装是为了改善SiCMOSFET的开关损耗。包括SiCMOSFET在内的电源开关用MOSFET和IGBT，被作为开关元件广泛应用于各种电源应用和电源线路中。必须尽可能地降低这种开关元件产生的开关损耗和传导损耗，但不同的应用，其降低损耗的方法也不尽相同。作为其中的一种手法，近年来发布了一种4引脚的新型封装，即在MOSFET的源极、漏极、栅极三个引脚之外，另外设置了驱动器源极引脚。此次的SCT3xxxxR系列，旨在通过采用最新的沟槽栅极结构，实现更低的导通电阻和传导损耗；通过采用4引脚封装，进一步发挥出SiC本身具有的高速开关性能，并降低开关损耗。那么，我想详细了解一下刚刚您的概述中出现的几个要点。首先，什么是“驱动器源极引脚”？驱动器源极引脚是应用了开尔文连接原理的源极引脚。开尔文连接是通过电阻测量中的4个引脚或四线检测方式，在电流路径基础上加上两条测量电压的线路，以极力消除微小电阻测量或大电流条件下测量时不可忽略的线缆电阻和接触电阻的影响的方法，是一种广为人知的方法。这种4引脚封装仅限源极，通过使连接栅极驱动电路返回线的源极电压引脚与流过大电流的电源源极引脚独立，来消除ID对栅极驱动电路的影响。
上传时间： 2021-11-07
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本文只是论述由单只IGBT管子或双管做成的逆变模块，及其有关测量和判断好坏的方法。IPM模块不在本文讨论内容之内。场效应管子有开关速度快、电压控制的优点，但也有导通压降大，电压与电流容量小的缺点。而双极型器件恰恰有与其相反的特点，如电流控制、导通压降小，功率容量大等，二者复合，正所谓优势互补。IGBT管子，或者1GBT模块的由来，即基于此。从结构上看，类似于我们都早已熟悉的复合放大管，输出管为一只PNP型三极管，而激励管是一只场效应管，后者的漏极电流形成了前者的基极电流。放大能力是两管之积。IGBT管子的等效电路及符号如下图：
上传时间： 2022-06-21
上传用户：jiabin
怎样判断IGBT MOS管的好坏？怎么检测它的引脚？IGBT1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ 挡，用万用表测量时， 若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大， 则判断此极为栅极（G ）。其余两极再用万用表测量， 若测得阻值为无穷大， 调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（ C）；黑表笔接的为发射极（E）。2、判断好坏将万用表拨在R×10KΩ 挡，用黑表笔接IGBT 的集电极（C），红表笔接IGBT 的发射极（ E），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（ G）和集电极（C），这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（ G）和发射极（ E），这时IGBT 被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT 是好的。3、注意事项任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ 挡，因R×1KΩ 挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（ P-MOSFET ）的好坏。现在经常要检测MOS 管了，转几篇MOS 管的检测方法，以备随时观摩！用万用表检测MOS 开关管好坏的方法一、MOS 开关管针脚判断：在电脑上， MOS 管都是N 沟道增强型的MOSFET 开关管， 大部分都采用TO－220F 封装，其针脚判断方法是：将针脚向下，印有型号的面向自己，左边的是栅极，中间是漏极，右边是源极。
上传时间： 2022-06-21
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关键字：12v开关电源+12V、0.5A单片开关稳压电源的电路如图所示。其输出功率为6w.当输入交流电压在 110~260V范围内变化时，电压调整率Svs 1%。当负载电流大幅度变化时，负载调整率Si=5%~7%。为简化电路，这里采用了基本反馈方式。接通电源后，220V交流电首先经过桥式整流和C1滤波，得到约+300V的直流高压，再通过高频变压器的初级线圈 N1，给WS157提供所需的工作电压。从次级线圈 N2上输出的脉宽调制功率信号，经 VD7，C4，L和C5进行高频整流滤波，获得 +12V，0.5A的稳压输出。反馈线圈 N3上的电压则通过 VD6，R2、C3整流滤波后，将控制电流加至控制端 C上。由VD5，R1，和C2构成的吸收回路，能有效抑制漏极上的反向峰值电压。该电路的稳压原理分析如下：当由于某种原因致使Uo4时，反馈线圈电压及控制端电流也随之降低，而芯片内部产生的误差电压 Urt时，PWM比较器输出的脉冲占空比 Dt，经过MOSFET和降压式输出电路使得 Uot，最终能维持输出电压不变。反之亦然。如图所示12v开关电源电路图
标签： 开关电源
上传时间： 2022-06-25
上传用户：hai7ying
此评估硬件的目的是演示Cree第三代碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在全桥LLC电路中的系统性能，该电路通常可用于电动汽车的快速DC充电器。 采用4L-TO247封装的新型1000V额定器件专为SiC MOSFET设计，具有开尔文源极连接，可改善开关损耗并减少门电路中的振铃。 它还在漏极和源极引脚之间设有一个凹口，以增加蠕变距离，以适应更高电压的SiC MOSFET。图1. 20kW LLC硬件采用4L-TO247封装的最新Cree 1000V SiC MOSFET。该板旨在让用户轻松：在全桥谐振LLC电路中使用4L-TO247封装的新型1000V，65mΩSiCMOSFET时，评估转换器级效率和功率密度增益。检查Vgs和Vds等波形以及振铃的ID。
上传时间： 2022-07-17
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产品型号：VK3604/VK3604A 产品品牌：VINKA/永嘉微电/永嘉微 封装形式：SOP16/TSSOP16 产品年份：新年份 联 系 人：许先生 深圳市永嘉微电科技有限公司，原厂直销，原装现货更有优势！工程服务，技术支持，让您的生产高枕无忧！QT178 量大价优，保证原装正品。您有量，我有价！ 1.概述 VK3604具有4个触摸按键，可用来检测外部触摸按键上人手的触摸动作。该芯片具有较高的 集成度，仅需极少的外部组件便可实现触摸按键的检测。 提供了4路输出功能，可通过IO脚选择输出电平，输出模式，输出脚结构，单键/多键和最 长输出时间。芯片内部采用特殊的集成电路，具有高电源电压抑制比，可减少按键检测错误的 发生，此特性保证在不利环境条件的应用中芯片仍具有很高的可靠性。 此触摸芯片具有自动校准功能，低待机电流，抗电压波动等特性，为各种触摸按键+IO输 出的应用提供了一种简单而又有效的实现方法。 特点 • 工作电压 2.4-5.5V • 待机电流7uA/3.3V,14uA/5V • 上电复位功能（POR） • 低压复位功能（LVR） • 触摸输出响应时间：工作模式 48mS ，待机模式160mS • 通过AHLB脚选择输出电平：高电平有效或者低电平有效 • 通过TOG脚选择输出模式：直接输出或者锁存输出 • 通过SOD脚选择输出方式：CMOS输出或者开漏输出 • 通过SM脚选择输出：多键有效或者单键有效 • 通过MOT脚有效键最长输出时间：无穷大或者16S • 通过CS脚接对地电容调节整体灵敏度(1-47nF） • 各触摸通道单独接对地小电容微调灵敏度（0-50pF）. • 上电0.25S内为稳定时间，禁止触摸 • 上电后4S内自校准周期为64mS，4S无触摸后自校准周期为1S • 封装 SOP16(150mil)(9.9mm x 3.9mm PP=1.27mm)
标签： 3604A 3604 CMOS 输出 VK 按键 开漏输出 触控芯片 方式 锁存
上传时间： 2021-12-25
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电压极冲片自动叠片硬质合金级进模设计
上传时间： 2013-07-28
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变压器漏感对整流电路的影响
上传时间： 2013-07-11
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摩托罗拉电路板极的电磁兼容设计
上传时间： 2013-04-15
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