采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
上传时间： 2013-11-21
上传用户：wanqunsheng
随着电力电子技术的发展和电力电子元器件制造水平的提高，中频感应加热技术日臻完善。中频感应加热以其便捷高效的加热性能正逐步取代煤、油等燃料加热而成为工业加热的首选方式。作为感应加热装置的电源，KGPS（晶闸管静止变频装置）与传统BPS机组（中频发电机组）相比，负载适应性强，效率高，易于形成自动加热线，已在工业加热领域得到越来越广泛的应用。
上传时间： 2014-01-06
上传用户：dave520l
当今电子系统如高端处理器及记忆体，对电源的需求是趋向更低电压、更高电流的应用。同时、对负载的反应速度也要提高。因此功率系统工程师要面对的挑战，是要设计出符合系统要求的细小、价廉但高效率的电源系统。而这些要求都不是传统功率架构能够完全满足的。Vicor提出的分比功率架构(Factorized Power Architecture FPA)以及一系列的整合功率元件，可提供革命性的功率转换方案，应付以上提及的各项挑战。这些功率元件称为V•I晶片。
上传时间： 2013-11-15
上传用户：yan2267246
利用宏晶科技的IAP单片机开发自己的ISP程序
上传时间： 2014-01-08
上传用户：文993
利用宏晶科技的IAP单片机开发自己的ISP程序
上传时间： 2013-11-21
上传用户：netwolf
STM32的恒温消毒柜设计
上传时间： 2013-11-05
上传用户：黄蛋的蛋黄
晶片wafer 平面工艺详细介绍
上传时间： 2013-11-21
上传用户：jesuson
恒温控制
上传时间： 2014-12-24
上传用户：曹云鹏
介电体超晶格是一种新型的有序微结构材料。它具有通常均质材料所不具有的独特的优异性能，展现出重要的应用前景。本文介绍南京大学研究组关于介电体超晶格研究所取得的进展，如将多个独立的光参量过程集成于一块介电体超晶格之中获得了多波长激光的同时输出，研制成超晶格全固态三基色原型激光器，在介电体超晶格中将拉曼散射强度增强到10的4次方-10的5次方倍，用超晶格研制的器件填补了体波超声器件从几百MHz到几千MHz的空白频段，发现了微波与超晶格振动的强烈耦合以及研究了由此而产生的极化激元(polariton)的激发与传播等。
上传时间： 2013-11-01
上传用户：清山绿水
宏晶STC90C58AD系列单片机器件手册
上传时间： 2013-10-15
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