加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2009 年 8 月 31 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出隔离式 RS485 微型模块 (uModule®) 收发器 LTM2881，该器件针对大的地至地差分电压和共模瞬变提供了保护作用。在实际的 RS485系统中，各节点之间的地电位差异很大，常常超出可容许范围，这有可能导致通信中断或收发器受损。LTM2881 运用内部感应信号隔离来对逻辑电平接口和线路收发器实施隔离，以中断接地环路，从而实现了大得多的共模电压范围和 >30kV/μs 的卓越共模抑制性能。一个低 EMI DC-DC 转换器负责向收发器供电，并提供了一个用于给任何外部支持元件供电的 5V 隔离电源输出。凭借 2,500VRMS 的电流隔离、板上辅助电源和一个完全符合标准的 RS485 发送器和接收器，LTM2881 不需要使用外部元件，从而确保了一款适合隔离串行数据通信的完整、小型μModule 解决方案。
上传时间： 2013-10-25
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本文针对6KV中压电网三相平衡负载的无功功率补偿，结合二极管箝位多电平逆变器和H桥级联多电平逆变器的特点，提出了一种能够直接并入电网的新型主从式的逆变器结构：主逆变器采用二极管箝位三电平逆变器，从逆变器采用三个H桥(即全桥)逆变器。主逆变器和H桥逆变器采用级联的形式连接，最后构成一个五电平的混联逆变器。从逆变器负责产生一个方波电压，构成输础正弦电压的基本成分：主逆变器产生输出电压的补偿部分以及负责消除低次谐波。对于主逆变器直流侧电容电压的平衡问题，本文提出了一种采用硬件电路平衡的方法，从而降低了PWM调制时控制方法的复杂性。因为集成门极换相晶闸管(IGCT)这种新型电力电子器件具有开关频率高、无缓冲电路、耐压高等优点，主电路选用IGCT作为开关器件。本文详细分析了用于STATCOM的主从型逆变器电路结构，同时给出了电路参数的确定方法，并对STATCOM逆变器输出电压的谐波进行了理论分析。根据本文提出的主从型逆交器结构特点，建立了基于瞬时无功理论的STATCOM系统动态控制模型，并给出了一种解藕反馈控制方法。最后通过仿真结果证明了所提出的这种主从型逆变器STA’rC0^I结构在消除谐波方面的优越性。
上传时间： 2013-10-31
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D31XX系列在线式UPS是针对金融系统、邮电系统、电力系统、智能大厦、无人值守工作站而精心设计的新一代智型UPS，以满系统对供电电源高质量、高可靠性的要求。
上传时间： 2013-11-06
上传用户：如果你也听说
前言城市中低压配电网是电力系统的重要组成部分，是城市建设的重要基础设施。为满足城市建设、经济发展和人民生活用电的需要，指导全国城市中低压配电网改造工作，使之达到安全可靠、技术先进、经济合理的要求，根据原能源部司局电供［1991］131号文和原能源部电力司提出的《关于加强城市中低压配电网改造的若干意见》，由全国电力系统城市供电专业工作网负责，在广泛征求意见的基础上，总结了北京、上海、长沙、南京、沈阳、广州、武汉、福州、重庆、昆明、乌鲁木齐、辽阳、包头供电局(电业局)城市中低压配电网改造方面的经验，由北京供电局具体起草了本技术导则。本标准由电力工业部安全监察及生产协调司提出并归口。本标准由全国电力系统城市供电专业工作网、北京供电局起草。本标准主要起草人：宁岐、陈光华、关诚、伍秋熹、牛益民。
上传时间： 2013-10-28
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内嵌式电源系列产品目录
上传时间： 2013-10-20
上传用户：caixiaoxu26
了解高压变频系统共模电压及其特点,对整个变频系统的设计具有重要意义。文中较详细地分析了级联型多电平高压变频系统共模电压的产生机理,对两种电压胞脉宽调制(PWM) 方法引起的共模电压进行了比较,提出了采用电压胞异相调制和3 次谐波注入法减小变频系统共模电压的策略。仿真计算表明,该方法既能减小变频系统输出共模电压,又不致降低直流电压利用率。
上传时间： 2013-11-23
上传用户：nairui21
基于串联潴振电路结构。同定导通时间、变频控制以及零电流切换的技术 ，为激光器高压储能电容设计了20kV／50mA的恒流充电电源。对随着充电电 增高，谐振频率漂移引起的开关非零切换问题，设汁了零电流同步开天探测控制电路。充电电压和充电电流的大小}I1微处理器控制。前者正比丁充电电流脉冲的总个数，后者则正比于开关工作频率。
上传时间： 2013-10-10
上传用户：lizhen9880
特点：1．标准卡轨式安装方式，使用方便、外形美观；2．结构紧凑、坚固、抗振、防潮、阻燃、抗电强度高；3．输入输出为端子式，使用灵活、方便。
上传时间： 2013-11-06
上传用户：aa54
在DCM状态下选择：Uin－电源输入直流电压Uinmin－电源输入直流电压最小值D－占空比Np－初级绕组匝数Lp－初级绕组电感量Ae－磁芯有效面积Ip－初级峰值电流f－开关频率Ton－开关管导通时间I－初级绕组电流有效值η－开关电源效率J－电流密度
上传时间： 2013-12-16
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同步整流技术简单介绍大家都知道，对于开关电源，在次级必然要有一个整流输出的过程。作为整流电路的主要元件，通常用的是整流二极管（利用它的单向导电特性），它可以理解为一种被动式器件：只要有足够的正向电压它就开通，而不需要另外的控制电路。但其导通压降较高，快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）可达1.0～1.2V，即使采用低压降的肖特基二极管（SBD），也会产生大约0.6V的压降。这个压降完全是做的无用功，并且整流二极管是一种固定压降的器件，举个例子：如有一个管子压降为0.7V，其整流为12V时它的前端要等效12.7V电压，损耗占0.7/12.7≈5.5%.而当其为3.3V整流时，损耗为0.7/4（3.3+0.7）≈17.5%。可见此类器件在低压大电流的工作环境下其损耗是何等地惊人。这就导致电源效率降低，损耗产生的热能导致整流管进而开关电源的温度上升、机箱温度上升--------有时系统运行不稳定、电脑硬件使用寿命急剧缩短都是拜这个高温所赐。随着电脑硬件技术的飞速发展，如GeForce 8800GTX显卡，其12V峰值电流为16.2A。所以必须制造能提供更大输出电流（如多核F1，四路12V，每路16A；3.3V和5V输出电流各高达24A）的电源转换器。而当前世界的能源紧张问题的凸现，为广大用户提供更高转换效率（如多核R80，完全符合80PLUS标准）的电源转换器就是我们整个开关电源行业的不可回避的社会责任了。如何解决这些问题？寻找更好的整流方式、整流器件。同步整流技术和通态电阻（几毫欧到十几毫欧）极低的专用功率MOSFET就是在这个时刻走上开关电源技术发展的历史舞台了！作为取代整流二极管以降低整流损耗的一种新器件，功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。因为用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。它可以理解为一种主动式器件，必须要在其控制极（栅极）有一定电压才能允许电流通过，这种复杂的控制要求得到的回报就是极小的电流损耗。在实际应用中，一般在通过20-30A电流时才有0.2-0.3V的压降损耗。因为其压降等于电流与通态电阻的乘积，故小电流时，其压降和恒定压降的肖特基不同，电流越小压降越低。这个特性对于改善轻载效率（20%）尤为有效。这在80PLUS产品上已成为一种基本的解决方案了。对于以上提到的两种整流方案，我们可以通过灌溉农田来理解：肖特基整流管可以看成一条建在泥土上没有铺水泥的灌溉用的水道，从源头下来的水源在中途渗漏了很多，十方水可能只有七、八方到了农田里面。而同步整流技术就如同一条镶嵌了光滑瓷砖的引水通道，除了一点点被太阳晒掉的损失外，十方水能有9.5方以上的水真正用于浇灌那些我们日日赖以生存的粮食。我们的多核F1，多核R80，其3.3V整流电路采用了通态电阻仅为0.004欧的功率MOSFET，在通过24A峰值电流时压降仅为20*0.004=0.08V。如一般PC正常工作时的3.3V电流为10A，则其压降损耗仅为10*0.004=0.04V，损耗比例为0.04/4=1%，比之于传统肖特基加磁放大整流技术17.5%的损耗，其技术的进步已不仅仅是一个量的变化，而可以说是有了一个质的飞跃了。也可以说，我们为用户修建了一条严丝合缝的灌溉电脑配件的供电渠道。
标签： 同步整流
上传时间： 2013-10-27
上传用户：杏帘在望
