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湍流边界层,Clauser plot

  • 基于labview的BP人工神经网络曲线拟合

    BP网络的学习过程是由正向传播和误差反向传播组成,把输入样本从输入层传到隐含层单元,经隐含层单元逐层处理后产生一个输出,至输出层,这个过程为正向传播,如果输出层没有得到所期望的输入值,把期望值和输出值的误差信号按原路径返回,并通过修改各层神经元的连接权值,使误差信号为最小。这个过程为反向传播

    标签: 任春梅基于labview的BP人工神经网络曲线拟合

    上传时间: 2015-05-07

    上传用户:zh_sh_y

  • SD卡协议

    SD卡协议 物理层,有助于理解SD卡协议的物理层

    标签: SD卡协议 物理层

    上传时间: 2015-07-14

    上传用户:xywxywxyw

  • pfsense

    pfSense是一个基于FreeBSD,专为防火墙和路由器功能定制的开源版本。它被安装在计算机上作为网络中的防火墙和路由器存在,并以可靠性著称,且提供往往只存在于昂贵商业防火墙才具有的特性。它可以通过WEB页面进行配置,升级和管理而不需要使用者具备FreeBSD底层知识。pfSense通常被部署作为边界防火墙,路由器,无线接入点,DHCP服务器,DNS服务器和VPN端点。

    标签: 防火墙

    上传时间: 2015-11-24

    上传用户:seobiubiu

  • DLMS Color Book

    DLMS  编辑 本词条缺少名片图,补充相关内容使词条更完整,还能快速升级,赶紧来编辑吧! 配电线报文规范(Distribution Line Message Specification) [IEC 62056-53]是应用层规范,独立于应用层以下的各个低层,因而也就与通信信道无关,设计用于在计算机集成环境中支持与(能量)分配设备间的消息交换,是由IEC TC57建立并以IEC 61334-4-41发布的国际标准。 中文名 配电线报文规范 外文名 Distribution Line Message Specification) 建立者 IEC TC57 应用领域 于抄表、远程控制以及增值服务等 这个概念被进一步发展成为设备语言报文规范,其目的在于为结构化建模和仪表数据交换提供一个互操作环境,支持任何能量类型如电、水、气或热的计量,应用于远程抄表、远程控制以及增值服务

    标签: IEC62056 DLMS COSEM

    上传时间: 2016-04-07

    上传用户:auqaiss

  • PCIE中文协议规范

    介绍PCIE整个协议规范,包括整个PCIE结构组成,交易层,数据链路层和物理层功能和电气层规范。

    标签: PCI Express® Base Specification Revision 3.0

    上传时间: 2016-04-15

    上传用户:whpu

  • 北京折叠全文

    《北京折叠》是科幻作家郝景芳创作的中短篇小说。该小说创造了一个更极端的类似情景,书里的北京不知年月,空间分为三层,不同的人占据了不同的空间,也按照不同的比例,分配着每个 48 小时周期。

    标签: 折叠

    上传时间: 2017-03-11

    上传用户:qqqly92

  • Footprint Maker 0.08 FPM

    是否要先打开ALLEGRO? 不需要(当然你的机器须有CADENCE系统)。生成完封装后在你的输出目录下就会有几千个器件(全部生成的话),默认输出目录为c:\MySym\. Level里面的Minimum, Nominal, Maximum 是什么意思? 对应ipc7351A的ABC封装吗? 是的 能否将MOST, NOMINAL, LEAST三种有差别的封装在命名上也体现出差别? NOMINAL 的名称最后没有后缀,MOST的后缀自动添加“M”,LEAST的后缀自动添加“L”,你看看生成的库名称就知道了。(直插件以及特别的器件,如BGA等是没有MOST和LEAST级别的,对这类器件只有NOMINAL) IC焊盘用长方形好像比用椭圆形的好,能不能生成长方形的? 嗯。。。。基本上应该是非直角的焊盘比矩形的焊盘好,我记不得是AMD还是NS还是AD公司专门有篇文档讨论了这个问题,如果没有记错的话至少有以下好处:信号质量好、更省空间(特别是紧密设计中)、更省锡量。我过去有一篇帖子有一个倒角焊盘的SKILL,用于晶振电路和高速器件(如DDR的滤波电容),原因是对宽度比较大的矩形用椭圆焊盘也不合适,这种情况下用自定义的矩形倒角焊盘就比较好了---你可以从网上另外一个DDR设计的例子中看到。 当然,我已经在程序中添加了一选择项,对一些矩形焊盘可以选择倒角方式. 刚才试了一下,感觉器件的命名的规范性不是太好,另好像不能生成器件的DEVICE文件,我没RUN完。。。 这个程序的命名方法基本参照IPC-7351,每个人都有自己的命名嗜好,仍是不好统一的;我是比较懒的啦,所以就尽量靠近IPC-7351了。 至于DEVICE,的选项已经添加 (这就是批量程序的好处,代码中加一行,重新生产的上千上万个封装就都有新东西了)。 你的库都是"-"的,请问用过ALLEGRO的兄弟,你们的FOOTPRINT认"-"吗?反正我的ALLEGRO只认"_"(下划线) 用“-”应该没有问题的,焊盘的命名我用的是"_"(这个一直没改动过)。 部分丝印画在焊盘上了。 丝印的问题我早已知道,只是尽量避免开(我有个可配置的SilkGap变量),不过工作量比较大,有些已经改过,有些还没有;另外我没有特别费功夫在丝印上的另一个原因是,我通常最后用AUTO-SILK的来合并相关的层,这样既方便快捷也统一各个器件的丝印间距,用AUTO-SILK的话丝印线会自动避开SOLDER-MASK的。 点击allegro后命令行出现E- Can't change to directory: Files\FPM,什么原因? 我想你一定是将FPM安装在一个含空格的目录里面了,比如C:\Program Files\等等之类,在自定义安装目录的时候该目录名不能含有空格,且存放生成的封装的目录名也不能含有空格。你如果用默认安装的话应该是不会有问题的, 默认FPM安装在C:\FPM,默认存放封装的目录为C:\MYSYM 0.04版用spb15.51生成时.allegro会死机.以前版本的Allegro封装生成器用spb15.51生成时没有死机现象 我在生成MELF类封装的时候有过一次死机现象,估计是文件操作错误导致ALLEGRO死机,原因是我没有找到在skill里面直接生成SHAPE焊盘的方法(FLASH和常规焊盘没问题), 查了下资料也没有找到解决方法,所以只得在外部调用SCRIPT来将就一下了。(下次我再查查看),用SCRIPT的话文件访问比较频繁(幸好目前MELF类的器件不多). 解决办法: 1、对MELF类器件单独选择生成,其它的应该可以一次生成。 2、试试最新的版本(当前0.05) 请说明运行在哪类器件的时候ALLEGRO出错,如果不是在MELF附近的话,请告知,谢谢。 用FPM0.04生成的封装好像文件都比较大,比如CAPC、RES等器件,都是300多K,而自己建的或采用PCB Libraries Eval生成的封装一般才几十K到100K左右,不知封装是不是包含了更多的信息? 我的每个封装文件包含了几个文字层(REF,VAL,TOL,DEV,PARTNUMBER等),SILK和ASSEM也是分开的,BOND层和高度信息,还有些定位线(在DISP层),可能这些越来越丰富的信息加大了生成文件的尺寸.你如果想看有什么内容的话,打开所有层就看见了(或REPORT) 非常感谢 LiWenHui 发现的BUG, 已经找到原因,是下面这行: axlDBChangeDesignExtents( '((-1000 -1000) (1000 1000))) 有尺寸空间开得太大,后又没有压缩的原因,现在生成的封装也只有几十K了,0.05版已经修复这个BUG了。 Allegro封装生成器0.04生成do-27封装不正确,生成封装的焊盘的位号为a,c.应该是A,B或者1,2才对. 呵呵,DIODE通常管脚名为AC(A = anode, C = cathode) 也有用AK 或 12的, 极少见AB。 除了DIODE和极个别插件以及BGA外,焊盘名字以数字为主, 下次我给DIODE一个选择项,可以选择AC 或 12 或 AK, 至于TRANSISTER我就不去区分BCE/CBE/ECB/EBC/GDS/GSD/DSG/DGS/SGD/SDG等了,这样会没完没了的,我将对TRANSISTER强制统一以数字编号了,如果用家非要改变,只得在生成库后手工修改。

    标签: Footprint Maker 0.08 FPM skill

    上传时间: 2018-01-10

    上传用户:digitzing

  • MIPI DSI协议 中文入门

       着重分析了MIPI DSI协议,全中文,图文并茂,非常高清,易懂,侧重点是DSI协议,我研究MIPI 屏幕的时候搜集到的花了money,值得收藏,讲述了显示数据如何传输的,协议命令,整个传输框架,从应用层,协议层,硬件层的流程,很有用

    标签: mipi dsi协议

    上传时间: 2021-10-30

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  • 先进的高压大功率器件——原理 特性和应用

    本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用, 定义了理想功率开关的电特性, 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 (GTO) 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构, 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。 碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层, 以防止其提前击穿。 另外, 必须屏蔽基区,以避免扩展击穿。 这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。 第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸(MCT) 结构和基极电阻控制晶闸管 (BRT) 结构, 后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。 第10章介绍了发射极开关晶闸(EST), 该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断, 并可利用IGBT加工工艺来制造。 这种器件具有良好的安全工作区。本书最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书, 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。

    标签: 大功率器件

    上传时间: 2021-11-02

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  • EMI 及无 Y 电容手机充电器的设计

    本文介绍了一种无Y电容开关电源,其包括依次连接的电源输入端、EMI滤波模块、初级端整流滤波模块、变压器、次级端整流滤波模块,电源输出端,所述变压器的初级端还连接有开关模块,且该开关模块通过PWM控制模块与EMI滤波模块连接,所述次级端整流滤波模块通过稳压反馈模块与所述PWM控制模块连接;所述变压器包括磁芯,依次绕在该磁芯上的初级绕组、次级绕组以及辅助绕组,初级绕组与次级绕组之间设置有屏蔽层,且该屏蔽层接地,磁芯外部绕制有屏蔽绕组,且屏蔽绕组接地。本实用新型提供的无Y电容开关电源,具有漏电流小、工作安全性能好等优点,而且通过优化改进变压器结构,可很好地解决电磁干扰的问题。

    标签: 手机充电器

    上传时间: 2021-12-13

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