本文先设计了一种高性能的CMOS模拟集成温度传感器，并在电路中设计了ESD保护电路和启动电路，以保证电路工作点正常与性能优良。该电路具有结构简单、工作电压低、电源抑制比高和线性度良好的特点。采用HSPICE对该温度传感器电路进行了模拟仿真，仿真结果表明其电源抑制比可以达到64dB，在-50℃~150℃温度范围内，电压温度系数可以达到2.9mV/K，线性度良好。而后在原集成温度传感器电路研究成果的基础上，设计了一种用于CMOS集成温度传感器二次非线性项修正的曲率校正电路，该电路有效解决了CMOS温度传感电路中电阻温度系数和PN结电压二次非线性项对输出线性度的影响。应用了该校正电路的CMOS 温度传感系统已在0.6um 标准 CMOS工艺中研制实现，实验结果表明在-50℃~+150℃的温度范围内该温度传感系统的最大误差小于1.5℃。该研究的成果可用于一些高精度的应用场所，比如冷暖空调、医疗仪器，自检测系统等诸多领域中，具有显著的研究意义和广泛的应用前景。
上传时间： 2022-07-12
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学习FPGA设计，最好把CMOS数字集成电路微电子的知识补充一下，对学习fpga设计大有好处。
上传时间： 2022-07-17
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COMS模拟集成电路复习题
上传时间： 2022-07-17
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文档为IC设计基础--模拟集成电路基本单元总结文档，是一份不错的参考资料，感兴趣的可以下载看看，，，，，，，，，，，，，，，，，
标签： IC设计
上传时间： 2022-07-25
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模拟ic设计经典的入门教程，分析很透彻，适合初学者进行系统的认识模拟电路的设计方法，对于有经验的工作者，也可当作设计参考
上传时间： 2013-05-24
上传用户：afeiafei309
近年来，随着集成电路技术和电源管理技术的发展，低压差线性稳压器（LDO）受到了普遍的关注，被广泛应用于便携式电子产品如PDA、MP3播放器、数码相机、无线电话与通信设备、医疗设备和测试仪器等中，但国内研究起步晚，市场大部分被国外产品占有，因此，开展本课题的研究具有特别重要的意义。 首先，简单阐述了课题研究的背景及意义，分析了低压差线性稳压器（LDO）研究的现状和发展趋势，并提出了设计的预期技术指标。 其次，详细分析了LDO线性稳压器的理论基础，包括其结构、各功能模块的作用、系统工作原理、性能指标定义及设计时对性能指标之间相互矛盾的折衷考虑。 再次，设计了基于自偏置电流源的带隙基准电压源，选取PMOS管作为系统的调整元件并计算出了其尺寸，设计了基于CMOS工艺的两级误差运算放大器。利用HSPICE工具仿真了基准电压源和误差运算放大器的相关性能参数。 然后，重点分析了稳压器的稳定性特征，指出系统存在的潜在不稳定性，详细论述了稳定性补偿的必要性，比较了业界使用过的几种稳定性补偿方法的不足之处，提出了一种基于电容反馈VCCS的补偿方法，对系统进行了稳定性的补偿； 最后，将所设计的模块进行联合，设计了一款基于CMOS工艺的LDO线性稳压器电路，利用HSPICE工具验证了其压差电压、静态电流、线性调整率等性能指标，仿真结果验证了理论分析的正确性、设计方法的可行性。
上传时间： 2013-07-08
上传用户：Wibbly
近年来，以电池作为电源的微电子产品得到广泛使用，因而迫切要求采用低电源电压的模拟电路来降低功耗。目前低电压、低功耗的模拟电路设计技术正成为微电子行业研究的热点之一。 在模拟集成电路中，运算放大器是最基本的电路，所以设计低电压、低功耗的运算放大器非常必要。在实现低电压、低功耗设计的过程中，必须考虑电路的主要性能指标。由于电源电压的降低会影响电路的性能，所以只实现低压、低功耗的目标而不实现优良的性能(如高速)是不大妥当的。 论文对国内外的低电压、低功耗模拟电路的设计方法做了广泛的调查研究，分析了这些方法的工作原理和各自的优缺点，在吸收这些成果的基础上设计了一个3.3 V低功耗、高速、轨对轨的CMOS/BiCMOS运算放大器。在设计输入级时，选择了两级直接共源一共栅输入级结构；为稳定运放输出共模电压，设计了共模负反馈电路，并进行了共模回路补偿；在偏置电路设计中，电流镜负载并不采用传统的标准共源-共栅结构，而是采用适合在低压工况下的低压、宽摆幅共源-共栅结构；为了提高效率，在设计时采用了推挽共源极放大器作为输出级，输出电压摆幅基本上达到了轨对轨；并采用带有调零电阻的密勒补偿技术对运放进行频率补偿。 采用标准的上华科技CSMC 0.6μpm CMOS工艺参数，对整个运放电路进行了设计，并通过了HSPICE软件进行了仿真。结果表明，当接有5 pF负载电容和20 kΩ负载电阻时，所设计的CMOS运放的静态功耗只有9.6 mW，时延为16.8ns，开环增益、单位增益带宽和相位裕度分别达到82.78 dB，52.8 MHz和76°，而所设计的BiCMOS运放的静态功耗达到10.2 mW，时延为12.7 ns，开环增益、单位增益带宽和相位裕度分别为83.3 dB、75 MHz以及63°，各项技术指标都达到了设计要求。
标签： CMOSBiCMOS 低压 低功耗
上传时间： 2013-06-29
上传用户：saharawalker
用动画的方式进行模拟，介绍模电里的基础性原理，像PN节 二极管 三极管 CMOS
上传时间： 2013-10-30
上传用户：66666
用动画的方式进行模拟，介绍模电里的基础性原理，像PN节 二极管 三极管 CMOS
上传时间： 2013-10-18
上传用户：bruce
用动画的方式进行模拟，介绍模电里的基础性原理，像PN节 二极管 三极管 CMOS
上传时间： 2013-11-06
上传用户：吾学吾舞
