摘要：该文介绍了PIC单片机与ICL7135将检测到的温度进行转换处理后通过串行口传送给上位机，应用于高精度的温度检测仪表中，并详细阐述了设计的思路、工作原理以及遇到的一些问题、解决方法等。关键词：PIC单片机；A／D转换；温度变送器
上传时间： 2013-11-04
上传用户：落花无痕
单片机温度采集器与PC104分站的串行通信:用PC104 模块组建的矿井变电所采集分站,具有强大的以太网和CAN 总线通信功能。在PC104模块底板上,设计了一个基于89C2051 单片机的温度采集器,用于采集温度传感器监测值并通过串口将该监测值传送到PC104 分站。该设计简化了变电所环境温度监测的软、硬件,并且编程简单,充分利用了PC104 的空闲串口资源。关键词:温度采集器; 单片机; 串行通信; PC104
上传时间： 2013-11-24
上传用户：wangchong
单片机原理及应用实验报告:实验1 WAVE软件的学习应用*.1实验2下载软件的学习应用*.2实验3运算指令的应用编程.3实验4 P0口输入、输出实验.4实验5数码管显示5实验6按键的识别*6实验7计算器设计实验*7实验8中断实验8实验9定时器/计数器实验9实验10串行口通讯实验.10实验11直流电机调速实验*.12实验12 IC卡读写实验*13实验13 TLC2543的应用实验*14实验14温度测量及控制实验*.15附录A 伟福仿真器系统概述16附录B STC-ISP-V3.1 界面23附录C 实验板.24
上传时间： 2013-11-13
上传用户：王小奇
串行编程器源程序(Keil C语言)//FID=01:AT89C2051系列编程器//实现编程的读，写，擦等细节//AT89C2051的特殊处:给XTAL一个脉冲，地址计数加1;P1的引脚排列与AT89C51相反，需要用函数转换#include <e51pro.h> #define C2051_P3_7 P1_0#define C2051_P1 P0//注意引脚排列相反#define C2051_P3_0 P1_1#define C2051_P3_1 P1_2#define C2051_XTAL P1_4#define C2051_P3_2 P1_5#define C2051_P3_3 P1_6#define C2051_P3_4 P1_7#define C2051_P3_5 P3_5 void InitPro01()//编程前的准备工作{ SetVpp0V(); P0=0xff; P1=0xff; C2051_P3_5=1; C2051_XTAL=0; Delay_ms(20); nAddress=0x0000; SetVpp5V();} void ProOver01()//编程结束后的工作，设置合适的引脚电平{ SetVpp5V(); P0=0xff; P1=0xff; C2051_P3_5=1; C2051_XTAL=1;} BYTE GetData()//从P0口获得数据{ B_0=P0_7; B_1=P0_6; B_2=P0_5; B_3=P0_4; B_4=P0_3; B_5=P0_2; B_6=P0_1; B_7=P0_0; return B;} void SetData(BYTE DataByte)//转换并设置P0口的数据{ B=DataByte; P0_0=B_7; P0_1=B_6; P0_2=B_5; P0_3=B_4; P0_4=B_3; P0_5=B_2; P0_6=B_1; P0_7=B_0;} void ReadSign01()//读特征字{ InitPro01(); Delay_ms(1);//----------------------------------------------------------------------------- //根据器件的DataSheet，设置相应的编程控制信号 C2051_P3_3=0; C2051_P3_4=0; C2051_P3_5=0; C2051_P3_7=0; Delay_ms(20); ComBuf[2]=GetData(); C2051_XTAL=1; C2051_XTAL=0; Delay_us(20); ComBuf[3]=GetData(); ComBuf[4]=0xff;//----------------------------------------------------------------------------- ProOver01();} void Erase01()//擦除器件{ InitPro01();//----------------------------------------------------------------------------- //根据器件的DataSheet，设置相应的编程控制信号 C2051_P3_3=1; C2051_P3_4=0; C2051_P3_5=0; C2051_P3_7=0; Delay_ms(1); SetVpp12V(); Delay_ms(1); C2051_P3_2=0; Delay_ms(10); C2051_P3_2=1; Delay_ms(1);//----------------------------------------------------------------------------- ProOver01();} BOOL Write01(BYTE Data)//写器件{//----------------------------------------------------------------------------- //根据器件的DataSheet，设置相应的编程控制信号 //写一个单元 C2051_P3_3=0; C2051_P3_4=1; C2051_P3_5=1; C2051_P3_7=1; SetData(Data); SetVpp12V(); Delay_us(20); C2051_P3_2=0; Delay_us(20); C2051_P3_2=1; Delay_us(20); SetVpp5V(); Delay_us(20); C2051_P3_4=0; Delay_ms(2); nTimeOut=0; P0=0xff; nTimeOut=0; while(!GetData()==Data)//效验:循环读，直到读出与写入的数相同 { nTimeOut++; if(nTimeOut>1000)//超时了 { return 0; } } C2051_XTAL=1; C2051_XTAL=0;//一个脉冲指向下一个单元//----------------------------------------------------------------------------- return 1;} BYTE Read01()//读器件{ BYTE Data;//----------------------------------------------------------------------------- //根据器件的DataSheet，设置相应的编程控制信号 //读一个单元 C2051_P3_3=0; C2051_P3_4=0; C2051_P3_5=1; C2051_P3_7=1; Data=GetData(); C2051_XTAL=1; C2051_XTAL=0;//一个脉冲指向下一个单元//----------------------------------------------------------------------------- return Data;} void Lock01()//写锁定位{ InitPro01();//先设置成编程状态//----------------------------------------------------------------------------- //根据器件的DataSheet，设置相应的编程控制信号 if(ComBuf[2]>=1)//ComBuf[2]为锁定位 { C2051_P3_3=1; C2051_P3_4=1; C2051_P3_5=1; C2051_P3_7=1; Delay_us(20); SetVpp12V(); Delay_us(20); C2051_P3_2=0; Delay_us(20); C2051_P3_2=1; Delay_us(20); SetVpp5V(); } if(ComBuf[2]>=2) { C2051_P3_3=1; C2051_P3_4=1; C2051_P3_5=0; C2051_P3_7=0; Delay_us(20); SetVpp12V(); Delay_us(20); C2051_P3_2=0; Delay_us(20); C2051_P3_2=1; Delay_us(20); SetVpp5V(); }//----------------------------------------------------------------------------- ProOver01();} void PreparePro01()//设置pw中的函数指针，让主程序可以调用上面的函数{ pw.fpInitPro=InitPro01; pw.fpReadSign=ReadSign01; pw.fpErase=Erase01; pw.fpWrite=Write01; pw.fpRead=Read01; pw.fpLock=Lock01; pw.fpProOver=ProOver01;}
上传时间： 2013-11-12
上传用户：gut1234567
AD590M温度传感放大电路设计
上传时间： 2013-10-16
上传用户：avensy
基于18B20的双路温度采集器设计
上传时间： 2013-11-19
上传用户：zhichenglu
系列一体化温度变送器，温度传感器，温度计，精度1%
上传时间： 2014-12-01
上传用户：凌云御清风
具有OBFL功能的电路板经配置后，可以把故障相关数据存储在非易失性存储器中，并可在日后加以检索和显示以用于故障分析。这些故障记录有助于电路板故障的事后检查。要实现OBFL系统功能，需要同时使用软硬件。在硬件方面，需要：a)确定给出电路板件故障信息的板载OBFL资源(如温度感应器、存储器、中断资源、电路板ID，等等)；b)在电路板或者系统出现故障时用以保存故障信息的板载非易失性存储。OBFL软件的作用是在正常的电路板运行以及电路板故障期间配置电路板变量并将其作为OBFL记录存储在非易失性存储中。OBFL软件还应具备一定的智能，能够分析多项出错事件、记录和历史故障记录，以逐步缩小范围的方式确认故障原因。这种分析可以大大减轻故障排查工作，否则将有大量的OBFL记录需要故障分析工程师手动核查。
上传时间： 2013-10-30
上传用户：dapangxie
磁芯电感器的谐波失真分析 摘 要：简述了改进铁氧体软磁材料比损耗系数和磁滞常数ηB，从而降低总谐波失真THD的历史过程，分析了诸多因数对谐波测量的影响，提出了磁心性能的调控方向。 关键词：比损耗系数， 磁滞常数ηB ，直流偏置特性DC-Bias，总谐波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年来，变压器生产厂家和软磁铁氧体生产厂家，在电感器和变压器产品的总谐波失真指标控制上，进行了深入的探讨和广泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的问题。从工艺技术上采取了不少有效措施，促进了质量问题的迅速解决。本文将就此热门话题作一些粗浅探讨。 一、 历史回顾 总谐波失真（Total harmonic distortion） ，简称THD，并不是什么新的概念，早在几十年前的载波通信技术中就已有严格要求<1>。1978年邮电部公布的标准YD/Z17－78“载波用铁氧体罐形磁心”中，规定了高μQ材料制作的无中心柱配对罐形磁心详细的测试电路和方法。如图一电路所示，利用LC组成的150KHz低通滤波器在高电平输入的情况下测量磁心产生的非线性失真。这种相对比较的实用方法，专用于无中心柱配对罐形磁心的谐波衰耗测试。 这种磁心主要用于载波电报、电话设备的遥测振荡器和线路放大器系统，其非线性失真有很严格的要求。 图中 ZD —— QF867 型阻容式载频振荡器，输出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通滤波器，阻抗 150Ω，阻带衰耗大于61dB， Lg88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB Ld88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次谐波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 选频电平表，输入高阻抗， L ——被测无心罐形磁心及线圈， C ——聚苯乙烯薄膜电容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 测量时，所配用线圈应用丝包铜电磁线SQJ9×0.12(JB661-75)在直径为16.1mm的线架上绕制 120 匝， （线架为一格） ， 其空心电感值为 318μH（误差1％） 被测磁心配对安装好后，先调节振荡器频率为 36.6～40KHz， 使输出电平值为+17.4 dB， 即选频表在 22′端子测得的主波电平 （P2）为+17.4 dB，然后在33′端子处测得输出的三次谐波电平（P3）， 则三次谐波衰耗值为：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 为放大器增益dB 从以往的资料引证， 就可以发现谐波失真的测量是一项很精细的工作，其中测量系统的高、低通滤波器，信号源和放大器本身的三次谐波衰耗控制很严，阻抗必须匹配，薄膜电容器的非线性也有相应要求。滤波器的电感全由不带任何磁介质的大空心线圈绕成，以保证本身的“洁净” ，不至于造成对磁心分选的误判。 为了满足多路通信整机的小型化和稳定性要求， 必须生产低损耗高稳定磁心。上世纪 70 年代初，1409 所和四机部、邮电部各厂，从工艺上改变了推板空气窑烧结，出窑后经真空罐冷却的落后方式，改用真空炉，并控制烧结、冷却气氛。技术上采用共沉淀法攻关试制出了μQ乘积 60 万和 100 万的低损耗高稳定材料，在此基础上，还实现了高μ7000～10000材料的突破，从而大大缩短了与国外企业的技术差异。当时正处于通信技术由FDM（频率划分调制）向PCM（脉冲编码调制） 转换时期， 日本人明石雅夫发表了μQ乘积125 万为 0.8×10 ，100KHz）的超优铁氧体材料<3>，其磁滞系数降为优铁
上传时间： 2013-12-15
上传用户：天空说我在
C系列智能型温度变送器，word文档资料。
上传时间： 2013-10-10
上传用户：qiulin1010
