贴片电容分类介绍
上传时间： 2014-12-23
上传用户：PresidentHuang
VISHAY ESTA功率电容选型指导.
上传时间： 2013-10-22
上传用户：dddddd
X电容是指跨于L-N之间的电容器， Y电容是指跨于L-G/N-G之间的电容器。(L=Line, N=Neutral, G=Ground).
标签： 电容
上传时间： 2014-12-23
上传用户：haohao
使用ISE-TCAD二维器件仿真软件,对SiCOI MESFET的电学特性进行模拟分析。结果表明,通过调整器件结构参数,例如门极栅长、有源层掺杂浓度、有源区厚度等,对器件转移特性、输出特性有较大影响。
上传时间： 2013-10-23
上传用户：PresidentHuang
利用Multisim 10仿真软件对共射极放大电路进行了计算机辅助设计和仿真。运用直流工作点对静态工作点进行了分析和设定；利用波特图示仪分析了电路的频率特性；对电压增益、输入电阻和输出电阻进行了仿真测试，测试结果和理论计算值基本一致。研究表明，Multisim 10仿真软件具有强大的设计和仿真分析功能，可以缩短设计周期，保障操作安全，方便调试、节省成本和提高设计质量等。
上传时间： 2014-12-23
上传用户：dianxin61
本文介绍了O P207 双极运算放大器的60CoC射线、不同能量电子和质子的辐照试验以及60CoC和电子辐射损伤在室温和100℃高温条件下的退火效应, 揭示了双极运算放大器电参数对不同射线的辐照响应规律; 研究了不同辐射源对双极运算放大器的不同辐射损伤机理; 并对质子辐照损伤程度与能量的依赖关系以及质子辐照损伤同60CoC和电子辐照损伤的差异进了探讨. 结果表明, 界面态的产生是60CoC和电子辐照损伤的主要原因, 而位移效应造成的体损伤在质子辐照效应中占有重要地位.
上传时间： 2013-11-12
上传用户：gououo
基于0．25gm PHEMT工艺，给出了两个高增益K 波段低噪声放大器．放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构，通过前级源极反馈电感的恰当选取获得较高的增益和较低的噪声；采用直流偏置上加阻容网络，用来消除低频增益和振荡；三级电路通过电阻共用一组正负电源，使用方便，且电路性能较好，输入输出驻波比小于2．0；功率增益达24dB；噪声系数小于3．5dB．两个放大器都有较高的动态范围和较小的面积，放大器ldB压缩点输出功率大于15dBm；芯片尺寸为1mm×2mm×0．1mm．该放大器可以应用在24GHz汽车雷达前端和26．5GHz本地多点通信系统中．
上传时间： 2014-12-23
上传用户：masochism
设计一种压控电压源型二阶有源低通滤波电路,并利用Multisim10仿真软件对电路的频率特性、特征参量等进行了仿真分析,仿真结果与理论设计一致,为有源滤波器的电路设计提供了EDA手段和依据。
上传时间： 2013-11-12
上传用户：名爵少年
通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻数值。电阻数值越大，作速度越低。管子的开关时间越长，门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称“速度-功耗积”，做为器件性能的一个重要指标，其值越小，表明器件的性能越 好（一般约为几十皮（10-12）焦耳）。与TTL门电路的情况不同，影响CMOS电路工作速度的主要因素在于电路的外部，即负载电容CL。CL是主要影响器件工作速度的原因。由CL所决定的影响CMOS门的传输延时约为几十纳秒。
上传时间： 2013-11-22
上传用户：DE2542
1、半导体材料制作电子器件与传统的真空电子器件相比有什么特点? 答：频率特性好、体积小、功耗小，便于电路的集成化产品的袖珍化，此外在坚固抗震可靠等方面也特别突出；但是在失真度和稳定性等方面不及真空器件。 2、什么是本征半导体和杂质半导体？ 答：纯净的半导体就是本征半导体，在元素周期表中它们一般都是中价元素。在本征半导体中按极小的比例掺入高一价或低一价的杂质元素之后便获得杂质半导体。
上传时间： 2014-12-23
上传用户：lilei900512
