TLV5616 12 位 3微秒 DAC 串行输入可编程设置时间 功耗
上传时间： 2013-11-02
上传用户：xinyuzhiqiwuwu
CS5361 是CRYSTAL 公司推出的192kHz 采样率、多位( 24 位) 音频
上传时间： 2013-11-07
上传用户：xauthu
本文结合研究所科研项目需要，基于16 位高速ADC 芯片LTC2204，设计了一种满足课题要求的高速度高性能的16 位模数转换板卡方案。该方案中的输入电路和时钟电路采用差分结构，输出电路采用锁存器隔离结构，电源电路采用了较好的去耦措施，并且注重了板卡接地设计，使其具有抗噪声干扰能力强、动态性能好、易实现的特点。
上传时间： 2013-11-10
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本文设计数字式液位测量仪,采用双差压法对液位进行测量,有效地克服了液体密度变化对液位测量结果的影响,提高液位测量的精度。本设计的液位测量仪还能直接显示液位高度的厘米数。关键词:双差压法 液位测量仪 普通差压法测量液位, 精度无法保证。本文提出双差压法的改进方案,以克服液体密度变化对液位测量结果的影响,提高液位测量的精度。 双差压法液位测量原理普通差压法测量液位的原理:只有在液体密度ρ恒定不变的条件下,差压△ P 才与液位高度H 呈线性正比关系,才可通过测量差压△P 间接地获取液位H 值。但液体密度ρ是液体组份和温度的多元函数。当液体组份和温度变化导致密度ρ改变时,即使液位高度H 没有变化,也将使差压信号△ P 改变,此时若还按原先的液体密度ρ从差压信号△ P 计算出液位H,显然将导致测量误差, 严重时会造成操作人员的错误判断。为此,本文提出采用两个差压传感器,如图1。其中差压传感器1 用于测量未知液位高度H 产生的差压,即密闭容器底部和液面上方的压力差:
上传时间： 2013-11-21
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为了缩短加法电路运行时间，提高FPGA运行效率，利用选择进位算法和差额分组算法用硬件电路实现32位加法器，差额分组中的加法单元是利用一种改进的超前进位算法实现，选择进位算法可使不同的分组单元并行运算，利用低位的运算结果选择高位的进位为1或者进位为零的运算结果，节省了进位选择等待的时间，最后利用XILINX进行时序仿真，在FPGA上进行验证，可稳定运行在高达50兆的频率，理论分析与计算机仿真表明该算法切实可行、有效并且易于实现。
上传时间： 2013-12-19
上传用户：jshailingzzh
8位加法器和减法器设计实习报告
上传时间： 2013-10-22
上传用户：sjyy1001
十六位模数转换器AD7705+及其应用
上传时间： 2013-10-12
上传用户：refent
Hyperlynx仿真应用:阻抗匹配.下面以一个电路设计为例，简单介绍一下PCB仿真软件在设计中的使用。下面是一个DSP硬件电路部分元件位置关系(原理图和PCB使用PROTEL99SE设计)，其中DRAM作为DSP的扩展Memory(64位宽度，低8bit还经过3245接到FLASH和其它芯片)，DRAM时钟频率133M。因为频率较高，设计过程中我们需要考虑DRAM的数据、地址和控制线是否需加串阻。下面，我们以数据线D0仿真为例看是否需要加串阻。模型建立首先需要在元件公司网站下载各器件IBIS模型。然后打开Hyperlynx,新建LineSim File(线路仿真—主要用于PCB前仿真验证)新建好的线路仿真文件里可以看到一些虚线勾出的传输线、芯片脚、始端串阻和上下拉终端匹配电阻等。下面，我们开始导入主芯片DSP的数据线D0脚模型。左键点芯片管脚处的标志，出现未知管脚，然后再按下图的红线所示线路选取芯片IBIS模型中的对应管脚。 3http://bbs.elecfans.com/ 电子技术论坛 http://www.elecfans.com 电子发烧友点OK后退到“ASSIGN Models”界面。选管脚为“Output”类型。这样，一样管脚的配置就完成了。同样将DRAM的数据线对应管脚和3245的对应管脚IBIS模型加上(DSP输出，3245高阻，DRAM输入)。下面我们开始建立传输线模型。左键点DSP芯片脚相连的传输线，增添传输线，然后右键编辑属性。因为我们使用四层板，在表层走线，所以要选用“Microstrip”，然后点“Value”进行属性编辑。这里，我们要编辑一些PCB的属性，布线长度、宽度和层间距等，属性编辑界面如下：再将其它传输线也添加上。这就是没有加阻抗匹配的仿真模型(PCB最远直线间距1.4inch，对线长为1.7inch)。现在模型就建立好了。仿真及分析下面我们就要为各点加示波器探头了，按照下图红线所示路径为各测试点增加探头：为发现更多的信息，我们使用眼图观察。因为时钟是133M，数据单沿采样，数据翻转最高频率为66.7M，对应位宽为7.58ns。所以设置参数如下：之后按照芯片手册制作眼图模板。因为我们最关心的是接收端(DRAM)信号，所以模板也按照DRAM芯片HY57V283220手册的输入需求设计。芯片手册中要求输入高电平VIH高于2.0V，输入低电平VIL低于0.8V。DRAM芯片的一个NOTE里指出，芯片可以承受最高5.6V，最低-2.0V信号(不长于3ns)：按下边红线路径配置眼图模板：低8位数据线没有串阻可以满足设计要求，而其他的56位都是一对一，经过仿真没有串阻也能通过。于是数据线不加串阻可以满足设计要求，但有一点需注意，就是写数据时因为存在回冲，DRAM接收高电平在位中间会回冲到2V。因此会导致电平判决裕量较小，抗干扰能力差一些，如果调试过程中发现写RAM会出错，还需要改版加串阻。
上传时间： 2013-11-05
上传用户：dudu121
针对模块电源的发展趋势和有源钳位电路的工作原理，研究了一种采用磁放大技术和固定伏特秒控制技术的有源钳位正激软开关电路，并对该电路的工作过程进行了详细的理论分析。在此基础上，设计了一款25 W的电源样机。经过测试，验证了该理论分析的正确性，在整个负载范围内完全实现了主开关管和钳位开关管的软开关变换，软开关实现的条件不依赖于变压器的参数。在采用肖特基二极管整流的情况下，满载输出的转换效率在89%以上。
上传时间： 2013-11-04
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C2000™ MCU 系列采用了 32 位架构、先进的外围电路和模拟集成，可在多种应用中实现完美的性能和实时控制。独特且功能齐全的外围电路包括一个无以伦比的单片 12.5-MSPS ADC、高分辨率 PWM、增强型捕获单元等等。根据对系统的限制，如最低的待机电流、成本要求或最小的解决方案尺寸需求，TI 提供最佳的产品为使用 C2000 MCU 的系统提供支持。
上传时间： 2013-10-27
上传用户：yepeng139
