手指侧摆
共 6 篇文章
手指侧摆 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 6 篇文章，持续更新中。
AD8397轨到轨、高输出电流放大器
<div>
AD8397内置两个电压反馈型运算放大器，能够以出色的线性度驱动高负载。共发射极、轨到轨输出级的输出电压能力优于典型射随输出级，驱动25 负载时摆幅可以达到任一供电轨的0.5 V范围以内。低失真、高输出电流和宽输出动态范围使AD8397特别适合要求高负载上大信号摆幅的应用。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/8
CoolMos的原理、结构及制造
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。<br />
但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区
改进的基于模型匹配的快速目标识别
<span id="LbZY">文中建立不同类型目标的模型匹配数据库；采用最小周长多边形构造目标主体轮廓的近似多边形，以简化目标主体轮廓减少算法处理的数据量；提取具有仿射不变性的多边形顶点个数、最长线段两侧顶点个数、同底三角形面积比向量特征不变量对待识别目标进行描述，应用3个特征量在模型匹配数据库中逐一进行分层遍历搜索匹配。实验表明，基于模型匹配的目标识别算法能够快速的识别目标，提高了目标识别的实
共源共栅两级运放中两种补偿方法的比较
<div>
给出了两种应用于两级CMOS 运算放大器的密勒补偿技术的比较,用共源共栅密勒补偿技术设计出的CMOS 运放与直接密勒补偿相比,具有更大的单位增益带宽、更大的摆率和更小的信号建立时间等优点,还可以在达到相同补偿效果的情况下极大地减小版图尺寸. 通过电路级小信号等效电路的分析和仿真,对两种补偿技术进行比较,结果验证了共源共栅密勒补偿技术相对于直接密勒补偿技术的优越性.<br />
<i
双频式定子接地保护的模拟滤波器设计与实现
双频式定子接地保护是目前在中小型发电机中得到广泛应用的一种发电机保护，三次谐波的变化情况是这种保护动作的依据之一。文中着重就能够从发电机机端和中性点侧电压中初步提取三次谐波的模拟滤波器的设计进行了讨论，通过分析比较各类滤波器的阻带衰减速度、通频带平坦度等特点以及生产实际装置的成本等多方面因素设计出了一款能够满足保护装置要求的模拟滤波器。从仿真及实验结果中可以看出，此款模拟滤波器具有良好的应用效果。
CMOS工艺下高摆幅共源共栅偏置电路
共源共栅级放大器可提供较高的输出阻抗和减少米勒效应，在放大器领域有很多的应用。本文提出一种COMS工艺下简单的高摆幅共源共栅偏置电路，且能应用于任意电流密度。根据饱和电压和共源共栅级电流密度的定义,本文提出器件宽长比与输出电压摆幅的关系,并设计一种高摆幅的共源共栅级偏置电路。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-12