功率MOSFET驱动保护电路方案
分析了对功率MOSFET器件的设计要求;设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单,实用性强,响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明,该电路驱动能力及保护功能效果良好。
波动率技术资料下载专区,收录500份相关技术文档、开发源码、电路图纸等优质工程师资源,全部免费下载。
分析了对功率MOSFET器件的设计要求;设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单,实用性强,响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明,该电路驱动能力及保护功能效果良好。
对大功率IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)的开关特性、驱动波形、驱动功率、布线等方面进行了分析和讨论,介绍了一种用于大功率IGBT 的驱动电路。
基于LYTSwitch™-0(LYT0006D)设计的高功率因数LED驱动器,支持90VAC至132VAC输入,输出38V/135mA。115V输入时功率因数超0.7,结构简洁、成本可控,适合快速部署在工业照明场景。
使用LYTSwitch™-4 (LYT4322E)设计而成,185 VAC – 265 VAC输入; 48 V, 120 mA输出。功率因数>0.93。调光兼容范围广泛。