电机学课件华中科技大学，需要自取，内容十分详细在轴（或滑轮，只能轴向转动，不可改变其在整个系统中的相对位置）最低点所在水平面的下方任意位置设计一个检测单摆周期的传感器，手动拉开单摆，单摆摆幅<15°。制作一个数显装置，能动态显示单摆周期，显示分辨率0.01秒，并能显示计算连续测5次周期值和5次周期最大偏值。（2）系统电机数目不限，通过收放柔性线控制单摆长度来改变单摆周期。单摆目标摆动周期可用键盘设定并显示，设定范围为0.5T~2T(T为系统摆球初始摆角为15°的周期)，控制误差范围为设定值10%。（3）从确认改变设定值起到单摆到达目标周期，并基本稳定（连续测5次周期最大偏差不得超过0.10秒），要求调整时间≤1分钟。 2. 发挥部分（1）使单摆由垂直静止状态自动摆动，让单摆摆幅逐渐增大，直到超过30°单片机最小系统板、电机功放、工作电源可用成品，也可自制，必须自备。2．设计报告正文中应包括电路系统总体框图、单摆周期控制原理、主要的测试结果。详细电路原理图、单片机控制程序、测试结果用附件给出。3．题目中所有准确度及分辨率指标必须由测量器件及测量方法、原理所保证，报告中需要有理论计算。为了方便测试，最好带有目测摆球角度的刻度盘等装置
上传时间： 2021-11-07
上传用户：默默
无线充电设计攻略大合集电池寿命仍是目前移动产品的最大障碍，几乎没有一款智能 手机能够在高强度的使用下坚持一整天，所以我们需要经常为其 充电。显然，随时携带数据线和充电器是非常痛苦的一件事，那 么有没有什么解决方案至少让充电不那么麻烦？无线充电显然 是最具潜力、也最容易实现的。 继苹果可穿戴新品 iwatch 开始采用无线充电技术后，未来， 相信无线充电的风潮会被真正地带动起来，眼下，众多厂商也是 纷纷加码布局，力拓无线充电的市场。 鉴此，电子发烧友网特别策划《一周回顾系列白皮书之无线 充电技术方案》，以期在工程师设计较为常见的无线充电方案中 提供参考价值
标签： 无线充电
上传时间： 2022-02-09
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ARM处理器有两种工作状态ARM和Thumb（Jazelle此处先不考虑）。这两种工作状态和运行模式没有任何关系。比如不论是ARM还是Thumb状态的代码都可以运行在用户模式下。这两种工作状态之间最大的差异是指令集，ARM状态的指令长度是32位的，Thumb状态的指令长度是16位的（也可能为32位）。了解如何使用Thumb工作状态对于编写ARM平台的漏洞利用是至关重要的。当我们编写ARM shellcode时，需要使用16 bit的Thumb指令代替32 bit的ARM指令，从而避免在指令中出现’\0’截断。容易引起混淆的是，不同的ARM版本，支持的Thumb指令集并不相同。在某些版本中，ARM引入了扩展的Thumb指令集（也就是Thumb-2），它支持32 bit指令以及条件执行。这在原本的Thumb指令中都是不受支持的。为了在Thumb状态下支持条件执行，“it”指令被引入。然而，可能是为了简化指令集，这个指令在后来的版本中被删除了。我认为这种设计反而增加了兼容的复杂度。不过，当然我认为没必要知道所有ARM版本的ARM/Thumb指令集变体，我建议你也不必在这上面浪费太多时间。你只需要知道目标设备的版本和该版本对Thumb指令有哪些特殊支持，然后调整你的代码就好了。ARM Infocenter可以帮助你了解各个ARM版本的具体细节
上传时间： 2022-02-10
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ContentsMIPI是什么？o D-PHY物理层特点•МIРI 的数据传送oDSI&CSI应用MIPI：手机产业处理界面MIPI协议是手机行业的领导者倡导一个开放的移动接口标准MIPI Spec：DCS-显示命令接口DBI-显示总线接口DPI-显示像素接口DSI一显示串行接口CSI一显示摄像接口D-PHY物理层MIPI特点低功耗模式·动态调整到低功耗模式、高速传送模式和低信号摆幅模式。高速模式每通道可以传送500-1000Mbps低成本物理层EMI（抗辐射）数据包报头（4 bytes）数据标识符（DI*1byte：包含虚拟数据通道[7：6]和数据类型[5：0].，数据包*2byte：要传送的数据，长度固定两个字节。误差校正码（ECC）"1byte：可以把两个位的错误纠正例程数据包报头（4 bytes）数据标识符（Di）*1byte：包含虚拟数据通道[7：6]和数据类型[5：0].字数（WC）*2byte：传送数据的长度，固定为两个字节错误校验码（ECC）*1byte：可以修复两个位的错误有效传送数据（0~65535 bytes）最大字节-2^16.数据包页脚（2 bytes）：校验如果数据包的有效长度为0，那么校验位为FFFFh如果校验码不能计算，那么校验码的值为0000h数据包的长度：e4+（0-65535）+2-6~ 65541 bytesSync Event（H Start，H End，v Start，V End），Data Type =xx 0001（x1h）同步事件是两个字的数据包（1个字节的指令和一个字节的校验，因些他们可以精确的表示同步事件的开始和结束.干单个司步开始或同步结束事件的长度和位置在前面的图中有说明。同步事件的定义如下：Data Type= 00 0001（01h）场同步开始Data Type= 01 0001（11h）场同步结束Data Type= 10 0001（21b）行同步开始.Data Type= 11 0001（31h）行同步结束为了尽可能精确的体理一个同步事件，那么开始标识位必须放在第一位，结束标识位必须放在最后一位，行同步也是一样。同步事件的开始和结束应该是成对出现的，假如只有一个同步事件（通常是开始），那么这个数据也是可以传送出去的。
标签： mipi
上传时间： 2022-05-08
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在一般较低性能的三相电压源逆变器中， 各种与电流相关的性能控制， 通过检测直流母线上流入逆变桥的直流电流即可，如变频器中的自动转矩补偿、转差率补偿等。同时， 这一检测结果也可以用来完成对逆变单元中IGBT 实现过流保护等功能。因此在这种逆变器中， 对IGBT 驱动电路的要求相对比较简单， 成本也比较低。这种类型的驱动芯片主要有东芝公司生产的TLP250，夏普公司生产的PC923等等。这里主要针对TLP250 做一介绍。TLP250 包含一个GaAlAs 光发射二极管和一个集成光探测器， 8脚双列封装结构。适合于IGBT 或电力MOSFET 栅极驱动电路。图2为TLP250 的内部结构简图， 表1 给出了其工作时的真值表。TLP250 的典型特征如下：1） 输入阈值电流（ IF） ： 5 mA（ 最大） ；2） 电源电流（ ICC） ： 11 mA（ 最大） ；3） 电源电压（ VCC） ： 10～ 35 V；4） 输出电流（ IO） ： ± 0.5 A（ 最小） ；5） 开关时间（ tPLH /tPHL ） ： 0.5 μ（ s 最 大 ） ；6） 隔离电压： 2500 Vpms（最小）。表2 给出了TLP250 的开关特性，表3 给出了TLP250 的推荐工作条件。注： 使 用 TLP250 时 应 在 管 脚 8和 5 间 连 接 一 个 0.1 μ的 F 陶 瓷 电 容 来稳定高增益线性放大器的工作， 提供的旁路作用失效会损坏开关性能， 电容和光耦之间的引线长度不应超过1 cm。图3 和图4 给出了TLP250 的两种典型的应用电路。
标签： igbt
上传时间： 2022-06-20
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最新华为pcb技术规范行温度 110°C130°C150℃MOT（最大运行温度）到UL 746130°C150°C180°C 热阻要求定义：温度： 时间： 气候： 抗热震性 -40°C至+ 85°C老化循环： 100 200 500 1000 -40°C至+ 110°C老化循环： 100 200 500 1000 -40°C至+ 125°C老化循环： 100 200 500 1000老化循环： 特别： 低/高温时间：2小时/ 2小热稳定性， 即焊料电阻（即无铅焊料）波峰焊接<250°C<260°C<270°C<280°C 回流焊接周期：2<250°C<260°C<270°C<280°C 气相焊接<250°C<260°C<270°C最大<280°C 产品应用中的温度温度： 时间： 气候： 机械要求■机械稳定性达到：+ 85°C+ 110°C+ 130°C+ 150°C ■扭曲 <0.5％<0,75％<1,0％■x/y轴的CTE单位[ppm / K] <18 <14 <10 ■z轴的CTE（低于Tg）单位[ppm / K]<70 <50 <30 ■z轴的CTE（高于Tg）单位[ppm / K]<300 <260 <230 ■铜附着力单位[N /mm²]<0,80,8到1,6> 1,6 ■重量单位[kg /dm²]：nd
标签： pcb规范
上传时间： 2022-07-22
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1.STM32F103C8T6 最小系统简介硬件资源：1、STM32F103C8 主芯片一片2、贴片8M 晶振（通过芯片内部PLL 最高达72M）ST 官方标准参数3、LM1117-3.3V 稳压芯片，最大提供800mA 电流4、一路miniUSB 接口，可以给系统版供电，预留USB 通讯功能5、复位按键6、标准JTAG 下载口一个，支持JLink，STLink7、BOOT 选择端口8、IO 扩展排针 20pin x 29、电源指示灯1 个10、功能指示灯一个，用于验证IO 口基本功能11、预留串口下载接口，方便和5V 开发板连接，用串口即可下载程序12、尺寸：64mm X 36.4mm13、高性能爱普生32768Hz 晶振，价格是直插晶振的10 倍价格，易起振14、20K RAM，64K ROM ，TQFP48 封装
上传时间： 2022-07-23
上传用户：kingwide
AD滤波算法函数模块说明： 一、该模块包含滤波算法有：中位值滤波、中位值平均滤波、递推平均滤波、一阶滞后滤波。用户可根据项目不同情况选用不同的滤波算法。1.1、中位值滤波：连续采样N次(N取奇数)，把N次采样值按大小排列，取中间值为本次有效值。适用范围能有效克服因偶然因素引起的波动干扰，对温度、液位的变化缓慢的被测参数有良好的滤波效果。不过对流量、速度等快速变化的参数不宜。1.2、中位值平均滤波：连续采用N个数据，去掉一个最大值和一个最小值，然后计算N-2个数据的算术平均值。适用范围：对应偶然出现的脉冲性干扰，可消除由于脉冲干扰所引起的采样值偏差。但是测量速度较慢, 比较浪费RAM。1.3递推平均滤波：把连续取N个采样值看成一个队列，队列的长度固定为N，每次采样到一个新数据放入队尾，并扔掉原来队首的一次数据，把队列中得N个数据进行算术平均运算，就可以获得新的滤波结果。适用范围：对周期性干扰有良好的抑制作用，平滑度高，适用于高频振荡的系统。缺点是灵敏度低，对偶然出现的脉冲性干扰的抑制作用较差，不易消除由于脉冲干扰所引起的采样值偏差，不适用于脉冲干扰比较严重的场合。1.4、一阶滞后滤波：对周期性干扰具有良好的抑制作用，适用于波动频率较高得场合。缺点就是相位滞后，灵敏度低，滞后程度取决于a的大小，不能消除滤波频率高于采样频率1/2的干扰信号。本次滤波结果result=(1-a)*本次采样值+a*上次值。a=(0~1）
上传时间： 2022-07-28
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华为WCDMA全网解决方案:本章首先介绍WCDMA系统不同版本之间演进过程，使读者对WCDMA制式有总体的认识；接着从具体的网络建设角度出发，介绍了华为WCDMA全网解决方案。 10.1 WCDMA演进概述 10.1.1 标准进展概述 WCDMA技术从出现以来逐渐演进发展为R99/R4/R5/R6等多个阶段，其中R99协议于2000年3月(3GPP官方说法是1999年12月)冻结功能，经过两年时间的完善，协议已经成熟；R4协议于2001年3月冻结功能，协议已经稳定。R5协议于2002年3月 （部分功能6月）冻结功能。R6协议预计在2004年12月左右冻结功能。 图10-1 3G协议的发展趋势 WCDMA系统相对于GSM网络和GPRS网络来说，一个最重要的变化就是无线网络的改变。WCDMA网络中，使用无线接入系统RAN来取代了GSM中的基站子系统BSS。 R99版本的WCDMA核心网从网络形态上来说，可以看作是GSM的核心网络和GPRS的核心网络的组合。也即R99的核心网络分为电路域和分组域。电路域与GSM的核心网构造基本相同，分组域与GPRS的核心网构造基本相同。 R4版本的核心网络相对于R99版本来说，最大的变化就在于R99核心网电路域中MSC网元的功能在R4版本中由MSC Server和MGW来完成。其中MSC Server处理信令，MGW处理话音。分组域没有什么变化。具体可参见第三章系统结构的相关内容。 R4协议的核心网络具有TDM和IP两种组网方式。采用TDM方式组网时，R4网络的网络规划建设与R99网络有不少相近之处。比如在建设汇接网络、信令网络等方面，很多考虑都是相同的。采用IP方式组网的时候，R4的网络规划建设则与R99有了不小的区别。 R5版本的核心网络相对于R4版本来说，多了一个IMS（IP多媒体子系统）域，增加了相应的设备和接口；电路域和分组域的网络结构则没有什么大变化。同时由于网络功能的增强，部分设备功能也进行了升级。
上传时间： 2013-07-24
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电子元器件抗ESD技术讲义:引 言 4 第1 章 电子元器件抗ESD损伤的基础知识 5 1.1 静电和静电放电的定义和特点 5 1.2 对静电认识的发展历史 6 1.3 静电的产生 6 1.3.1 摩擦产生静电 7 1.3.2 感应产生静电 8 1.3.3 静电荷 8 1.3.4 静电势 8 1.3.5 影响静电产生和大小的因素 9 1.4 静电的来源 10 1.4.1 人体静电 10 1.4.2 仪器和设备的静电 11 1.4.3 器件本身的静电 11 1.4.4 其它静电来源 12 1.5 静电放电的三种模式 12 1.5.1 带电人体的放电模式(HBM) 12 1.5.2 带电机器的放电模式（MM） 13 1.5.3 充电器件的放电模型 13 1.6 静电放电失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效机理 15 第2章 制造过程的防静电损伤技术 2.1 静电防护的作用和意义 2.1.1 多数电子元器件是静电敏感器件 2.1.2 静电对电子行业造成的损失很大 2.1.3 国内外企业的状况 2.2 静电对电子产品的损害 2.2.1 静电损害的形式 2.2.2 静电损害的特点 2.2.3 可能产生静电损害的制造过程 2.3 静电防护的目的和总的原则 2.3.1 目的和原则 2.3.2 基本思路和技术途径 2.4 静电防护材料 2.4.1 与静电防护材料有关的基本概念 2.4.2 静电防护材料的主要参数 2.5 静电防护器材 2.5.1 防静电材料的制品 2.5.2 静电消除器（消电器、电中和器或离子平衡器） 2.6 静电防护的具体措施 2.6.1 建立静电安全工作区 2.6.2 包装、运送和存储工程的防静电措施 2.6.3 静电检测 2.6.4 静电防护的管理工作 第3章 抗静电检测及分析技术 3.1 抗静电检测的作用和意义 3.2 静电放电的标准波形 3.3 抗ESD检测标准 3.3.1 电子元器件静电放电灵敏度（ESDS）检测及分类的常用标准 3.3.2 标准试验方法的主要内容（以MIL-STD-883E 方法3015.7为例） 3.4 实际ESD检测的结果统计及分析 3.4.1 试验条件 3.4.2 ESD评价试验结果分析 3.5 关于ESD检测中经常遇到的一些问题 3.6 ESD损伤的失效定位分析技术 3.6.1 端口I－V特性检测 3.6.2 光学显微观察 3.6.3 扫描电镜分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光辐射显微分析技术 3.6.6 分层剥离技术 3.6.7 小结 3.7 ESD和EOS的判别方法讨论 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS对器件损伤的分析判别方法 第4 章 电子元器件抗ESD设计技术 4.1 元器件抗ESD设计基础 4.1.1抗ESD过电流热失效设计基础 4.1.2抗场感应ESD失效设计基础 4.2元器件基本抗ESD保护电路 4.2.1基本抗静电保护电路 4.2.2对抗静电保护电路的基本要求 4.2.3 混合电路抗静电保护电路的考虑 4.2.4防静电保护元器件 4.3 CMOS电路ESD失效模式和机理 4.4 CMOS电路ESD可靠性设计策略 4.4.1 设计保护电路转移ESD大电流。 4.4.2 使输入/输出晶体管自身的ESD阈值达到最大。 4.5 CMOS电路基本ESD保护电路的设计 4.5.1 基本ESD保护电路单元 4.5.2 CMOS电路基本ESD保护电路 4.5.3 ESD设计的辅助工具－TLP测试 4.5.4 CMOS电路ESD保护设计方法 4.5.5 CMOS电路ESD保护电路示例 4.6 工艺控制和管理
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