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氮化镓<b>功率器件</b>

  • 四相升压型转换器提供348W功率而无需采用散热器

    在汽車、工業和電信行業的設計師當中,使用高功率升壓型轉換器的現像正變得越來越普遍。當需要 300W 或更高的功率時,必須在功率器件中實現高效率 (低功率損耗),以免除增設龐大散熱器和采用強迫通風冷卻的需要

    标签: 348W 升压型转换器 功率 散热器

    上传时间: 2014-12-01

    上传用户:lhc9102

  • 光伏电池聚光特性

    基于槽式聚光热电联供系统,深入分析晶硅电池阵列和砷化镓电池阵列在高倍聚光下的输出特性及输出功率的影响因素+ 研究结果表明,聚光光强下砷化镓电池阵列输出性能优于晶硅电池阵列,高光强会导致光伏电池禁带宽度变窄,短路电流成倍增加,增加输出功率,但同时耗尽层复合率变大,开路电压降低,制约阵列的输出功率;高光强还引起电池温度升高,电池阵列串联内阻增加+ 分析表明聚光作用下电池阵列串联内阻对输出功率影响巨大,串联内阻从&!增加!!,四种电池阵列输出功率分别损失$*,*(-,*.,’)-,**,)&-和%(,&!- +

    标签: 光伏电池 聚光特性

    上传时间: 2013-10-18

    上传用户:赵一霞a

  • 单片直接驱动数码管的计数器程序

      a_bit equ 20h ;个位数存放处   b_bit equ 21h ;十位数存放处   temp equ 22h ;计数器寄存器   star: mov temp,#0 ;初始化计数器   stlop: acall display   inc temp   mov a,temp   cjne a,#100,next ;=100重来   mov temp,#0   next: ljmp stlop   ;显示子程序   display: mov a,temp ;将temp中的十六进制数转换成10进制   mov b,#10 ;10进制/10=10进制   div ab   mov b_bit,a ;十位在a   mov a_bit,b ;个位在b   mov dptr,#numtab ;指定查表启始地址   mov r0,#4   dpl1: mov r1,#250 ;显示1000次   dplop: mov a,a_bit ;取个位数   MOVC A,@A+DPTR ;查个位数的7段代码   mov p0,a ;送出个位的7段代码

    标签: 直接驱动 数码管 计数器 程序

    上传时间: 2013-11-06

    上传用户:lx9076

  • 高效率E类射频功率振荡器的设计

    主要介绍了高效率E类射频功率振荡器的原理和设计方法,通过电路等效变换,E类射频功率振荡器最终转换成与E类放大器相同的结构,MOS管工作在软开关状态,漏极高电压、大电流不会同时交叠,大大降低了功率损耗,在同等工作条件下,能够获得与E类放大器相似的高效率。文中以ARF461型LDMOS做为功率器件,结合E类射频振荡器在等离子体源中的应用,给出了的设计实例。ADS仿真结果表明,在13.56MHz的工作频率下,振荡器输出功率46W,效率为92%,符合设计预期。

    标签: 高效率 E类射频 功率振荡器

    上传时间: 2014-02-10

    上传用户:yczrl

  • SPDT微波开关的设计

      随着微波半导体器件的成熟,工艺加工技术的改进,以及砷化镓材料设备的完善,器件成品率提高,使单片微波电路的研究已具备现实的条件。微波开关也被单片集成化。这使得微波开关具有体积小,重量轻,结构简单、制作容易、可靠性高等优点,是微波和毫米波控制电路的重要器件,广泛用于微波和毫米波雷达,通信,电子对抗和测量系统中。

    标签: SPDT 微波开关

    上传时间: 2013-11-15

    上传用户:c12228

  • 12345

    /****************temic*********t5557***********************************/    #include   <at892051.h>     #include   <string.h>    #include   <intrins.h>     #include   <stdio.h>     #define    uchar    unsigned char     #define    uint     unsigned int     #define    ulong    unsigned long     //STC12C2051AD的SFR定义     sfr  WDT_CONTR = 0xe1;//stc2051的看门狗??????     /**********全局常量************/    //写卡的命令     #define    write_command0       0//写密码     #define    write_command1       1//写配置字     #define    write_command2       2//密码写数据     #define    write_command3       3//唤醒     #define    write_command4       4//停止命令     #define    TRUE       1     #define    FALSE      0     #define    OK         0     #define    ERROR      255     //读卡的时间参数us     #define ts_min          250//270*11.0592/12=249//取近似的整数     #define ts_max          304//330*11.0592/12=304     #define t1_min          73//90*11.0592/12=83:-10调整     #define t1_max          156//180*11.0592/12=166     #define t2_min          184//210*11.0592/12=194     #define t2_max          267//300*11.0592/12=276     //***********不采用中断处理:采用查询的方法读卡时关所有中断****************/     sbit p_U2270B_Standby = P3^5;//p_U2270B_Standby PIN=13     sbit p_U2270B_CFE = P3^3;//p_U2270B_CFE     PIN=6     sbit p_U2270B_OutPut = P3^7;//p_U2270B_OutPut  PIN=2     sbit wtd_sck = P1^7;//SPI总线     sbit wtd_si = P1^3;    sbit wtd_so = P1^2;    sbit iic_data = P1^2;//lcd IIC     sbit iic_clk = P1^7;    sbit led_light = P1^6;//测试绿灯     sbit led_light1 = P1^5;//测试红灯     sbit led_light_ok  = P1^1;//读卡成功标志     sbit fengmingqi = P1^5;    /***********全局变量************************************/       uchar data Nkey_a[4] = {0xA0, 0xA1, 0xA2, 0xA3};//初始密码             //uchar idata card_snr[4];   //配置字     uchar data bankdata[28] = {1,2,3,4,5,6,7,1,2,3,4,5,6,7,1,2,3,4,5,6,7,1,2,3,4,5,6,7};     //存储卡上用户数据(1-7)7*4=28     uchar data cominceptbuff[6] = {1,2,3,4,5,6};//串口接收数组ram     uchar command; //第一个命令     uchar command1;//     //uint  temp;     uchar j,i;    uchar myaddr = 8;    //uchar ywqz_count,time_count;             //ywqz jishu:     uchar bdata DATA;    sbit BIT0 = DATA^0;    sbit BIT1 = DATA^1;    sbit BIT2 = DATA^2;    sbit BIT3 = DATA^3;    sbit BIT4 = DATA^4;    sbit BIT5 = DATA^5;    sbit BIT6 = DATA^6;    sbit BIT7 = DATA^7;    uchar bdata DATA1;    sbit BIT10 = DATA1^0;    sbit BIT11 = DATA1^1;    sbit BIT12 = DATA1^2;    sbit BIT13 = DATA1^3;    sbit BIT14 = DATA1^4;    sbit BIT15 = DATA1^5;    sbit BIT16 = DATA1^6;    sbit BIT17 = DATA1^7;    bit i_CurrentLevel;//i_CurrentLevel  BIT 00H(Saves current level of OutPut pin of U2270B)     bit timer1_end;    bit read_ok = 0;    //缓存定时值,因用同一个定时器     union HLint { uint W;    struct   {    uchar H;uchar L;   }   B; };//union HLint idata a     union HLint data a;    //缓存定时值,因用同一个定时器     union HLint0 { uint W;    struct {   uchar H;   uchar L; } B; };//union HLint idata a     union HLint0 data b;    /**********************函数原型*****************/    //读写操作     void f_readcard(void);//全部读出1~7 AOR唤醒     void f_writecard(uchar x);//根据命令写不同的内容和操作     void f_clearpassword(void);//清除密码     void f_changepassword(void);//修改密码     //功能子函数     void write_password(uchar data *data p);//写初始密码或数据     void write_block(uchar x,uchar data *data p);//不能用通用指针     void write_bit(bit x);//写位     /*子函数区*****************************************************/    void delay_2(uint x)    //延时,时间x*10us@12mhz,最小20us@12mhz     {    x--; x--;    while(x)    {      _nop_();      _nop_();      x--;    }    _nop_();//WDT_CONTR=0X3C;不能频繁的复位     _nop_();    }    /////////////////////////////////////////////////////////////////////     void initial(void)    {    SCON = 0x50; //串口方式1,允许接收     //SCON  =0x50;     //01010000B:10位异步收发,波特率可变,SM2=0不用接收到有效停止位才RI=1,     //REN=1允许接收     TMOD = 0x21; //定时器1 定时方式2(8位),定时器0 定时方式1(16位)     TCON = 0x40; //设定时器1 允许开始计时(IT1=1)     TH1 = 0xfD;  //FB 18.432MHz 9600 波特率     TL1 = 0xfD;  //fd 11.0592 9600     IE = 0X90;     //EA=ES=1     TR1 = 1;     //启动定时器     WDT_CONTR = 0x3c;//使能看门狗     p_U2270B_Standby = 0;//单电源     PCON = 0x00;    IP = 0x10;//uart you xian XXXPS PT1 PX1 PT0 PX0     led_light1 = 1;    led_light = 0;    p_U2270B_OutPut = 1;    }    /************************************************/    void f_readcard()//读卡     {    EA = 0;//全关,防止影响跳变的定时器计时     WDT_CONTR = 0X3C;//喂狗     p_U2270B_CFE = 1;//      delay_2(232);  //>2.5ms            /*   //   aor    用唤醒功能来防碰撞   p_U2270B_CFE = 0; delay_2(18);//start gap>150us   write_bit(1);//10=操作码读0页   write_bit(0);       write_password(&bankdata[24]);//密码block7   p_U2270B_CFE =1 ;//    delay_2(516);//编程及确认时间5.6ms   */    WDT_CONTR = 0X3C;//喂狗     led_light = 0;    b.W = 0;    while(!(read_ok == 1))    {             //while(p_U2270B_OutPut);//等一个稳定的低电平?超时判断?              while(!p_U2270B_OutPut);//等待上升沿的到来同步信号检测1       TR0 = 1;      //deng xia jiang       while(p_U2270B_OutPut);//等待下降沿       TR0 = 0;   a.B.H = TH0;   a.B.L = TL0;   TH0 = TL0 = 0;   TR0 = 1;//定时器晚启动10个周期       //同步头       if((324 < a.W) && (a.W < 353)) ;//检测同步信号1                  else     {     TR0 = 0;     TH0 = TL0 = 0;     goto read_error;    }      //等待上升沿        while(!p_U2270B_OutPut);   TR0 = 0;   a.B.H = TH0;   a.B.L = TL0;   TH0 = TL0 = 0;   TR0 = 1;//b.N1<<=8;            if(a.B.L < 195);//0.5p       else     {     TR0 = 0;     TH0 = TL0 = 0;     goto read_error;    }      //读0~7块的数据       for(j = 0;j < 28;j++)      {       //uchar i;                  for(i = 0;i < 16;i++)//8个位        {        //等待下降沿的到来         while(p_U2270B_OutPut);                TR0 = 0;     a.B.H = TH0;     a.B.L = TL0;     TH0 = TL0 = 0;     TR0 = 1;              if(t2_max < a.W/*)&&(a.W < t2_max)*/)//1P          {         b.W >>= 2;//先左移再赋值          b.B.L += 0xc0;                             i++;        }        else if(t1_min < a.B.L/*)&&(a.B.L < t1_max)*/)//0.5p         {         b.W >>= 1;         b.B.L += 0x80;                           }        else      {      TR0 = 0;      TH0 = TL0 = 0;      goto read_error;     }        i++;        while(!p_U2270B_OutPut);//上升                   TR0 = 0;     a.B.H = TH0;     a.B.L = TL0;     TH0 = TL0 = 0;     TR0 = 1;                      if(t2_min < a.W/*)&&(a.W < t2_max)*/)//1P          {         b.W >>= 2;         i++;        }        else if(t1_min < a.B.L/*a.W)&&(a.B.L < t1_max)*/)//0.5P         //else if(!(a.W==0))         {         b.W >>= 1;         //temp+=0x00;          //led_light1=0;led_light=1;delay_2(40000);         }        else      {      TR0 = 0;      TH0 = TL0 = 0;      goto read_error;     }        i++;       }       //取出奇位        DATA = b.B.L;       BIT13 = BIT7;    BIT12 = BIT5;    BIT11 = BIT3;    BIT10 = BIT1;       DATA = b.B.H;       BIT17 = BIT7;    BIT16 = BIT5;    BIT15 = BIT3;    BIT14 = BIT1;       bankdata[j] = DATA1;      }              read_ok = 1;//读卡完成了     read_error:    _nop_();    }       }    /***************************************************/    void f_writecard(uchar x)//写卡     {    p_U2270B_CFE = 1;    delay_2(232);  //>2.5ms            //psw=0 standard write     if (x == write_command0)//写密码:初始化密码     {      uchar i;      uchar data *data p;      p = cominceptbuff;      p_U2270B_CFE = 0;   delay_2(31);//start gap>330us       write_bit(1);//写操作码1:10       write_bit(0);//写操作码0       write_bit(0);//写锁定位0       for(i = 0;i < 35;i++)      {       write_bit(1);//写数据位1       }      p_U2270B_CFE = 1;      led_light1 = 0;   led_light = 1;   delay_2(40000);//测试使用       //write_block(cominceptbuff[4],p);       p_U2270B_CFE = 1;      bankdata[20] = cominceptbuff[0];//密码存入       bankdata[21] = cominceptbuff[1];      bankdata[22] = cominceptbuff[2];      bankdata[23] = cominceptbuff[3];    }    else if (x == write_command1)//配置卡参数:初始化     {      uchar data *data p;      p = cominceptbuff;      write_bit(1);//写操作码1:10       write_bit(0);//写操作码0       write_bit(0);//写锁定位0               write_block(cominceptbuff[4],p);      p_U2270B_CFE=  1;    }    //psw=1  pssword mode     else if(x == write_command2)  //密码写数据    {      uchar data*data p;      p = &bankdata[24];      write_bit(1);//写操作码1:10       write_bit(0);//写操作码0       write_password(p);//发口令       write_bit(0);//写锁定位0       p = cominceptbuff;      write_block(cominceptbuff[4],p);//写数据            }    else if(x == write_command3)//aor    //唤醒 {      //cominceptbuff[1]操作码10 X xxxxxB       uchar data *data p;      p = cominceptbuff;      write_bit(1);//10       write_bit(0);             write_password(p);//密码       p_U2270B_CFE = 1;//此时数据不停的循环传出     }    else //停止操作码     {      write_bit(1);//11       write_bit(1);             p_U2270B_CFE = 1;         }    p_U2270B_CFE = 1;    delay_2(560);//5.6ms     }    /************************************/    void f_clearpassword()//清除密码     {    uchar data *data p;    uchar i,x;          p = &bankdata[24];//原密码     p_U2270B_CFE = 0; delay_2(18);//start gap>150us     //操作码10:10xxxxxxB     write_bit(1);    write_bit(0);              for(x = 0;x < 4;x++)//发原密码     {             DATA = *(p++);      for(i = 0;i < 8;i++)      {       write_bit(BIT0);       DATA >>= 1;      }    }    write_bit(0);//锁定位0:0     p = &cominceptbuff[0];    write_block(0x00,p);//写新配置参数:pwd=0             //密码无效:即清除密码     DATA = 0x00;//停止操作码00000000B     for(i = 0;i < 2;i++)    {    write_bit(BIT7);    DATA <<= 1;    }    p_U2270B_CFE = 1;       delay_2(560);//5.6ms     }    /*********************************/    void f_changepassword()//修改密码            {       uchar data *data p;    uchar i,x,addr;    addr = 0x07;//block7     p = &Nkey_a[0];//原密码     DATA = 0x80;//操作码10:10xxxxxxB     for(i = 0;i < 2;i++)    {      write_bit(BIT7);      DATA <<= 1;    }    for(x = 0;x < 4;x++)//发原密码     {             DATA = *(p++);      for(i = 0;i < 8;i++)      {       write_bit(BIT7);       DATA >>= 1;      }    }    write_bit(0);//锁定位0:0     p = &cominceptbuff[0];    write_block(0x07,p);//写新密码     p_U2270B_CFE = 1;    bankdata[24] = cominceptbuff[0];//密码存入     bankdata[25] = cominceptbuff[1];    bankdata[26] = cominceptbuff[2];    bankdata[27] = cominceptbuff[3];    DATA = 0x00;//停止操作码00000000B     for(i = 0;i < 2;i++)    {      write_bit(BIT7);      DATA <<= 1;    }    p_U2270B_CFE = 1;       delay_2(560);//5.6ms     }    /***************************子函数***********************************/    void write_bit(bit x)//写一位     {    if(x)    {      p_U2270B_CFE = 1;   delay_2(32);//448*11.0592/120=42延时448us       p_U2270B_CFE = 0;   delay_2(28);//280*11.0592/120=26写1     }    else    {      p_U2270B_CFE = 1;   delay_2(92);//192*11.0592/120=18       p_U2270B_CFE = 0;   delay_2(28);//280*11.0592/120=26写0     }    }    /*******************写一个block*******************/    void write_block(uchar addr,uchar data *data p)    {    uchar i,j;        for(i = 0;i < 4;i++)//block0数据     {             DATA = *(p++);      for(j = 0;j < 8;j++)      {       write_bit(BIT0);       DATA >>= 1;      }    }    DATA = addr <<= 5;//0地址     for(i = 0;i < 3;i++)    {      write_bit(BIT7);      DATA <<= 1;    }                   }    /*************************************************/    void write_password(uchar data *data p)    {    uchar i,j;        for(i = 0;i < 4;i++)//     {             DATA = *(p++);      for(j = 0;j < 8;j++)      {       write_bit(BIT0);       DATA >>= 1;      }    }        }   /*************************************************/   void main()    {    initial();    TI = RI = 0;    ES = 1;    EA = 1;  delay_2(28);   //f_readcard();     while(1) {   f_readcard();      //读卡   f_writecard(command1);  //写卡    f_clearpassword();   //清除密码     f_changepassword();    //修改密码 } }

    标签: 12345

    上传时间: 2017-10-20

    上传用户:my_lcs

  • 先进的高压大功率器件——原理 特性和应用

    本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用, 定义了理想功率开关的电特性, 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 (GTO) 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构, 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。 碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层, 以防止其提前击穿。 另外, 必须屏蔽基区,以避免扩展击穿。 这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。 第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸(MCT) 结构和基极电阻控制晶闸管 (BRT) 结构, 后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。 第10章介绍了发射极开关晶闸(EST), 该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断, 并可利用IGBT加工工艺来制造。 这种器件具有良好的安全工作区。本书最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书, 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。

    标签: 大功率器件

    上传时间: 2021-11-02

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  • SiC 功率器件・模块 应用笔记

    本应用笔记详细记载了关于罗姆的SiC 器件的特性及使用方法。从分立器件到模块,面向各种应用,SiC器件的优势和使用上的注意点,从初次接触SiC器件到熟知产品的各位,都可以得到应用和帮助

    标签: sic 功率器件

    上传时间: 2022-02-08

    上传用户:shjgzh

  • 硬件工程师 电子工程师必备知识手册

    硬件工程师 电子工程师必备知识手册关键字: 电阻 基础知识 线绕电阻器 薄膜电阻器 实心电阻器 电阻 导电体对电流的阻碍作用称着电阻,用符号 R 表示,单位为欧姆、千欧、兆欧, 分别用Ω、kΩ、MΩ 表示。 一、电阻的型号命名方法: 国产电阻器的型号由四部分组成(不适用敏感电阻) 第一部分:主称 ,用字母表示,表示产品的名字。如 R 表示电阻,W 表示电位 器。 第二部分:材料 ,用字母表示,表示电阻体用什么材料组成,T-碳膜、H-合成 碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、 X-线绕。 第三部分:分类,一般用数字表示,个别类型用字母表示,表示产品属于什么类 型。1-普通、2-普通、3-超高频 、4-高阻、5-高温、6- 精密、7-精密、8-高压、 9-特殊、G-高功率、T-可调。 第四部分:序号,用数字表示,表示同类产品中不同品种,以

    标签: 硬件工程师 电子工程师

    上传时间: 2022-02-17

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  • 推挽式DC-DC开关电源设计

    随着半导体技术和电子技术的发展,开关电源的体积越来越小、质量越来越轻、效率越来越高、可靠性也越来越优良,被广泛地运用到了生活中的各个方面。DcDC开关电源是开关电源中非常常用的一种形式,因此,对DCDC开关电源的拓扑结构、反馈电路等相关知识的研究成为了理解开关电源的重要环节。论文分析了推挽式DCDC开关电源的工作原理、效率和优缺点,设计了一款输出恒定的推挽式DCDC开关电源。论文以T公司的高速PwM控制器Uc3825为核心,给出了DCDC开关电源的结构框图,详细设计了控制器、推挽式驱动、整流滤波、反馈控制等电路,讨论了变压器、开关管、整流二极管等选型问題。通过对推挽式DCDC开关电源样机的测试,结果表明,在输出功率为100W到30W时,论文设计的样机的转换效率可以达到85%以上。开关电源就是通过特定的电路,控制开关管的导通时间和关断时间,以达到输出恒定的直流电压的设备。随着电子技术的迅猛发展,开关电源涉及到的相关技术也越来越成熟,使得开关电源成为了电子设备中不可或缺的一种供电方式开关电源最早源于二十世纪五十年代的美国,当时,美国为了设计特殊需求的军用电源,提出了小型、轻量的目标,自此开始,开关电源由于其比传统的线性电源拥有的优点而广泛地运用到电子、电气设备、计算机电源、通信设备等领经过几十年的不断进步,开关电源在诸多方面都有了非常大的突破。大功率MOSFET和IGBT等功率器件技术的进步使得开关电源能向着高频化、大功率的方向发展。软开关技术可以降低开关损耗和开关噪声,可以大大提升开关电源的效率,为高频开关电源的实现提供了可能。平面变压器和平面电感技术的发展使开关电源的效率可以进一步得到提升,体积也可以大大地减小。有源功率因数校正技术的发展,使开关电源的功率因数得到了很大地提升,既解决了由电路中的非线性负载产生的谐波失真,又提高了开关电源的整机效率

    标签: 开关电源

    上传时间: 2022-03-10

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