矩阵的消去变换r语言算法，在逐步回归中经常用到。
上传时间： 2017-11-29
上传用户：天天的3天
matlab中Guass消去法代码，大学数值计算代码
标签： Guass
上传时间： 2017-12-03
上传用户：582781443
列主元Gauss消去法
标签： Gauss
上传时间： 2017-12-05
上传用户：HENRY杨驼
矩阵求逆全选主元高斯消元法编程原理对高斯消元法的基本理解
上传时间： 2017-12-09
上传用户：qwqw
Fortran编写高斯消元法程序，三元一次方程求解。
上传时间： 2018-03-15
上传用户：qingchengde
：消落带土壤由于在水陆交替的特殊生境和复杂的地球化学共同作用下形成，具有独特的理化性质和生态功能。各营养盐 含量在时间和空间上具有较高的变异性，土壤中有机质的分布及迁移和转化均受到复杂的影响。针对官厅水库流域上游妫水 河段消落带，选择典型消落带落水区，对该区土壤有机质含量的时空分布特征进行研究。结果表明：1)研究区消落带土壤有机 质含量较为贫瘠，变化范围在1．64—26∥蝇之间，平均值仅为13．169／kg，变异系数达50．59％。说明消落带由于季节性干湿交 替的特殊水文条件的影响，土壤养分的分布具有较高的空间异质性。淹水频繁区有机质含量平均值为15．74∥妇，高于长期出 露区的10．12∥k，且变异系数为41．38％，小于长期出露区的54．98％。说明淹水频繁区对土壤养分的持留能力更强，且周期性 的淹水条件使得研究区近岸具有相似的生境类型，不同采样点土壤有机质含量的差异相对较小。2)不同植物群落下．芦苇和 香蒲群落土壤有机质含量最高，平均值为17．089／kg；含量最低的是以小叶杨和白羊草为主的中旱生植物带，平均值为9．12，∥ kg；其次是酸模叶蓼、大刺儿菜为优势物种的湿生植物带，土壤有机质含量平均值为15．499／kg。3)不同土壤层次有机质含量差 异较大，总体变化趋势均由表层向下逐渐减少，各层之间体现出显著差异性(P<0．05)。研究区土壤C／N变化范围在1．64— 18．95，平均值为8．95。说明研究区土壤碳氮比相对较低，有机质的腐殖化程度较高，且长期出露区土壤有机质更容易发生分 解，C的累积速度远小于N。土壤C／N垂直分布大致呈先增大后减小趋势，在30cm处达到最大值，而后随着土壤深度的增加逐 渐减小。4)消落带土壤有机质分布的影响因素分析中，土壤有机质与全磷呈极显著正相关，相关系数为0．62(P<0．01)：与土壤 全氮和C／N呈显著正相关(R=0．57，O．60；P<0．05)。这说明研究区土壤全磷、全氮、C／N和有机质明显具有相同的变化趋势．和 有机质存在相互影响。其次，土壤有机质和湿度在呈显著负相关(R=一O．51；P<0．05)，表明研究区土壤湿度对有机质含量具有 显著的影响。气候因子中，温度对研究区土壤有机质的分布具有显著的影响，相关系数为一0．51(P<0．05)。植被因子中．植被 覆盖度和土壤有机质含量呈显著正相关，相关系数为0．64，表明植被因子也是影响土壤有机质分布的重要因素之一。
上传时间： 2018-08-13
上传用户：闽外莯莯
提供了解线性方程组的全主元消去法，内含FORTRAN子程序和主程序，并附有检验方程组
上传时间： 2019-04-28
上传用户：天有不可逾越的光阴
音处理芯片对讲消侧音消回声芯片FM118 硬件参考设计Cadence orcad原理图文件
上传时间： 2022-01-11
上传用户：
电子元器件抗ESD技术讲义:引 言 4 第1 章 电子元器件抗ESD损伤的基础知识 5 1.1 静电和静电放电的定义和特点 5 1.2 对静电认识的发展历史 6 1.3 静电的产生 6 1.3.1 摩擦产生静电 7 1.3.2 感应产生静电 8 1.3.3 静电荷 8 1.3.4 静电势 8 1.3.5 影响静电产生和大小的因素 9 1.4 静电的来源 10 1.4.1 人体静电 10 1.4.2 仪器和设备的静电 11 1.4.3 器件本身的静电 11 1.4.4 其它静电来源 12 1.5 静电放电的三种模式 12 1.5.1 带电人体的放电模式(HBM) 12 1.5.2 带电机器的放电模式（MM） 13 1.5.3 充电器件的放电模型 13 1.6 静电放电失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效机理 15 第2章 制造过程的防静电损伤技术 2.1 静电防护的作用和意义 2.1.1 多数电子元器件是静电敏感器件 2.1.2 静电对电子行业造成的损失很大 2.1.3 国内外企业的状况 2.2 静电对电子产品的损害 2.2.1 静电损害的形式 2.2.2 静电损害的特点 2.2.3 可能产生静电损害的制造过程 2.3 静电防护的目的和总的原则 2.3.1 目的和原则 2.3.2 基本思路和技术途径 2.4 静电防护材料 2.4.1 与静电防护材料有关的基本概念 2.4.2 静电防护材料的主要参数 2.5 静电防护器材 2.5.1 防静电材料的制品 2.5.2 静电消除器（消电器、电中和器或离子平衡器） 2.6 静电防护的具体措施 2.6.1 建立静电安全工作区 2.6.2 包装、运送和存储工程的防静电措施 2.6.3 静电检测 2.6.4 静电防护的管理工作 第3章 抗静电检测及分析技术 3.1 抗静电检测的作用和意义 3.2 静电放电的标准波形 3.3 抗ESD检测标准 3.3.1 电子元器件静电放电灵敏度（ESDS）检测及分类的常用标准 3.3.2 标准试验方法的主要内容（以MIL-STD-883E 方法3015.7为例） 3.4 实际ESD检测的结果统计及分析 3.4.1 试验条件 3.4.2 ESD评价试验结果分析 3.5 关于ESD检测中经常遇到的一些问题 3.6 ESD损伤的失效定位分析技术 3.6.1 端口I－V特性检测 3.6.2 光学显微观察 3.6.3 扫描电镜分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光辐射显微分析技术 3.6.6 分层剥离技术 3.6.7 小结 3.7 ESD和EOS的判别方法讨论 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS对器件损伤的分析判别方法 第4 章 电子元器件抗ESD设计技术 4.1 元器件抗ESD设计基础 4.1.1抗ESD过电流热失效设计基础 4.1.2抗场感应ESD失效设计基础 4.2元器件基本抗ESD保护电路 4.2.1基本抗静电保护电路 4.2.2对抗静电保护电路的基本要求 4.2.3 混合电路抗静电保护电路的考虑 4.2.4防静电保护元器件 4.3 CMOS电路ESD失效模式和机理 4.4 CMOS电路ESD可靠性设计策略 4.4.1 设计保护电路转移ESD大电流。 4.4.2 使输入/输出晶体管自身的ESD阈值达到最大。 4.5 CMOS电路基本ESD保护电路的设计 4.5.1 基本ESD保护电路单元 4.5.2 CMOS电路基本ESD保护电路 4.5.3 ESD设计的辅助工具－TLP测试 4.5.4 CMOS电路ESD保护设计方法 4.5.5 CMOS电路ESD保护电路示例 4.6 工艺控制和管理
上传时间： 2013-07-13
上传用户：2404
电力系统的中性点是指三相电力系统中作量型连接的变压器或发电机的中性点,其运行方式有:不接地方式(绝缘方式)、经电阻接地方式(又可细分为经高阻和低阻接地两种情况)、经电抗接地方式、经消弧线圈接地方式和直接接地方式等.如何选择发电机或变压器中性点的运行方式是一个比较复杂的综合性技术、经济问题.不论采用哪种运行方式,都涉及到供电可靠性、故障范围、用电安全、过电压、继电保护和对电讯及无线电干扰等一系列问题.该文结合一工程实际问题就以上几个方面对电力系统中性点的几种运行方式分别加以分析比较,并分别对几种运行方式进行了短路电流计算、继电保护的配置及整定工作.
上传时间： 2013-07-25
上传用户：15736969615
