主要介绍场效应管H参数的模型
上传时间: 2014-01-09
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本文介绍了O P207 双极运算放大器的60CoC射线、不同能量电子和质子的辐照试验以及60CoC和电子辐射损伤在室温和100℃高温条件下的退火效应, 揭示了双极运算放大器电参数对不同射线的辐照响应规律; 研究了不同辐射源对双极运算放大器的不同辐射损伤机理; 并对质子辐照损伤程度与能量的依赖关系以及质子辐照损伤同60CoC和电子辐照损伤的差异进了探讨. 结果表明, 界面态的产生是60CoC和电子辐照损伤的主要原因, 而位移效应造成的体损伤在质子辐照效应中占有重要地位.
上传时间: 2013-11-12
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2SJ系列场效应管参数大全:
上传时间: 2013-11-24
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闩锁效应是指CMOS器件所固有的寄生双极晶体管被触发导通,在电源和地之间存在一个低阻通路,大电流,导致电路无法正常工作,甚至烧毁电路
上传时间: 2013-10-20
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场效应晶体管放大电路的动态分析 共源组态基本放大电路的动态分析 共漏组态基本放大电路的动态分析
上传时间: 2013-10-30
上传用户:dianxin61
随着系统设计复杂性和集成度的大规模提高,电子系统设计师们正在从事100MHZ以上的电路设计,总线的工作频率也已经达到或者超过50MHZ,有一大部分甚至超过100MHZ。目前约80% 的设计的时钟频率超过50MHz,将近50% 以上的设计主频超过120MHz,有20%甚至超过500M。当系统工作在50MHz时,将产生传输线效应和信号的完整性问题;而当系统时钟达到120MHz时,除非使用高速电路设计知识,否则基于传统方法设计的PCB将无法工作。因此,高速电路信号质量仿真已经成为电子系统设计师必须采取的设计手段。只有通过高速电路仿真和先进的物理设计软件,才能实现设计过程的可控性。传输线效应基于上述定义的传输线模型,归纳起来,传输线会对整个电路设计带来以下效应。 · 反射信号Reflected signals · 延时和时序错误Delay & Timing errors · 过冲(上冲/下冲)Overshoot/Undershoot · 串扰Induced Noise (or crosstalk) · 电磁辐射EMI radiation
上传时间: 2013-11-16
上传用户:lx9076
交流电流的趋肤效应及其对载流导线损耗的影响,设计时可以进行参考,很好很实用的资料!
上传时间: 2013-11-12
上传用户:思琦琦
场效应管的开关电路在电源技术中应用较多
上传时间: 2013-11-08
上传用户:ommshaggar
5000种场效应管速查
上传时间: 2013-11-06
上传用户:wqxstar
这里本站向大家介绍的逆变器(见图1)主要由MOS场效应管,普通电源变压器构成。它的输出功率取决于MOS场效应管和电源变压器的功率,免除了烦琐的变压器绕制,适合电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该变压器的工作原理及制作过程。
上传时间: 2013-11-08
上传用户:农药锋6