CS4398的DAC原理图
上传时间： 2013-10-24
上传用户：zoudejile
为了使设计的多输出组合逻辑电路达到最简，运用复合卡诺图化简多输出函数，找出其各项的公共项，得到的表达式不一定是最简的，但是通过找公共项，使电路中尽量使用共用的逻辑门，从而减少电路整体的逻辑门，使电路简单。结果表明，利用复合卡诺图化简后设计出的电路更为简单。
上传时间： 2013-12-23
上传用户：xzt
dac0832引脚图电路及程序
上传时间： 2013-11-03
上传用户：zhangxin
贴片元件封装尺寸图
上传时间： 2013-10-25
上传用户：dave520l
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？ 对于常规VDMOS，反向耐压，主要靠的是N型EPI与body区界面的PN结，对于一个PN结，耐压时主要靠的是耗尽区承受，耗尽区内的电场大小、耗尽区扩展的宽度的面积，也就是下图中的浅绿色部分，就是承受电压的大小。常规VDMOS，P body浓度要大于N EPI， PN结耗尽区主要向低参杂一侧扩散，所以此结构下，P body区域一侧，耗尽区扩展很小，基本对承压没有多大贡献，承压主要是P body－－N EPI在N型的一侧区域，这个区域的电场强度是逐渐变化的，越是靠近PN结面（a图的A结），电场强度E越大。所以形成的浅绿色面积有呈现梯形。
上传时间： 2013-11-11
上传用户：小眼睛LSL
电气原理图介绍2电气原理图介绍2
标签： 电气原理图
上传时间： 2013-10-25
上传用户：zhuimenghuadie
提供一份MP4的电路原理图，交流
上传时间： 2013-12-16
上传用户：micheal158235
本文的目的在于，介绍如何计算具有狭窄气隙的圆形转子电机中的绕组感应。我们仅处理理想化的气隙磁场，不考虑槽、外部周边或倾斜电抗。但我们将考察绕组磁动势（MMF）的空间谐频。 在图1中，给出了12槽定子的轴截面示意图。实际上，所显示的是薄钢片的形状，或用于构成磁路的层片。铁芯由薄片构成，以控制涡流电流损耗。厚度将根据工作频率而变，在60Hz的电机中（大体积电机，工业用）层片的厚度典型为.014”（.355毫米）。它们堆叠在一起，以构成具有恰当长度的磁路。绕组位于该结构的槽内。 在图1中，给出了带有齿结构的梯形槽，在大部分长度方向上具有近乎均匀的截面，靠近气隙处较宽。齿端与相对狭窄的槽凹陷区域结合在一起，通过改善气隙场的均匀性、增加气隙磁导、将绕组保持在槽中，有助于控制很多电机转子中的寄生损耗。请注意，对于具有名为“形式缠绕”线圈的大型电机，它具有直边矩形槽，以及非均匀截面齿。下面的介绍针对两类电机。
上传时间： 2013-10-13
上传用户：我干你啊
PADS Logic_Layout原理图与电路板设计
标签： Logic_Layout PADS 原理图 电路板设计
上传时间： 2014-12-24
上传用户：sunjet
Altium_Designer原理图和PCB设计
标签： Altium_Designer PCB 原理图 讲义
上传时间： 2013-10-09
上传用户：qq1604324866
