用VHDL描述一个由8个发光二极管组成的走马灯。有系统复位。单点移动模式:一个点在8个发光二极管上来回的亮。幕布式:从中间两个点,同时向两边依次点亮直至全亮,然后再向中间点灭,依次往复。采用拨码开关转换显示模式。
上传时间: 2013-12-21
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用VHDL描述一个由8个发光二极管组成的走马灯。有系统复位。单点移动模式:一个点在8个发光二极管上来回的亮。幕布式:从中间两个点,同时向两边依次点亮直至全亮,然后再向中间点灭,依次往复。采用采用一个按键转换显示模式。
上传时间: 2013-12-20
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EX1_LED: (发光二极管) P0、P2 端口的LED 亮300ms,灭300ms,如此循环。
上传时间: 2014-01-01
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从 IO0(接⼝地址为 8000H)读取开关信息,从 IO1(接⼝地址为 8800H) 输出控制灯亮灭。开关闭合则 D1 灯点亮,开关断开则 D1 灯灭。
标签: 微机原理;编程
上传时间: 2020-06-02
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开发和研制无铁心永磁电机是当前电机领域的一项重要课题,无铁心永磁电机可以解决传统有铁心电机存在的重量重、损耗高、振动噪声大等问题。开发无铁心永磁电机需要准确计算电机的参数和性能,而实现这一任务的重要前提是获得正确的磁场分布。无铁心永磁电机气隙外没有铁磁材料,其自身的结构特点决定了无铁心永磁电机的气隙磁场属于三维开域磁场,开域磁场工程问题的计算是近年来计算电磁学的研究热点之一。 本文的研究内容是国家高技术研究发展(863)计划项目“新型稀土永磁电机设计与集成技术”的关键技术之一。针对无铁心永磁电机的实际工程问题,计算方法的选择力求既能保证一定的计算精度,又能节约计算机内存和CPU时间。根据对各种开域电磁场计算方法的分析比较,本文将渐近边界条件法和有限元法结合解决无铁心永磁电机三维开域磁场计算问题。 本文主要由以下几部分组成: 第一部分为无铁心永磁电机三维开域磁场计算方法的研究。首先提出了基于标量磁位的渐近边界条件,建立了球形边界的标量磁位渐近边界条件数学模型。为了尽可能减少节点的数量,结合无铁心永磁电机的具体结构,推导了适合于盒形截断边界和圆柱形截断边界上简便易行的一阶和二阶标量渐近边界条件算子,该算子具有简单、有限元实施容易的特点。其次研究并建立了标量渐近边界条件与有限元法结合的三维开域静磁场的数学模型,并提出具体的实施方法,推导出相应的离散方程。通过对具有解析解的长方永磁体三维开域磁场的实例计算,验证了方法和所编程序的正确性,并将渐近边界条件法与截断法在计算精度和人工外边界距离方面做了比较。结果表明:在相同人工外边界情况下,渐近边界条件与截断边界条件相比,计算精度明显提高,二阶渐近边界条件明显优于一阶渐近边界条件。与截断法相比,渐近边界条件法更节约计算机内存和CPU时间,比较好地处理了计算量与计算精度之间的矛盾。 第二部分针对Halbach阵列内转子无铁心永磁电机三维开域磁场问题进行深入研究。利用渐近边界条件法,定量地计算了在定转子均无铁心的情况下电机内部及周围磁场的大小,总结出了Halbach阵列无铁心永磁电机磁场的空间分布规律。 第三部分针对不同拓扑结构的Halbach磁体阵列电机磁场问题进行对比研究。通过大量的计算,探讨了Halbach阵列永磁电机在转子无铁心情况下影响气隙磁密的各种因素,分析了不同Halbach磁体轴向长度对端部漏磁的影响规律,给出了无铁心永磁电机漏磁系数、电枢计算长度等主要设计参数随电机结构尺寸的变化规律。 第四部分针对具有试验数据的三种结构的无铁心永磁电机样机进行了计算和分析,计算结果与试验数据吻合,从而验证了渐近边界条件法处理三维开域磁场问题的有效性和实用性。
上传时间: 2013-06-22
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高中压断路器是电力系统中最重要的开关设备,用高中压断路器保护电力系统至今已经历了一段漫长历史。从最初的油断路器发展到压缩空气断路器,再到目前作为无油化开关的真空断路器和SF6断路器。其中真空断路器以其小型化和高可靠性等优点,已在高中压领域得到愈来愈广泛的应用。作为真空断路器的核心部件,真空灭弧室的研究和开发显得尤为重要。 真空灭弧室的小型化是国外关注的问题,我国很多相关的研究所和高等院校都曾作过不少研制工作,研究的方向是采用各种纵向磁场结构电极的真空灭弧室和寻求新的触头材料。由于纵向磁场结构的电极开断能力强,在额定短路开断电流、设计裕度和工艺水平相同的情况下,纵向磁场的电极比横向磁场的电极小得多。因此,采用纵向磁场结构电极的真空灭弧室可以缩小整体尺寸。 本设计从真空灭弧室的具体模型出发,应用ANSYS8.1的电磁场分析软件,对600A的真空灭弧室触头间的纵磁场进行计算与分析,可得到接近实际的动、静触头电流流向矢量分布图,线圈磁感应强度与线圈几何尺寸的关系,触头开距对磁场分布的影响及电弧在不同位置时的受力分析等。由不同线圈截面积与纵磁磁场强度的关系分布,可得出在分断电流不变的情况下,线圈愈小磁场强度愈强。由触头开距与磁场强度的关系,可见触头间距越小,两触头间越能获得较大的磁感应强度。对真空灭弧室极问磁场分布以及电弧在触头上不同位置受力进行分析,结果表明随着磁感应强度变小,电弧受力也相对的变小。 通过ANSYS仿真分析,为真空断路器灭弧室的设计提供了比较准确的数据资料。进而使产品的设计、开发建立在较为科学的基础上,为产品实际研制提供理论依据。
上传时间: 2013-06-20
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1. 数码管显示原理 数码的显示方式一般有三种: 第一种是字型重叠式; 第二种是分段式; 第三种是点阵式。 目前以分段式应用最为普遍,主要器件是七段发光二极管(LED)显示器。它可分为两种, 一是共阳极显示器(发光二极管的阳极都接在一个公共点上) ,另一是共阴极显示器(发光 二极管的阳极都接在一个公共点上,使用时公共点接地) 。 EXCD-1 开发板使用的数码管为四位共阴极数码管, 每一位的共阴极 7 段数码管由 7个 发光 LED 组成,呈“ ”字状,7 个发光 LED 的阴极连接在一起,阳极分别连接至 FPGA 相应引脚。SEG_SEL1、SEG_SEL2、SEG_SEL3 和 SEG_SEL4 为四位 7 段数码管的位选择 端。当其值为“1”时,相应的 7 段数码管被选通。当输入到 7 段数码管 SEG_A~ SEG_G和 EG_DP 管脚的数据为高电平时,该管脚对应的段变亮,当输入到 7 段数码管 SEG_A~ EG_G和 SEG_DP 管脚的数据为低电平时,该管脚对应的段变灭。
上传时间: 2013-05-23
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中兴电磁兼容设计讲座(PPT 84)的资料简介: 静电放电抗扰性试验(.2) 射频电磁场辐射抗扰性试验(.3) 电快速瞬变脉冲群抗扰性试验(.4) 雷击浪涌抗扰性试验(.5) 射频场传导抗扰性试验(.6) 工频磁场抗扰性试验(.8) 电压瞬时跌落,短时中断和电压渐 变的抗扰性试验(.11)
上传时间: 2013-06-14
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通过定时中断控制LED的导通时间,利用延时控制亮灭。
上传时间: 2013-04-24
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1.利用贴片陶瓷电容器介质层的薄层化和多层叠层技术,使电容值大为扩大 2.单片结构保证有极佳的机械性强度及可靠性 3.极高的精确度,在进行自动装配时有高度的准确性 4.因仅有陶瓷和金属构成,故即便在高温,低温环境下亦无渐衰的现象出现,具有较强可靠性与稳定性 5.低集散电容的特性可完成接近理论值的电路设计 6.残留诱导系数小,确保上佳的频率特性 7.因电解电容器领域也获得了电容,故使用寿命延长,更造于具有高可靠性的电源 8.由于ESR低,频率特性良好,故最适合于高频,高密度类型的电源
上传时间: 2013-04-24
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