变频器电路图-整流、滤波、电源及电压检测电路1.整流滤波部分电路三相220∨电压由端子J3的T、S、R引入,加至整流模块D55(SKD25-08)的交流输入端,在输出端得到直流电压,RV1是压敏电阻,当整流电压超过额定电压385V时,压敏电阻呈短路状态,短路的大电流会引起前级空开跳闸,从而保护后级电路不受高压损坏。整流后的电压通过负温度系数热敏电阻RT5、RT6给滤波电容C133、C163充电。负温度系数热敏电阻的特点是:自身温度越高,阻值越低,因为这个特点,变频器刚上电瞬间,RT5、RT6处于冷态,阻值相对较大,限制了初始充电电流大小,从而避免了大电流对电路的冲击。2.直流电压检测部分电路电阻R81、R65、R51、R77、R71、R52、R62、R39、R40组成串联分压电路,从电阻上分得的电压分别加到U15(TL084)的三个运放组成的射极跟随器的同向输入端,在各自的输出端得到跟输入端相同的电压(输出电压的驱动能力得到加强)。U13(LM339)是4个比较器芯片,因为是集电集开路输出形式所以输出端都接有上接电阻,这几组比较器的比较参考电压由Q1(TL431)组成的高精度稳压电路提供调整电位器R9可以调节参考电压的大小,此电路中参考电压是6.74V。
上传时间: 2022-06-26
上传用户:
关键字:12v开关电源+12V、0.5A单片开关稳压电源的电路如图所示。其输出功率为6w.当输入交流电压在 110~260V范围内变化时,电压调整率Svs 1%。当负载电流大幅度变化时,负载调整率Si=5%~7%。为简化电路,这里采用了基本反馈方式。接通电源后,220V交流电首先经过桥式整流和C1滤波,得到约+300V的直流高压,再通过高频变压器的初级线圈 N1,给WS157提供所需的工作电压。从次级线圈 N2上输出的脉宽调制功率信号,经 VD7,C4,L和C5进行高频整流滤波,获得 +12V,0.5A的稳压输出。反馈线圈 N3上的电压则通过 VD6,R2、C3整流滤波后,将控制电流加至控制端 C上。由VD5,R1,和C2构成的吸收回路,能有效抑制漏极上的反向峰值电压。该电路的稳压原理分析如下:当由于某种原因致使Uo4时,反馈线圈电压及控制端电流也随之降低,而芯片内部产生的误差电压 Urt时,PWM比较器输出的脉冲占空比 Dt,经过MOSFET和降压式输出电路使得 Uot,最终能维持输出电压不变。反之亦然。如图所示12v开关电源电路图
标签: 开关电源
上传时间: 2022-06-26
上传用户:
电源是电子设备的重要组成部分,其性能的优劣直接影响着电子设备的稳定性和可靠性,随着电子技术的发展,电子设备的种类越来越多,其对电源的要求也更加灵活多样,因此如何很好的解决系统的电源问题已经成为了系统成败的关键因素。本论文研究选取了BICMOS工艺,具有功耗低、集成度高、驱动能力强等优点.根据电流模式的PWM控制原理,研究设计了一款基于BICMOS工艺的双相DC-DC电源管理芯片。本电源管理芯片自动控制两路单独的转换器工作,两相结构能提供大的输出电流,但是在开关上的功耗却很低。芯片能够精确的调整CPU核心电压,对称不同通道之间的电流。本电源管理芯片单独检测每一通道上的电流,以精确的获得每个通道上的电流信息,从而更好的进行电流对称以及电路的保护。文中对该DC-DC电源管理芯片的主要功能模块,如振荡器电路、锯齿波发生电路、比较器电路、平均电流电路、电流检测电路等进行了设计并给出了仿真验证结果。该芯片只需外接少数元件就可构成一个高性能的双相DC-DC开关电源,可广泛应用于CPU供电系统等。通过应用Hspice软件对该变换器芯片的主要模块电路进行仿真,验证了设计方案和理论分析的可行性和正确性,同时在芯片模块电路设计的基础上,应用0.8umBICMOS工艺设计规则完成了芯片主要模块的版图绘制,编写了DRC.LVS文件并验证了版图的正确性。所设计的基于BICMOS工艺的DC-DC电源管理芯片的均流控制电路达到了预期的要求。
标签: DC-DC电源管理
上传时间: 2022-06-26
上传用户:
简介本应用笔记说明了无传感器无刷直流(Brushless DC,BLDC)电机控制算法,该算法采用dsPIC数字信号控制器(digital signal controller,DSC)实现。该算法对电机每相的反电动势(back-Electromotive Force,back-EMF)进行数字滤波,并基于滤得的反电动势信号来决定何时对电机绕组换相。这种控制技术不需要使用离散式低通滤波硬件和片外比较器。BLDC电机的应用非常广泛。本应用笔记中描述的算法适合于电气RPM范围在40k到100k的BLDC电机。运行于此RPM范围内的一些BLDC电机应用可以是模式化RC电机、风扇、硬盘驱动、气泵以及牙钻等。本应用笔记中描述的算法可在以下两个Microchip开发板平台上实现:·PICDEMTA MCLV开发板·dsPICDEMTM MC1开发板PICDEMTM MC LV 开发板包括一片dsPIC30F3010DSC。上述算法在该器件上得以实现,因为该器件包含在PICDEMTM MCLV开发板中。然而,您也可使用dsPIC30F2010作为替代处理器以节约成本。该板的默认配置包含一个5MHz的晶振。在测试该算法时使用7.37MHz的晶振。PICDEM MCLV开发板上所使用的资源如下:
上传时间: 2022-06-30
上传用户:
本应用笔记介绍一种采用dsPIC数字信号控制器(Digital Signal Controller,DSC)或PIC24单片机来实现无刷直流(Brushless Direct Current,BLDC)电机无传感器控制的算法。该算法利用对反电动势(Back-Electromotive Force,BEMF)进行数字滤波的择多函数来实现。通过对电机的每一相进行滤波来确定电机驱动电压换相的时刻。这一控制技术省却了分立的低通滤波硬件和片外比较器。需指出,这里论述的所有内容及应用软件,都是假定使用三相电机。该电机控制算法包括四个主要部分:·利用DSC或单片机的模数转换器(Analog-to-Digital Converter,ADC)来采样梯形波BEMF信号·PWM导通侧ADC采样,以降低噪声并解决低电感问题·将梯形波BEMF信号与VBUS/2进行比较,以检测过零点·用择多函数滤波器对比较结果信号进行滤波·以三种不同模式对电机驱动电压进行换相:-传统开环控制器·传统闭环控制器比例-积分(Proportional-Integral,Pl)闭环控制器
标签: BLDC
上传时间: 2022-07-01
上传用户:
HC32F003 系列 / HC32F005 系列是 Low Pin Count、宽电压工作范围的 MCU。集成 12 位 1MSPS 高精度 SARADC 以及集成了比较器、多路 UART、SPI、I2C 等丰富的通讯外设,具有高整合度、高抗干扰、高可靠性的特点。本产品内核采用 Cortex-M0+ 内核,配合成熟的 Keil &IAR 调试开发软件,支持 C 语言及汇编语言,汇编指令。Low Pin Count MCU 典型应用⚫ 小家电,充电器,重合闸,遥控器,电子烟,燃气报警器,数显表,温控器,记录仪等行业⚫ 智能交通,智慧城市,智能家居⚫ 火警探头,智能门锁,无线监控等智能传感器应用⚫ 电机驱动
标签: MCU
上传时间: 2022-07-01
上传用户:
信立诚科技主推低成本高性价比HC32F030F8TA-LQFP32可替换STM32F030K6T6,HC32F030F8TA比STM32F030K6T6单片机多集成了硬件除法器、蜂鸣器、电压比较器和低电压检测,独立PWM比STM32F030C8T6更丰富,12 位 1Msps 采样的高速高精度 SARADC,内置运放,可比ST单片机能测量到外部更微弱信号。HC32F030F8TA防静电可达8KV,比ST的防静电能力更强。
标签: MCU
上传时间: 2022-07-01
上传用户:qingfengchizhu
FU6831 是一款集成 8051 内核和电机控制引擎(ME)的电机驱动专用芯片,8051 内核处理常规事务,ME 处理电机实时事务,双核协同工作实现各种高性能电机控制。其中 8051 内核大部分指令周期为 1T 或 2T,芯片内部集成有高速运算放大器、比较器、Pre-driver、高速 ADC、高速乘/除法器、CRC、SPI、I2C、UART、多种 TIMER、PWM 等功能,内置高压 LDO,适用于 BLDC/PMSM 电机的方波、SVPWM/SPWM、FOC 驱动控制。预驱动为 3P3N Predriver 输出。
标签: fu6831
上传时间: 2022-07-09
上传用户:
FU6831/11 是一款集成 8051 内核和电机控制引擎(ME)的电机驱动专用芯片,8051 内核处理常规事务,ME 处理电机实时事务,双核协同工作实现各种高性能电机控制。其中 8051 内核大部分指令周期为 1T 或 2T,芯片内部集成有高速运算放大器、比较器、Pre-driver(FU6811 除外)、高速 ADC、高速乘/除法器、CRC、SPI、I2C、UART、多种 TIMER、PWM 等功能,内置高压 LDO,适用于BLDC/PMSM 电机的方波、SVPWM/SPWM、FOC 驱动控制。预驱动类型为:FU6811 为 Gate Driver 输出;FU6831 为 3P3N Predriver 输出。
标签: FU6831
上传时间: 2022-07-09
上传用户:
PMS15A/PMS150C 是一个 IO 类型、完全静态,以 OTP 为程序存储基础的单片机。它运用 RISC 的架构基础使大部分的指令执行时间都是一个指令周期,只有少部分指令是需要两个指令周期。内部最多达 0.5KW/1KW OTP 程序内存以及 64 字节数据存储器;另外,PMS15A/PMS150C 还提供一个 16位的硬件计数器、一个 8 位的硬件 PWM 生成器和一个通用比较器。OTP(一次性可编程)程序内存用来存放要执行的程序指令。OTP 程序内存可以储存数据,包含:数据,表格和中断入口。复位之后,FPP0 的初始地址为 0x000。中断入口是 0X010;OTP 程序内存最后 16 个地址空间是被保留给系统使用,如:校验,序列号等。PMS15A/PMS150C 的 OTP 程序内存容量为 0.5KW/1KW,如表 1 所示。OTP 内存从地址“0x3F0 to 0x3FF”供系统使用,从“0x001~0x00F”和“0x011~0x3EF”地址空间是用户的程序空间。
标签: 单片机
上传时间: 2022-07-10
上传用户:aben