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是非 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 2 篇文章,持续更新中。

MOS管驱动基础和时间功耗计算

MOS关模型 <P>Cgs:由源极和沟道区域重叠的电极形成的,其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd:是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠,第二是耗尽区电容(非线性)。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds:也是非线性的电容,它是体二极管的结电容,也是和电压相关的。这些电容都是由Spec上面的Crss,Ciss和Coss决定的。由于Cgd同时在输入和输

反馈电容对VFB和CFB运算放大器的影响

在VFB运算放大器的反馈环路中使用一个电容是非常常见的做法,其目的是影响频率响应,就如在简单的单极点低通滤波器中一样,如下面的图1所示。结果将噪声增益绘制成了一幅波特图,用于分析稳定性和相位裕量<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-130R216125L15.jpg" style="width: 501px; hei