光敏二极管（光敏电阻），作为光敏传感器，它对光的变化非常敏感。 光敏二极管也叫光电二极管。光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的,其管芯是一个具有光敏特征的 PN 结，具有单向导电性，因此工作时需加上反向电压。无光照时，有很小的饱和反向漏电流，即暗电流，此时光敏二极管截止。当受到光照时,饱和反向漏电流大大增加，形成光电流,它随入射光强度的变化而变化。
上传时间： 2018-11-01
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直流支撑电容器，又称DC-Link电容器。直流支撑电容器，属于无源器件的一种。直流支撑电容器，现主要采用聚丙烯薄膜介质直流支撑电容器，其具有耐电压高、耐电流大、低阻抗、低电感、容量损耗小、漏电流小、温度性能好、充放电速度快、使用寿命长(约10万小时)、安全防爆稳定性好、无极性安装方便等优点。被广泛应用于电力电子行业
上传时间： 2019-06-16
上传用户：abcdyifei
本文介绍了一种无Y电容开关电源，其包括依次连接的电源输入端、EMI滤波模块、初级端整流滤波模块、变压器、次级端整流滤波模块，电源输出端，所述变压器的初级端还连接有开关模块，且该开关模块通过PWM控制模块与EMI滤波模块连接，所述次级端整流滤波模块通过稳压反馈模块与所述PWM控制模块连接；所述变压器包括磁芯，依次绕在该磁芯上的初级绕组、次级绕组以及辅助绕组，初级绕组与次级绕组之间设置有屏蔽层，且该屏蔽层接地，磁芯外部绕制有屏蔽绕组，且屏蔽绕组接地。本实用新型提供的无Y电容开关电源，具有漏电流小、工作安全性能好等优点，而且通过优化改进变压器结构，可很好地解决电磁干扰的问题。
标签： 手机充电器
上传时间： 2021-12-13
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PW4065 是一款完整的单节锂电池充电器，带电池正负极反接保护、 输入电源正负极反接保护的芯片，兼容大小 3mA-600mA 充电电流。 PW4065 可以适合 USB 电源和适配器电源工作。由于采用了内部 PMOSFET 架构，加上防倒充电路，所以不需要外部检测电阻器和隔离二极管。热反馈可对充电电流进行自动调节，以便在大功率操作或高环境温度条件下对芯片温度加以限制。充满电压可分为两档： 4.35V、 4.2V。充电电流可通过一个电阻器进行外部设置。当电池达到预设电压之后，充电电流降至设定值 1/10， PW4065 将自动终止充电。当输入电压（交流适配器或 USB 电源）被拿掉时， PW4065 自动进入一个低电流状态，电池漏电流在 1μA 以下。 PW4065 的其他特点包括电源自适应、 欠压闭锁、自动再充电和一个用于指示充电状态的引脚。PW4065 采用 SOT23-5L 封装配合较少的外围原件使其非常适用于便携式产品
标签： pw4065
上传时间： 2022-02-11
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PW4054 是一款性能优异的单节锂离子电池恒流/恒压线性充电器。PW4054 适合给 USB 电源以及适配器电源供电。基于特殊的内部 MOSFET 架构以及防倒充电路， PW4054 不需要外接检测电阻和隔离二极管。当外部环境温度过高或者在大功率应用时，热反馈可以调节充电电流以降低芯片温度。充电电压固定在 4.2V，而充电电流则可以通过一个电阻器进行外部设置。当充电电流在达到最终浮充电压之后降至设定值的 1/10，芯片将终止充电循环。当输入电压断开时， PW4054 进入睡眠状态，电池漏电流将降到 1uA 以下。 PW4054 还可以被设置于停机模式，此时芯片静态电流降至 25uA。PW4054 还包括其他特性：欠压锁定，自动再充电和充电状态标志。PW4054 采用 SOT23-5L 封装配合较少的外围原件使其非常适用于便携式产品
标签： pw4054
上传时间： 2022-02-11
上传用户：jason_vip1
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标签： python
上传时间： 2022-06-06
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近年来，对器件的失效分析已经成为电力电子领域中一个研究热点。本论文基于现代电力电子装置中应用最广的IGBT器件，利用静态测试仪3716，SEM（Scanning Electrom Microscope，扫描电子显微镜）、EDX（Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy、能量色散x射线光谱仪）、FIB（Focused lon beam，聚焦高子束）切割、TEM（Thermal Emmision Microscope，高精度热成像分析仪）等多种分析手段对模块应用当中失效的1GBT芯片进行电特性分析、芯片解剖并完成失效分析，并基于相应的失效模式提出了封装改进方案。1，对于栅极失效的情况，本论文先经过电特性测试完成预分析，并利用THEMOS分析出栅极漏电流通路，找到最小点并进行失效原因分析，针对相应原因提出改进方案。2，针对开通与关断瞬态过电流失效，采用研磨、划片等手段进行芯片的解剖。并用SEM与EDX对芯片损伤程度进行评估分析，以文献为参考进行失效原因分析，利用saber仿真进行失效原因验证。3，针对通态过电流失效模式，采用解剖分析来评估损伤情况，探究失效原因，并采用电感钳位电路进行实验验证。4，针对过电压失效模式，采用芯片解剖方式来分析失效点以及失效情况，基于文献归纳并总结出传统失效原因，并通过大量实验得出基于封装的失效原因，最后采用saber仿真加以验证。
标签： igbt
上传时间： 2022-06-21
上传用户：1208020161
整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则电子爱好者经常要用二极管。二极管具有单向导电性， 主要用于整流、稳压和混频等电路中。本文介绍整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则。(一)整流二极管的主要参数1.IF— 最大平均整流电流。指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN 结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值， 并要满足散热条件。例如1N4000 系列二极管的IF 为1A。2.VR — 最大反向工作电压。指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值， 则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏， 从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB) 的一半作为(VR)。例如1N4001 的VR 为50V，1N4007 的VR 为1OOOV.3.IR— 反向电流。指二极管未击穿时反向电流值。温度对IR 的影响很大。例如1N4000 系列二极管在100°C 条件IR 应小于500uA; 在25°C 时IR 应小于5uA 。4.VR — 击穿电压。指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时， 则指给定反向漏电流条件下的电压值。
上传时间： 2022-06-26
上传用户：xsr1983
分享一份成熟量产的3KW光伏逆变器原理图；整机分成3块PCB板显示板：LCD显示屏、声控电路；主功率板：包括输入EMI、PV_ISO检测、PV电压电流采样、BOOST升压拓扑、H4逆变拓扑、输出EMI、GFCI漏电流检测等等；控制板：各路采样电路、IGBT驱动电路，通信电路等等；附件内容：
上传时间： 2022-07-06
上传用户：wangshoupeng199
本系统采用A. 系统需求分析报告(设计方法/数据流图/数据字典) B. 数据库的信息要求报告（E—R图及关系数据模型） C. 数据库的操作和应用要求报告（模块结构图<概念结构设计及逻辑结构设计>） D. 调试中出现的问题及解决方法（物理设计,调试及运行，维护） E. 访问数据库的方式(ODBC,
上传时间： 2013-12-27
上传用户：日光微澜
