普通查表原理 查表时，执行CALL指令后，下一条指令的地址被自动压入堆栈中，然后跳转到数据表处，执行TJMP指令，PC指针跳转到PC11~PC8,TBR（TABLE BRANCH REGISTER）,AC(累加器)所指向的地址，该地址的数据通过RTNW指令返回，其中，高4位数据保存到TBR寄存器中，低4位数据保存到累加器AC中。返回时PC指针会自动被堆栈中保存的PC数据覆盖。
上传时间： 2014-12-27
上传用户：zhaoman32
摘要：在32位ARM核单片机嵌入式系统的开发中，为了保证系统能正常独立运行，用户必须编写自己的启动程序。以飞利浦公司的LPC2210单片机为例，在ADSl．2集成开发环境中，介绍了启动程序的编写过程。该启动程序在EasyARM2200开发板运行成功。关键词：单片机；启动代码；嵌入式系统
上传时间： 2013-10-19
上传用户：yunfan1978
摘要：数字电压表抗干扰能力强、测量速度快、测量准确度高。本系统采AT89C51单片机、A／D转换器ADC0808和共阳极数码管为主要硬件，详细分析了数字电压表Proteus软件仿真电路设计及编程方法。关键词：数字电压表；单片机；A／D转换器
上传时间： 2013-10-26
上传用户：tiantwo
µPSD3251标准的8032内核－3个16位定时器/计数器－2个外部中断双FLASH结构－64K字节MainFLASH－16K字节SecondFLASH－2K字节的SRAM－可编程逻辑-DPLD，CPLD－提供I2C，UART接口，PWM，ADC－提供更多的I/O口－高达50根I/O口线内置WDT在系统编程（ISP）在应用中再编程（IAP）·PSD结构提高了8051的性能·-可编程系统外围芯片·-双FLASH实现在应用中再编程（IAP）·-允许8051程序代码和数据在存储器间的切换，满足用户的需要·-JTAG编程特别适用于实验开发和生产阶段的需要·高达288K字节的存储单元，为什么要这么大的存储单元·-使用C语言编程需要用较大的存储空间·-菜单、图形、显示类的用户接口要用到大量的存储空间·-多种语言、字体以及数据表需要大空间存储器·-要想数据转换速度快同样需要大量的存储单元·-数据记录·-低成本·-与其他的以8051或某种8位MCU为内核带有大容量的SRAM和Flash的设备相比，uPSD为用节省了成本
上传时间： 2013-10-09
上传用户：rocwangdp
MCS-51系列单片机指令系统表数据传送类指令
上传时间： 2014-12-27
上传用户：13817753084
LM3S系列单片机主要有3种工作模式：运行模式（Run-Mode）、睡眠模式（Sleep-Mode）、深度睡眠模式（Deep-Sleep-Mode）。某些型号还具有单独的极为省电的冬眠模块（Hibernation Module）。而对各个模式下的外设时钟选通以及系统时钟源的控制主要由表 2.1中的寄存器来完成。 运行模式是正常的工作模式，处理器内核将积极地执行代码。在睡眠模式下，系统时钟不变，但处理器内核不再执行代码（内核因不需要时钟而省电）。在深度睡眠模式下，系统时钟可变，处理器内核同样也不再执行代码。深度睡眠模式比睡眠模式更为省电。有关这3种工作模式的具体区别请参见表 2.2的描述。调用函数SysCtlSleep( )可使处理器立即进入睡眠模式，而调用函数SysCtlDeepSleep( )可使处理器立即进入深度睡眠模式。任一中断都可以将处理器从睡眠或深度睡眠模式唤醒，并使处理器恢复到睡眠前的运行状态。因此在进入睡眠或深度睡眠之前，必须配置某个片内外设的中断并允许其在睡眠或深度睡眠模式下继续工作，如果不这样，则只有复位或重新上电才能结束睡眠或深度睡眠状态。
上传时间： 2013-11-08
上传用户：ArmKing88
STK单片机选型表
上传时间： 2013-11-21
上传用户：鱼哥哥你好
Keil C251设计软件V3.11(4k代码限制） keil c251 v3.11 demo版的安装说明：安装方法是先将V3.11安装程序用winzip解压缩到某个目录下。（不要直接点击setup.exe安装），比如解压缩到c:\c251然后执行c:\c251\setup\setup.exe 安装程序，这个程序会让你选择安装Eval Version版还是Full Version版，选择Eval Version版进行安装 安装好之后就可以使用，但有代码大小的限制。需要无限制的版本，请购买正版软件。 C251是intel公司的16位单片机，指令兼容51的单片机。8位单片机风靡了20年，下一个20年应该是16位单片机的世界。
上传时间： 2014-01-23
上传用户：yanqie
C8051F330低成本智能单相交流电压表方案(取代传统动圈表) 该方案采用的http://www.elecfans.com/soft/33/2010/单片机集成度高，资源丰富。与其它类型的http://www.elecfans.com/soft/33/2010/单片机相比，所需要外加的外围器件最少，是做智能单相电流电压表最理想的一款http://www.elecfans.com/soft/33/2010/单片机。
上传时间： 2013-10-27
上传用户：z754970244
常用三星单片机烧写电压设置参考表 烧写电压说明:Vdd 电压指烧写时加载到芯片Vdd 端子的逻辑电压,Vpp 电压指烧写时加载到芯片Vpp(Test)端子的编程电压, Vpp=12V 是编程器的默认烧写电压,无须特别设置. 由于编程器的默认输出Vpp 电压均为12V,因此在烧写Vpp=3.3V/5.0V 的芯片时,需要对烧写转换适配器作以下改动:将烧写器烧写座引出的Vpp 端子完全空置不用, 并在适配器上将Vdd端子直接连接Vpp 端即可.当用户采用在PCB板上烧写方式时,建议最好能在PCB芯片端的Vpp脚并接一个104 的电容入地,可有效保护在烧写电压加载时板子电路共同作用产生的瞬间过压脉冲不会输入到Vpp 脚而造成Vpp 击穿.S3F84K4 烧写特别说明,由于三星半导体DATA SHEET 要求在对该芯片进行烧写时,须在Vpp 脚加接一个101 的电容到地,因此在使用我站各款烧写器烧写84K4 时,须将烧写器主板上的Vpp 端原来并接的10uf/50V-电解电容和104 电容去掉,另行并接一个101 电容入地即可.不过,据本人特别测试结果,其实不做以上处理对烧写过程没有任何影响, 估计可能是三星半导体对芯片有做过改版,老版本的84K4 才会有以上特别要求,新版本是没有这个要求的.
上传时间： 2013-10-10
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