反激变换器的变压器学习
对反激变压器漏感的一些认识_漏感与气隙的大小关系不大。耦合系数随着气隙的增大而下降。气隙增大会引起效率降低是因为Ipk的增大,漏感能量增大。气隙增大会引起绕组损耗增大是因为气隙扩散损耗的增大。 ...
对反激变压器漏感的一些认识_漏感与气隙的大小关系不大。耦合系数随着气隙的增大而下降。气隙增大会引起效率降低是因为Ipk的增大,漏感能量增大。气隙增大会引起绕组损耗增大是因为气隙扩散损耗的增大。 ...
摘要:从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发,对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较深入分析。从实际应用的角度,对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究,提出了有关参数的计算方法,并对多种因素对开关特性的影响效果进行了实验研究,所得出的结论对于功率MOSFE...
讯号路径设计讲座(9)针对高速应用的电流回授运算放大器电流回授运算放大器架构已成为各类应用的主要解决方案。该放大器架构具有很多优势,并且几乎可实施于任何需要运算放大器的应用当中。电流回授放大器没有基本的增益频宽产品的局限,随着讯号振幅的增加,而频宽损耗依然很小就证明了这一点。由于大讯号具有极小的失真...
本文的目的在于,介绍如何计算具有狭窄气隙的圆形转子电机中的绕组感应。我们仅处理理想化的气隙磁场,不考虑槽、外部周边或倾斜电抗。但我们将考察绕组磁动势(MMF)的空间谐频。 在图1中,给出了12槽定子的轴截面示意图。实际上,所显示的是薄钢片的形状,或用于构成磁路的层片。铁芯由薄片构成,以控制涡流电流损...
由于电磁兼容的迫切要求,电磁干扰(EMI)抑制元件获得了广泛的应用。然而实际应用中的电磁兼容问题十分复杂,单单依靠理论知识是完全不够的,它更依赖于广大电子工程师的实际经验。为了更好地解决电子产品的电磁兼容性这一问题,还要考虑接地、 电路与PCB板设计、电缆设计、屏蔽设计等问题[1][2]。本文通过介...