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WP312 - 赛灵思新一代28nm FPGA技术概览
赛灵思选用 28nm 高介电层金属闸 (HKMG) 高性能低 功耗技术，并将该技术与新型一体化 ASMBLTM 架构相结合，从而推出能降低功耗、提高性能的新一代FPGA。这些器件实现了前所未有的高集成度和高带宽，为系统...
2013-10-10
150
WP312 - 赛灵思新一代28nm FPGA技术概览
赛灵思选用 28nm 高介电层金属闸 (HKMG) 高性能低 功耗技术，并将该技术与新型一体化 ASMBLTM 架构相结合，从而推出能降低功耗、提高性能的新一代FPGA。这些器件实现了前所未有的高集成度和高带宽，为系统...
2013-11-07
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PCB电磁辐射预实验技术研究
随着现代电子科技的发展, 大规模集成电路迅速普及，芯片逐渐向高速化和集成化方向发展, 其体积越来越小，频率越来越高，电磁辐射随其频率的升高成平方倍增长，使得各种电子设备系统内外的电磁环境愈加复杂,对PCB 设计中的电磁兼容技术要求更高。PC...
2013-10-21
95
PCB电磁辐射预实验技术研究
随着现代电子科技的发展, 大规模集成电路迅速普及，芯片逐渐向高速化和集成化方向发展, 其体积越来越小，频率越来越高，电磁辐射随其频率的升高成平方倍增长，使得各种电子设备系统内外的电磁环境愈加复杂,对PCB 设计中的电磁兼容技术要求更高。PC...
2013-11-09
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