在工控或者和工控相关的行业，一定会遇到需要输出 4~20mA 电流的时候。而 XTR111 是应用最广泛的电流输出芯片。最简单简陋的电流输出电路，是用“三级管+放大器”构成的。如下图所示：这个电路很简单，你可以试着搭一下，J1 是电流输出口，你可以在 J1 上接个LED 灯，随着“电压输入”的变化，LED 灯的亮度就会变化，这说明电流发生了变化“三极管+放大器”组成的电流输出电流，还可以再经过改进，如下图所示：尽管做了改进，得到的电流输出也不是完全随电压输入呈线性的关系。所以在高精度仪器上，一般使用集成型的电流芯片。例如我们今天要讲的 XTR111 就是应用最广泛的电流输出芯片。为什么最广泛？原因有二：一是线性度非常好、二是价格便宜。总结成一点，就是性价比高。
标签： XTR111
上传时间： 2022-07-17
上传用户：默默
SG3525 是一种性能优良、功能齐全和通用性强的单片集成PWM控制芯片，它简单可靠及使用方便灵活，输出驱动为推拉输出形式，增加了驱动能力；内部含有欠压锁定电路、软启动控制电路、PWM锁存器，有过流保护功能，频率可调，同时能限制最大占空比。1)2)内置 5．1 V±1．0%的基准电压源。实物图3)芯片内振荡器。4)具有振荡器外部同步功能。5)死区时间可调。为了适应驱动快速场效应管的需要，末级采用推拉式工作电路，使开关速度更快，末级输出或吸入电流最大值可达400mA。6)内设欠压锁定电路。当输入电压小于 8V 时芯片内部锁定，停止工作(基准源及必要电路除外)，使消耗电流降至小于 2mA。7)比较器的反相输入端即软启动控制端芯片的引脚 8，可外接软启动电容。该电容器内部的基准电压 Uref由恒流源供电，达到2．5V的时间为t=(2．5V/50μA)C，占空比由小到大(50%)变化。8)内置PWM(脉宽调制)。锁存器将比较器送来的所有的跳动和振荡信号消除。只有在下一个时钟周期才能重新置位，系统的可靠性高。
标签： sg3525
上传时间： 2022-07-18
上传用户：d1997wayne
1、宽电源9V-30V供电;2、电流量程：500mA/1A/5A/10A/15A/20AAC;3、输入路数：12路,16路,24路;5mm孔径;4、输出：RS485（标准MODBUS-RTU协议）;5、精度：0.2级，24位AD线性范围可达千分之一;6、真有效值测量，采集速度100ms（最快定制20ms）;
标签： 电流传感器
上传时间： 2022-07-19
上传用户：jiabin
ACS712 直流交流电流测量传感器示例代码及应用
上传时间： 2022-07-22
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ACS712电流检测电路和IR2104半桥驱动电路设计电路图
标签： acs712 电流检测电路 ir2104 驱动电路 电路图
上传时间： 2022-07-22
上传用户：XuVshu
建立了小电流接地系统的仿真模型，利用电磁暂态程序PSCAD/EMTDC全面仿真了不同故障情况对故障稳态和暂态电压、电流幅值特征和相位特征产生的影响，（这句话太拗口）并得到了相应的零序电压及零序电流的幅值、相位及波形。通过对仿真数据及波形的进一步分析，得出了小电流接地系统发生单相接地故障时的运行特点，验证了小电流接地故障稳态和暂态分析理论的科学性、合理性。为了提取配电网单相接地故障选线和故障测距的暂态故障特征量，基于PSCAD/EMTDC的仿真环境，搭建了小电流接地系统的配电网络仿真模型并综合考虑不同短路时刻、不同接地电弧电阻、不同故障距离和线路长度等多个因素，对配电网小电流接地系统的单相接地故障进行了大量仿真。在配电网单相接地短路故障后的第1个工频周波（0~0.02s）内故障线路的零序电流包络线的变化速度比非故障线路变化缓慢，包络面积大，但与非故障线路首半波极性相反。仿真分析表明此暂态特性不受短路时刻、电弧电阻、故障距离和消弧线圈被偿度的影响，为单相接地故障选线和故障测距的研究提供了理论依据。
上传时间： 2022-07-22
上传用户：xsr1983
该文档为一种双输出PWM型电流模式控制的DCDC转换器的设计总结文档，是一份不错的参考资料，感兴趣的可以下载看看，，，，，，，，，，，，，，，，，
上传时间： 2022-07-26
上传用户：jiabin
智能LED灯照明设计，RF遥控器调光，恒流控制（原理图、源代码、设计报告）
上传时间： 2022-08-10
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VIP专区-嵌入式/单片机编程源码精选合集系列（31）资源包含以下内容：1. 有关protel PCB设计的有关注意事项和经验.2. boot flash的空闲部分作为文件系统（vxworks tffs).3. 3com 3c905网卡驱动硬件部分源码.4. 该源程序已在实验板上调试通过.5. 在嵌入式操作系统uclinux下应用的数据库sqlite.6. 这是一个节目选择菜单源码,根据接受红外遥控键盘来选择节目,并发送给PLAYER..7. 文章描述了TMS320C6000 digital signal processors (DSPs)的CPU结构、管道技术、指令系统..8. 本人搜集的许多C51及KeilC使用方面的文章.9. CfCard开发的人好像不是很多.10. 四路MPEG1视频采集卡.11. 新一代的数字温度芯片 精度高 速度快 适合温度的采集系统的开发.12. 是基于MSP430F449的温度报警的c程序.13. 基于MSPF449的三相电压表功率的开发程序.14. 是MSP430X44X的各部分的子程序模块.15. PC燒錄BIOS的源程序.16. 使用GPIB卡控制数控电源（Agilent66X）测试电流的一个小程序.17. 嵌入式系统中的软件设计技术──C语言程序设计.18. 数字万用表电路图集收集了各类数字万用表的的电路图,结构说明!.19. tcp/ip的嵌入式开发 基于pic微控制器.20. modem 原程序。用于无线模块的开发应用GPRS应用.21. 单片微型计算机原理及接口技术 电子书 pdf 格式.22. 液晶内核C-CodeT6963C控制器的源代码.23. 这是韩国原版X-Hyper250B开发板的原代码。在LINUX下编译.24. 开发板hybus255的bootloader,原版的.25. YAFFS A NAND-flash filesystem的介绍文件.26. 本文介绍MGLS-l2864液晶显示模块的功能、原理及开发步骤。MGLS-12864液晶显示模块内置有HD61202液晶显示控制驱动器.27. 嵌入式系统 Boot Loader 技术内幕.28. 该程序为LINUX下的串口通讯程序,采用华恒公司的嵌入式开发套件,包含了makefile文件.29. 该程序为UClinux下面的USB接口通讯程序,采用C语言编写,包含了makefile文件,使用的开发环境为华恒公司的嵌入式开发套件.30. 非常流行的T9693芯片驱动的240128象素LCD驱动程序.31. 一个基于ucos－ii和lwip的简单telent服务器.32. 著名的《tcplean》的配套光盘.33. CYPREES的EZ-USB2131Q芯片开发板的使用说明.34. fat16.35. CPU卡在税控行业应用驱动,符合7816要求.36. MP3系统中USB接口设计.37. fat文件系统的工作原理相关内容,是学习fat文件系统的必备资料.38. ic设计的相关文章,来自台湾交大,ic设计的精品文章.39. 在TMS320VC5402上实现的嵌入式TCPIP协议栈.40. 最简单的20键PS/2键值读取程序.
标签： 模具设计
上传时间： 2013-04-15
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电子元器件抗ESD技术讲义:引 言 4 第1 章 电子元器件抗ESD损伤的基础知识 5 1.1 静电和静电放电的定义和特点 5 1.2 对静电认识的发展历史 6 1.3 静电的产生 6 1.3.1 摩擦产生静电 7 1.3.2 感应产生静电 8 1.3.3 静电荷 8 1.3.4 静电势 8 1.3.5 影响静电产生和大小的因素 9 1.4 静电的来源 10 1.4.1 人体静电 10 1.4.2 仪器和设备的静电 11 1.4.3 器件本身的静电 11 1.4.4 其它静电来源 12 1.5 静电放电的三种模式 12 1.5.1 带电人体的放电模式(HBM) 12 1.5.2 带电机器的放电模式（MM） 13 1.5.3 充电器件的放电模型 13 1.6 静电放电失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效机理 15 第2章 制造过程的防静电损伤技术 2.1 静电防护的作用和意义 2.1.1 多数电子元器件是静电敏感器件 2.1.2 静电对电子行业造成的损失很大 2.1.3 国内外企业的状况 2.2 静电对电子产品的损害 2.2.1 静电损害的形式 2.2.2 静电损害的特点 2.2.3 可能产生静电损害的制造过程 2.3 静电防护的目的和总的原则 2.3.1 目的和原则 2.3.2 基本思路和技术途径 2.4 静电防护材料 2.4.1 与静电防护材料有关的基本概念 2.4.2 静电防护材料的主要参数 2.5 静电防护器材 2.5.1 防静电材料的制品 2.5.2 静电消除器（消电器、电中和器或离子平衡器） 2.6 静电防护的具体措施 2.6.1 建立静电安全工作区 2.6.2 包装、运送和存储工程的防静电措施 2.6.3 静电检测 2.6.4 静电防护的管理工作 第3章 抗静电检测及分析技术 3.1 抗静电检测的作用和意义 3.2 静电放电的标准波形 3.3 抗ESD检测标准 3.3.1 电子元器件静电放电灵敏度（ESDS）检测及分类的常用标准 3.3.2 标准试验方法的主要内容（以MIL-STD-883E 方法3015.7为例） 3.4 实际ESD检测的结果统计及分析 3.4.1 试验条件 3.4.2 ESD评价试验结果分析 3.5 关于ESD检测中经常遇到的一些问题 3.6 ESD损伤的失效定位分析技术 3.6.1 端口I－V特性检测 3.6.2 光学显微观察 3.6.3 扫描电镜分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光辐射显微分析技术 3.6.6 分层剥离技术 3.6.7 小结 3.7 ESD和EOS的判别方法讨论 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS对器件损伤的分析判别方法 第4 章 电子元器件抗ESD设计技术 4.1 元器件抗ESD设计基础 4.1.1抗ESD过电流热失效设计基础 4.1.2抗场感应ESD失效设计基础 4.2元器件基本抗ESD保护电路 4.2.1基本抗静电保护电路 4.2.2对抗静电保护电路的基本要求 4.2.3 混合电路抗静电保护电路的考虑 4.2.4防静电保护元器件 4.3 CMOS电路ESD失效模式和机理 4.4 CMOS电路ESD可靠性设计策略 4.4.1 设计保护电路转移ESD大电流。 4.4.2 使输入/输出晶体管自身的ESD阈值达到最大。 4.5 CMOS电路基本ESD保护电路的设计 4.5.1 基本ESD保护电路单元 4.5.2 CMOS电路基本ESD保护电路 4.5.3 ESD设计的辅助工具－TLP测试 4.5.4 CMOS电路ESD保护设计方法 4.5.5 CMOS电路ESD保护电路示例 4.6 工艺控制和管理
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