通过实验发现:氧化铝砂纸干式抛光使光纤连接器的回波损耗仅保持在32～38dB 之间;氧化硅砂纸干式抛光会造成光纤端面污损,使得连接器的回波损耗降低到20dB 以下;氧化铝与氧化硅砂纸湿式抛光均可使光纤连接器的回波损耗提高到45～50dB ,但氧化铝砂纸湿式抛光会造成80nm 以上的光纤凹陷。因此,制作高回波损耗的光纤连接器应优先选用氧化硅砂纸湿式抛光工艺,抛光时间应控制在20～30s。
上传时间： 2013-11-19
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附件是一款PCB阻抗匹配计算工具，点击CITS25.exe直接打开使用，无需安装。附件还带有PCB连板的一些计算方法，连板的排法和PCB联板的设计验验。 PCB设计的經驗建議: 1.一般連板長寬比率為1：1~2.5：1,同時注意For FuJi Machine:a.最大進板尺寸為:450*350mm, 2.針對有金手指的部分,板邊處需作掏空處理,建議不作為連板的部位. 3.連板方向以同一方向為優先,考量對稱防呆,特殊情況另作處理. 4.連板掏空長度超過板長度的1/2時,需加補強邊. 5.陰陽板的設計需作特殊考量. 6.工藝邊需根據實際需要作設計調整,軌道邊一般不少於6mm,實際中需考量板邊零件的排布,軌道設備正常卡壓距離為不少於3mm,及符合實際要求下的連板經濟性. 7.FIDUCIAL MARK或稱光學定位點,一般設計在對角處,為2個或4個,同時MARK點面需平整,無氧化,脫落現象;定位孔設計在板邊,為對稱設計,一般為4個,直徑為3mm,公差為±0.01inch. 8.V-cut深度需根據連板大小及基板板厚考量,角度建議為不少於45°. 9.連板設計的同時,需基於基板的分板方式考量<人工(治具)還是使用分板設備>. 10.使用針孔(郵票孔)聯接：需請考慮斷裂后的毛刺,及是否影響COB工序的Bonding机上的夾具穩定工作,還應考慮是否有無影響插件過軌道,及是否影響裝配組裝.
上传时间： 2014-12-31
上传用户：sunshine1402
附件是一款PCB阻抗匹配计算工具，点击CITS25.exe直接打开使用，无需安装。附件还带有PCB连板的一些计算方法，连板的排法和PCB联板的设计验验。 PCB设计的經驗建議: 1.一般連板長寬比率為1：1~2.5：1,同時注意For FuJi Machine:a.最大進板尺寸為:450*350mm, 2.針對有金手指的部分,板邊處需作掏空處理,建議不作為連板的部位. 3.連板方向以同一方向為優先,考量對稱防呆,特殊情況另作處理. 4.連板掏空長度超過板長度的1/2時,需加補強邊. 5.陰陽板的設計需作特殊考量. 6.工藝邊需根據實際需要作設計調整,軌道邊一般不少於6mm,實際中需考量板邊零件的排布,軌道設備正常卡壓距離為不少於3mm,及符合實際要求下的連板經濟性. 7.FIDUCIAL MARK或稱光學定位點,一般設計在對角處,為2個或4個,同時MARK點面需平整,無氧化,脫落現象;定位孔設計在板邊,為對稱設計,一般為4個,直徑為3mm,公差為±0.01inch. 8.V-cut深度需根據連板大小及基板板厚考量,角度建議為不少於45°. 9.連板設計的同時,需基於基板的分板方式考量<人工(治具)還是使用分板設備>. 10.使用針孔(郵票孔)聯接：需請考慮斷裂后的毛刺,及是否影響COB工序的Bonding机上的夾具穩定工作,還應考慮是否有無影響插件過軌道,及是否影響裝配組裝.
上传时间： 2013-10-15
上传用户：3294322651
“闪存(Flash)”这一名称，是源于该存储器件只需单步操作即能擦除其中所有内容的能力。军用装备很早就从这一能力中获益，军用装备都包含机密信息，一旦即将落入敌手，就应该迅速予以破坏。与EEPROM类似，Flash的数据存储也是通过向其晶体管栅区存入电荷来实现。电荷在栅上的存储是通过注入一定量的电荷、让其穿过绝缘氧化层来实现的。
上传时间： 2013-12-13
上传用户：叶山豪
企业内部的很多业务都可以抽象为一个或者若干个工作流，最典型的是收发文工作流。一个发文流程可能要经历起草，审批，校对，领导签字，传阅等步骤。传统的办公模式完成此流程需要投入很多人力，而且运转起来较慢，容易出错，如果采用办公自动化系统，公文的流转就可以自动化，显然有很多好处。 UML（Unified Modeling Language)是一种面向对象的建模语言，它已经广泛用于面向对象系统的分析和设计。统一过程(Unified Process)是一种软件工程方法，它将软件开发过程分为一系列的工作流程(Workflow)，充分发挥了迭代的开发思想，是软件开发成功的重要因素。 Struts是基于JAVA的一个开源项目，采用模块化的设计思想将业务逻辑，数据存储和用户界面分离，简化了企业级应用程序的构建。 本文描述了葫芦岛锌厂的办公自动化系统的开发过程，依据统一过程的开发思想，利用UML构建和描述系统的结构与行为，并用Struts完成了系统的最终实现。
上传时间： 2015-10-31
上传用户：ljmwh2000
E2V公司生产的空气sensor，可以测量空气中二氧化氮的含量，易用精确，此为datasheet
上传时间： 2014-01-22
上传用户：米卡
CARBEX法在碳酸盐介质中对废核燃料(SNF)进行再处理的新方法-CARBEX法的研究进展。碳酸盐法在SNF后处理中的应用综述CrRBEX流程的概念是。给出了CARBEXProcess各阶段的实验数据：乏燃料成分的高低温氧化。它在碳酸水溶液中的氧化溶解、U(VD)和Pu(VI)的萃取精制、U(VD)和Pu(V)的固相再萃取。并对制备陶粒燃料所需的AF铀和二氧化钚粉体进行了讨论。结果表明，tbe CARBEX工艺比众所周知的工业Purex工艺更有效、更安全
上传时间： 2019-04-28
上传用户：KATTUN104
输电线路杆塔及电力金具用热浸镀锌螺栓与螺母
标签： DL/T 284-2012
上传时间： 2020-07-02
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输电线路杆塔和电力金具用热浸镀锌螺栓和螺母技术文件
标签： DL/T 284-2012
上传时间： 2020-07-02
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本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用， 定义了理想功率开关的电特性， 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 （GTO） 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构， 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。 碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层， 以防止其提前击穿。 另外， 必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。 这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。 第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸（MCT） 结构和基极电阻控制晶闸管 （BRT） 结构， 后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。 第10章介绍了发射极开关晶闸（EST）， 该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断， 并可利用IGBT加工工艺来制造。 这种器件具有良好的安全工作区。本书最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书， 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。
标签： 大功率器件
上传时间： 2021-11-02
上传用户：GGMD
