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难得一见的开漏与推挽IO口原理深度解析,涵盖MOSFET漏极输出结构、驱动特性及实际应用中的关键注意事项,适合嵌入式开发与硬件设计人员参考。

2026-03-06 1 推进量

帮助电力电子开发者快速掌握推挽正激电路设计技巧,通过增加箝位电容提升电路效率与稳定性,适用于开关电源与高频变换器应用。

2026-03-13 3 推进量

推挽式变压器的设计分为AP法和KG法两种设计方法,这两种设计方法都是以几何参数进行设计,主要区别在于,KG法是AP的基础上考虑了电压调整率,即加入电压调整率参数。下面是两种方法设计流程

2021-12-04 9 推进量

这里介绍LMS推导步骤和过程,常用的自适应滤波有自适应噪声抵消,自适应谱线增强和陷波等

2015-12-23 1 推进量