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晶闸管电路

  • Arduino学习笔记A10_Arduino数码管骰子实验

    电路连接 由于数码管品种多样,还有共阴共阳的,下面我们使用一个数码管段码生成器(在文章结尾) 去解决不同数码管的问题: 本例作者利用手头现有的一位不知品牌的共阳数码管:型号D5611 A/B,在Eagle 找了一个 类似的型号SA56-11,引脚功能一样可以直接代换。所以下面电路图使用SA56-11 做引脚说明。 注意: 1. 将数码管的a~g 段,分别接到Arduino 的D0~D6 上面。如果你手上的数码管未知的话,可以通过通电测量它哪个引脚对应哪个字段,然后找出a~g 即可。 2. 分清共阴还是共阳。共阴的话,接220Ω电阻到电源负极;共阳的话,接220Ω电阻到电源+5v。 3. 220Ω电阻视数码管实际工作亮度与手头现有原件而定,不一定需要准确。 4. 按下按钮即停。   源代码 由于我是按照段码生成器默认接法接的,所以不用修改段码生成器了,直接在段码生成器选择共阳极,再按“自动”生成数组就搞定。   下面是源代码,由于偷懒不用写循环,使用了部分AVR 语句。 PORTD 这个是AVR 的端口输出控制语句,8 位对应D7~D0,PORTD=00001001 就是D3 和D0 是高电平。 PORTD = a;就是找出相应的段码输出到D7~D0。 DDRD 这个是AVR 语句中控制引脚作为输出/输入的语句。DDRD = 0xFF;就是D0~D7 全部 作为输出脚了。 ARDUINO CODECOPY /* Arduino 单数码管骰子 Ansifa 2011-12-28 */ //定义段码表,表中十个元素由LED 段码生成器生成,选择了共阳极。 inta[10] = {0xC0, 0xF9, 0xA4, 0xB0, 0x99, 0x92, 0x82, 0xF8, 0x80, 0x90}; voidsetup() { DDRD = 0xFF; //AVR 定义PortD 的低七位全部用作输出使用。即0xFF=B11111111对 应D7~D0 pinMode(12, INPUT); //D12用来做骰子暂停的开关 } voidloop() { for(int i = 0; i < 10; i++) { //将段码输出PortD 的低7位,即Arduino 的引脚D0~D6,这样需要取出PORTD 最高位,即 D7的状态,与段码相加,之后再输出。 PORTD = a[i]; delay(50); //延时50ms while(digitalRead(12)) {} //如果D12引脚高电平,则在此死循环,暂停LED 跑 动 } }      

    标签: Arduino 10 数码管 实验

    上传时间: 2013-10-15

    上传用户:baitouyu

  • 场效应管放大电路_场效应管作用

    场效应管作用

    标签: 场效应管 放大电路

    上传时间: 2013-11-23

    上传用户:qwer0574

  • 数字钟实验电路的设计与仿真

    基于Multisim 10 软件对数字钟电路进行设计和仿真。采用555定时器产生秒时钟信号,用时钟信号驱动计数电路进行计数,将计数结果进行译码,最终在LED数码管上以数字的形式显示时、分、秒时间。

    标签: 数字 实验电路 仿真

    上传时间: 2013-10-31

    上传用户:qoovoop

  • 第5章 放大电路的频率响应

    §5.1 频率响应概述 §5.2 晶体管的高频等效模型 §5.3 场效应管的高频等效模型 §5.4 单管放大电路的频率响应 §5.5 多级放大电路的频率响应 §5.6 集成运放的频率响应和频率补偿 §5.7 频率响应与阶跃响应

    标签: 放大电路 频率响应

    上传时间: 2013-11-12

    上传用户:CHENKAI

  • 第2章 基本放大电路

    §2.1 概述 §2.2 基本共射放大电路的工作原理 §2.3 放大电路的分析方法 §2.4 静态工作点的稳定 §2.5 三种基本接法 §2.6 派生电路 §2.7 场效应管放大电路

    标签: 基本放大电路

    上传时间: 2013-11-17

    上传用户:inwins

  • CMOS工艺多功能数字芯片的输出缓冲电路设计

    为了提高数字集成电路芯片的驱动能力,采用优化比例因子的等比缓冲器链方法,通过Hspice软件仿真和版图设计测试,提出了一种基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工艺的输出缓冲电路设计方案。本文完成了系统的电原理图设计和版图设计,整体电路采用Hspice和CSMC 2P2M 的0.6 μm CMOS工艺的工艺库(06mixddct02v24)仿真,基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工艺完成版图设计,并在一款多功能数字芯片上使用,版图面积为1 mm×1 mm,并参与MPW(多项目晶圆)计划流片,流片测试结果表明,在输出负载很大时,本设计能提供足够的驱动电流,同时延迟时间短、并占用版图面积小。

    标签: CMOS 工艺 多功能 数字芯片

    上传时间: 2013-10-09

    上传用户:小鹏

  • 基于PN结的热电偶补偿电路设计

    分析了几种常用的热电偶冷端补偿方法的优缺点,根据1N4148在恒流条件下其管压降与温度的线性关系设计了一种基于PN结的热电偶冷端补偿电路。该补偿方法具有成本低、精度高、通用性强等优点,该电路可以对不同型号的热电偶进行冷端补偿,同时具有断偶检测功能。

    标签: PN结 热电偶 补偿 电路设计

    上传时间: 2013-10-11

    上传用户:pkkkkp

  • 模拟电路教程

    我也是下别人的,内容涵盖了许多模拟电路的基本知识,如半导体,场效应管,集成运算放大器,低频功率放大电路,等等,很不错的

    标签: 模拟电路教程

    上传时间: 2013-12-21

    上传用户:离殇

  • LDO线性稳压器动态频率补偿电路设计

    摘要:对LDO线性稳压器关键技术进行了分析,重点分析了LDO稳压器的稳定性问题,在此基础上提出了一种新型的动态频率补偿电路,利用MOS管的开关电阻、寄生电容等构成的电阻电容网络,通过采样负载电流而改变MOS开关管的工作点或工作状态,即改变开关电阻、寄生电容的值,从而实现动态的频率补偿。与传统方法相比,该电路大大提高了系统的瞬态响应性能。 关键词:LDo;稳定性;ESR;动态频率补偿

    标签: LDO 线性稳压器 动态 电路设计

    上传时间: 2013-11-14

    上传用户:gtf1207

  • 开关电源中功率MOSFET管损坏模式及分析

    结合功率MOSFET管不同的失效形态,论述了功率MOSFET管分别在过电流和过电压条件下损坏的模式,并说明了产生这样的损坏形态的原因,也分析了功率MOSFET管在关断及开通过程中发生失效形态的差别,从而为失效在关断或在开通过程中发生损坏提供了判断依据。给出了测试过电流和过电压的电路图。同时分析了功率MOSFET管在动态老化测试中慢速开通、在电池保护电路应用中慢速关断及较长时间工作在线性区时损坏的形态。最后,结合实际应用,论述了功率MOSFET通常会产生过电流和过电压二种混合损坏方式损坏机理和过程。

    标签: MOSFET 开关电源 功率

    上传时间: 2013-11-14

    上传用户:dongqiangqiang