液晶驱动板
共 64 篇文章
液晶驱动板 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 64 篇文章，持续更新中。
印制电路板雕刻机简介与适用范围
使用电路板雕刻机，可快速制作电路板样品，缩短研发时间，设备体积小不占空间，且无污染。它适合数字、模拟、RF及一般电路板的制作，可做到电路板钻孔、线路雕刻、外形切割一机多功。
带有增益提高技术的高速CMOS运算放大器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构，利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度，100 MS/s采样频率的高速流
双通道通用精密运算放大器评估板
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EVAL-PRAOPAMP-2R/2RU/2RM评估板支持采用SOIC、TSSOP和MSOP封装的双运算放大器。它能以不同的应用电路和配置为用户提供多种选择和广泛的灵活性。该评估板不是为了用于高频器件或高速放大器。但是，它为用户提供了不同电路类型的多种组合，包括有源滤波器、仪表放大器、复合放大器，以及外部频率补偿电路。本应用笔记会给出几个应用电路的例子。<br />
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IBIS模型之第2部分-IBIS模型总质量的确定
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本文是三部曲系列文章的第 2 部分。第 1 部分（请见参考文献 1）讨论了数字输入/输出缓冲器信息规范 (IBIS) 仿真模型的基本要素，以及它们在 SPICE 环境中的产生过程。本文（第 2 部分）将研究 IBIS 模型正确性检测。第 3 部分将刊登在后续《模拟应用期刊》上，其将介绍 IBIS 用户如何对印刷电路板 (PCB)开发阶段出现的信号完整性问题进行研究。<br />
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DN494 - 驱动一个低噪声、低失真18位、1.6Msps ADC
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LTC®2379-18 是一款 18 位、1.6Msps SAR ADC，具有极高的 SNR (101dB) 和 THD (–120dB)。该器件还具有一种独特的数字增益压缩功能，因而免除了在 ADC驱动器电路中增设一个负电源的需要。<br />
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板级模拟电路仿真收敛性技术研究
<span id="LbZY">电路仿真不仅应用于电路设计阶段，也用于电路故障诊断中。电路仿真结果能够为建立电路测试诊断知识库提供重要的参考信息。本文简要介绍了电路仿真收敛性的相关理论，分析了板级模拟电路直流分析和瞬态分析的仿真收敛性问题，深入探讨了电路仿真技术的原理和发展，重点研究了新的电路仿真算法，并将其应用于模拟电路仿真系统中。<br />
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PCF8591的AD和DA程序
PCF8591AD和DA驱动程序
放大电路故障检修课件
<P> 一、电压放大电路故障检修技巧</P>
<P> 二、功率放大电路故障检修技巧</P>
<P> 三、显像管座板故障检修技巧</P>
<P> 按元器件分类有：分立元件放大电路，集成运算放大电路。</P>
<P> 按功能分类有：电压放大电路，功率放大电路，低频放大电路，高频放大电路等。</P>
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模拟示波器驱动
东震三号模拟示波器
MT-019 DAC接口基本原理
本教程概述与内置基准电压源、模拟输出、数字输入和时钟驱动器的DAC接口电路相关的 一些重要问题。由于ADC也需要基准电压源和时钟，因此本教程中与这些主题相关的大多 数概念同样适用于ADC。
基于N沟道MOS管H桥驱动电路设计与制作
基于N沟道MOS管H桥驱动电路设计与制作
功率MOSFET驱动保护电路方案
分析了对功率MOSFET器件的设计要求；设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单，实用性强，响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明，该电路驱动能力及保护功能效果良好。<br />
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便携式位置探测仪信号接收装置电路设计
<span id="LbZY">清管器在管道中运行时，其上的信号发射器发射出电磁脉冲信号，通过便携式位置探测仪上的信号接收装置接收信号，经过信号处理部分对信号进行解码、识别，最终将探测结果显示在液晶显示屏上。为了满足便携性的要求，探测仪采用低功耗设计，并大量使用贴片元件和功能集成的IC 。经过深入的理论研究和测试，制造出了试验样机，该样机圆满地完成了多种环境下的试验，并取得了良好的效果。<br /
AD8397轨到轨、高输出电流放大器
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AD8397内置两个电压反馈型运算放大器，能够以出色的线性度驱动高负载。共发射极、轨到轨输出级的输出电压能力优于典型射随输出级，驱动25 负载时摆幅可以达到任一供电轨的0.5 V范围以内。低失真、高输出电流和宽输出动态范围使AD8397特别适合要求高负载上大信号摆幅的应用。<br />
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mos管门级驱动电阻计算
mos管门级驱动电阻计算
时钟分相技术应用
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摘要: 介绍了时钟分相技术并讨论了时钟分相技术在高速数字电路设计中的作用。<br />
关键词: 时钟分相技术; 应用<br />
中图分类号: TN 79 文献标识码:A 文章编号: 025820934 (2000) 0620437203<br />
时钟是高速数字电路设计的关键技术之一, 系统时钟的性能好坏, 直接影响了整个电路的<br />
性能。尤其现代电子系统对性
MOS管驱动基础和时间功耗计算
MOS关模型
<P>Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds：也是非线性的电容，它是体二极管的结电容，也是和电压相关的。这些电容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss决定的。由于Cgd同时在输入和输
High-Speed Digital System desi
前面讨论了很多内容，基本上涉及了有关PCB板的绝大部分相关的知识。第二章探讨了传输线的基本原理，第三章探讨了串扰，在第四章里我们阐述了许多在现代设计中必须关注的非理想互连的问题。对于信号从驱动端引脚到接收端引脚的电气路径的相关问题，我们已经做了一些探究，然而对于硅芯片，即处于封装内部的IC来说，其信号传输通常要通过过孔和连接器来进行，对这样的情况我们该如何处理？在本章中，我们将通过对封装、过孔和连
集成式工业接口数字隔离器减少尺寸与成本
随着竞争产品价格的降低和产品差异化需求的增加，在工业市场上生存也变得越来越艰难。同时，安全标准不见有丝毫放宽，这要求更多的工业应用采用电流隔离，给光耦合器带来不利影响。这些不利影响会导致以下这些因素的增加：尺寸、功耗、电路板、元件数和成本。<br />
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高频功率MOSFET驱动电路及并联特性研究
本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流<BR>特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性，然后根据<BR>功率MOSFET对驱动电路的要求，对驱动电路进行了参数计算并且选择应用了实<BR>用可靠的驱动电路。此外，对功率MOSFET在兆赫级并联山于不同的参数影响而<BR>引起的电流分配不均衡问题做了仿真研究及分析。