1， LDO稳压芯片电路图，40V宽输入，PW6206和PW6513(SOT23-3/SOT89-3)2， 1.2安培，30V宽输入，DC-DC降压芯片和PCB和BOM，PW23123， 3.0安培，30V宽输入，DC-DC降压芯片和PCB和BOM，PW23304， 5.0安培，30V宽输入，DC-DC降压芯片和PCB和BOM，PW2205
标签： 稳压芯片
上传时间： 2022-01-12
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PUS1000触屏数显压力传感器，有需要的可以参考！
上传时间： 2022-01-21
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无线充电稳压模块TPS63020 AD设计硬件原理图+PCB文件
标签： 无线充电
上传时间： 2022-02-16
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基于AT89C51单片机的等精度数显频率计这是一份非常不错的资料，欢迎下载，希望对您有帮助！
上传时间： 2022-03-07
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1.2V转5V稳压芯片，低功耗电路
标签： 升压芯片
上传时间： 2022-03-18
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7805 7812稳压模块芯片 AD ALTIUM 原理图库文件
标签： 稳压模块 Altium designer
上传时间： 2022-03-29
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TL494制作的400W大功率稳压逆变器电路图
标签： 稳压逆变器
上传时间： 2022-04-03
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永光电子有限公司（873厂），二极管，稳压管，三极管，稳压器等手册资料
上传时间： 2022-06-21
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基于AMS1117的3.3V和5V小型稳压模块
上传时间： 2022-06-24
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整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则电子爱好者经常要用二极管。二极管具有单向导电性， 主要用于整流、稳压和混频等电路中。本文介绍整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则。(一)整流二极管的主要参数1.IF— 最大平均整流电流。指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN 结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值， 并要满足散热条件。例如1N4000 系列二极管的IF 为1A。2.VR — 最大反向工作电压。指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值， 则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏， 从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB) 的一半作为(VR)。例如1N4001 的VR 为50V，1N4007 的VR 为1OOOV.3.IR— 反向电流。指二极管未击穿时反向电流值。温度对IR 的影响很大。例如1N4000 系列二极管在100°C 条件IR 应小于500uA; 在25°C 时IR 应小于5uA 。4.VR — 击穿电压。指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时， 则指给定反向漏电流条件下的电压值。
上传时间： 2022-06-26
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