MOSFET开关损耗分析
为了有效解决金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题,通过对MOSFET 栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖,定位了MOSFET 开关损耗的来源,进而为缓启动电路设计...
损耗分析是电子设计中不可或缺的一环,专注于评估电路、组件及系统在运行过程中能量的损失情况。通过深入研究热效应、电磁场分布等关键因素,损耗分析帮助工程师优化产品性能,延长使用寿命,并提高能效比。广泛应用于电源管理、无线通信、汽车电子等领域。掌握损耗分析技术不仅能够提升个人专业技能,还能为企业创造更多价...
为了有效解决金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题,通过对MOSFET 栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖,定位了MOSFET 开关损耗的来源,进而为缓启动电路设计...
双管籍位正激变换器是一种常用的电路拓朴。本文详尽地分析了一种双管籍位正激变换器的无源无损耗缓冲电路的工作原理及工作过程,指出正确选择缓冲电路的参数的理论依据
提出了共模插入损耗和差模插入损耗的计算方法,推导了滤波器插入损耗与阻抗关系的表达式,并且对这一关系作了仿真分析,仿真结果验证了理论计算和分析的正确性。
变频器中DC link电容的损耗分析,外国资料,讲解详细深入,Analysis_of_DC-Link_Capacitor_Losses_in_inverter.pdf
为设计高性能、低损耗的电机,需要准确地分析电机铁耗。本文从铁磁材料的磁化特点出发,以分离铁耗模型为基础,对交变磁化以及旋转磁化条件下铁磁材料和电机的铁耗进行分析和计算,分别从理论和实践角度着重就电机铁耗计算和测量中的一些相关问题作了深入研究...