一无线模块概述关于无线充电的原理和设计方案网上有很多，这里就不再赘述，此处主要记录一下从淘宝上买来的无线模块的测试结果。我从淘宝上买来的无线模块如下：其主要特性如下：输入电压：5~12V最大负载电流：1.3A接收输出电压电流：5V/1.5A，12V/700mA发射线圈尺寸：外径43mm，厚度2.3mm发射模块尺寸：18mm*8.5mm*15mm接收模块尺寸：10mm*25mm*3mm接收线圈尺寸：外径43mm，厚度1.2mm接收最佳距离：3~6mm二芯片资料从网上并没有搜到比较靠谱的芯片资料，唯一有的就是XKT-408和XKT-510的使用手册。准确的说，淘宝上卖的都是XKT系列的无线充电解决方案。发射模块我直接使用了上图中的发射模块，并未做任何更改。这里我主要关心的是接收端芯片：T-3168其规格说明书下载链接：
标签： 无线充电
上传时间： 2022-06-25
上传用户：trh505
POE的系统构成及供电特性参数一个完整的POE系统包括供电端设备（PSE，Power Sourcing Equipment）和受电端设备（PD，Power Device）两部分。PSE设备是为以太网客户端设备供电的设备，同时也是整个POE以太网供电过程的管理者。而PD设备是接受供电的PSE负载，即POE系统的客户端设备，如IP电话、网络安全摄像机、AP及掌上电脑（PDA）或移动电话充电器等许多其他以太网设备（实际上，任何功率不超过13W的设备都可以从RJ45插座获取相应的电力）。两者基于IEEE 802.3af标准建立有关受电端设备PD的连接情况、设备类型、功耗级别等方面的信息联系，并以此为根据PSE通过以太网向PD供电。POE标准供电系统的主要供电特性参数为：1，电压在44~57V之间，典型值为48V.2.允许最大电流为550mA，最大启动电流为500mA3，典型工作电流为10-350mA，超载检测电流为350~500mA.4，在空载条件下，最大需要电流为5mA5，为PD设备提供3.84~12.95W五个等级的电功率请求，最大不超过13w.
标签： poe
上传时间： 2022-06-27
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三极管8050是非常常见的NPN型晶体三极管，在各种放大电路中经常看到它，应用范围很广，主要用于高频放大。也可用作开关电路。类型:开关型;极性:NPN;材料:硅;8050三极管（SOT-23封装）管脚图最大集电极电流(A):0.5 A;直流电增益:10 to 60;功耗:625 mW;最大集电极-发射极电压（VCEO）:25; [1] 特征频率:150 MHzPE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *KMC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHzCS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
上传时间： 2022-07-18
上传用户：jason_vip1
MOSFET栅极应用电路分析汇总.pdf 理解功率-理解功率MOSFET管的电流.pdf 何种应用条件要考虑MOSFET雪崩能量.doc 66KB2019-10-08 11:34 反激式电源中MOSFET的钳位电路.pdf 1.3M2019-10-08 11:34 (核心)MOSFET栅极应用电路分析汇总.pdf 762KB2019-10-08 11:34 MOS管驱动电阻怎么选择.doc 254KB2019-10-08 11:34 采用电压箝位控制实现串联IGBT的动态均压.pdf 868KB2019-10-08 11:34 MOSFET驱动器与MOSFET栅极电荷匹配设计.pdf 理解MOSFET的每个特性参数的分析.pdf 读懂并理解MOSFET的Datasheet.pdf 2M2019-10-08 11:34 功率MOSFET并联驱动特性分析.pdf 592KB2019-10-08 11:34 功率MOSFET的高温特性及其安全工作区分析.pdf 118KB2019-10-08 11:34 MOS管驱动电阻怎么选择.pdf 1009KB2019-10-08 11:34 并联MOSFET的雪崩特性分析.doc 229KB2019-10-08 11:34 MOSFET并联技术 -2019-10-08 11:34 IGBT -2019-10-08 11:34 MOSFET驱动电阻功耗讨论-综合电源技术-世纪电源网社区.pdf 3.8M2019-10-08 11:34 MOS管与三极管的区别作用特性参数.pdf 2.3M2019-10-08 11:34 MOSFET驱动方式详解.pdf 592KB2019-10-08 11:34 (核心)MOSFET开关详细过程.pdf 1.3M2019-10-08 11:34 关于MOSFET驱动电阻值的计算.doc 80KB2019-10-08 11:34 理解功率MOSFET的电流.pdf 1.8M2019-10-08 11:34 IR系列MOS驱动ic中文应用手册.pdf 5.5M2019-10-08 11:34 功率MOSFET和IGBT.pdf 1.5M2019-10-08 11:34 如何确定MOSFET的驱动电阻.pdf 977KB2019-10-08 11:34 张兴柱之MOSFET分析.pdf 1.6M2019-10-08 11:34 MOSFET驱动电路设计参考.pdf 369KB2019-10-08 11:34 MOSFET的雪崩能量与器件的热性能.doc 264KB2019-10-08 11:34 mos管的最大持续电流是如何确定.pdf 929KB2019-10-08 11:34 (核心)功率MOSFET的特性.pdf 3.8M2019-10-08 11:34 MOSFET选型手册(ALPHA&OMEGA).pdf …………
上传时间： 2013-07-01
上传用户：eeworm
//最小二乘法直线拟合 m_FoldList为关键点(x,y)的链表 拟合直线方程(Y=kX+b)
标签： m_FoldList 直线 kX 最小二乘法
上传时间： 2015-04-06
上传用户：as275944189
拉格朗日插值多项式拟合,牛顿插值多项式,欧拉方程解偏微分方程,使用极限微分求解导数（微分）,微分方程组的N=4龙格库塔解法,雅可比爹迭代法解方程AX=B,最小二乘多项式拟合,组合辛普生公式求解积分,用三角分解法解方程AX=B
上传时间： 2015-07-23
上传用户：hongmo
有约束2a+b^2+tan(c)=15 目标函数a*exp(b/x)+c=y 的最小二乘解
上传时间： 2014-12-20
上传用户：heart520beat
在数据加密和数据压缩中常需要对特殊的字符串进行编码。给定的字母表A 由26 个小 写英文字母组成A={a,b,…,z}。该字母表产生的升序字符串是指字符串中字母按照从左到 右出现的次序与字母在字母表中出现的次序相同，且每个字符最多出现1 次。例如， a,b,ab,bc,xyz 等字符串都是升序字符串。对于任意长度不超过6 的升序字符串，迅速计算出它在上述字典中的编码。
上传时间： 2016-05-12
上传用户：邶刖
3.画椭圆ellipse 4.利用ellipse and rectangle 画图 5.一个最优美的图案 6.输入3个数a,b,c，按大小顺序输出 ：输入数组，最大的与第一个元素交换，最小的与最后一个元素交换，输出数组。 7.有n个整数，使其前面各数顺序向后移m个位置，最后m个数变成最前面的m个数
上传时间： 2016-11-16
上传用户：royzhangsz
· 摘要： MATLAB是一种建立在向量、数组、矩阵基础上,面向科学和工程计算的高级语言,为科学研究和工程计算提供了一个方便有效的工具.该文简要介绍了B样条和B样条小波的构成,并利用MATLAB语言编写了绘制任意阶B样条和B样条小波图形的程序.
上传时间： 2013-04-24
上传用户：sqq
