为解决移相全桥电路驱动及相角控制问题,设计了一种数字控制的移相全桥驱动电路.以TPL521为光耦隔离、IR2110为栅极驱动芯片.由DSP产生PWM信号,经过光耦隔离和逻辑电路后送至IR2110进行相角控制.文章对IR2110驱动电路原理进行分析及参数进行设计,对TMS320F28335进行设置并给出部分代码.实验结果表明：通过TMS320F28335可产生的不同相角的PWM波形,满足了移相全桥对不同相角控制的要求.In order to solve the problem of phase-shifted full-bridge circuit driving and phase angle control,a digitally controlled phaseshifted full-bridge driving circuit was designed. TPL521 optocoupler isolation,IR2110 gate driver chip. PWM signals are generated by the DSP and sent to the IR2110 for phase angle control after optocoupler isolation and logic circuits. This text carries on the analysis to the principle of IR2110 drive circuit and parameter design,set up and give out some code to TMS320F28335. The experimental results show that the PWM waveforms with different phase angles generated by TMS320F28335 can meet the requirements of phase-shifted full-bridge control for different phase angles.
上传时间： 2022-05-03
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A4950作为最常用的电机驱动控制芯片
上传时间： 2022-05-16
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感应加热技术是20世纪初才开始应用于工业部门的，它通过电磁感应原理和利用涡流对工件进行加热，是制造业和材料加工中的一种重要手段。目前感应加热电源在金属熔炼、铸造、锻造、透热、淬火、弯管、烧结、表面热处理、钎焊以及晶体生长等行业得到了广泛的应用。随着微机技术和IGBT器件的发展，新型中频感应加热电源成为研究的重点。 本文以中频串联谐振感应加热电源为研究对象，采用单片机C8051f300和脉冲输出芯片SG3525相结合的方式，增加了IGBT驱动电路的设计和限频保护电路的设计。实现了感应加热电源的数字化控制，为感应加热电源系统的数字化、信息化、智能化提供了优质、可靠的技术基础。 论文先介绍了感应加热电源的基本原理以及感应加热技术的发展动态。针对30kW/10kHz-30kHz中频感应加热电源的主电路和控制电路进行了设计，然后通过对感应加热电源中的主电路拓扑结构进行分析，比较串联谐振逆变电路与并联谐振逆变电路的优缺点，选择了更适合中频感应加热电源的串联谐振逆变电路。在确定了设计方案后，详细分析了电源的主电路结构并进行了系统各组成部分器件的参数计算和选取。 论文在分析和对比了感应加热电源的各种调功方式后，选择了PWM调功对感应加热电源进行恒流调节。论文是以单片机80C51f330为控制核心的硬件控制平台，包括频率、占空比可调并通过数码管显示、保护电路、驱动电路、显示电路等外围电路。在此基础上编写了相应的程序，完成了样机，并进行了整机调试，可以达到顺利加热。 通过实测波形的分析，实验限频电路可以很好的使电源工作在感性状态，驱动电路的驱动能力很好，增加了系统的安全性。系统硬件电路可靠，程序运行良好。
上传时间： 2022-05-30
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摘要：对几种三相逆变器中常用的IGBT驱动专用集成电路进行了详细的分析，对TLP250，EXB系列和M579系列进行了深入的讨论，给出了它们的电气特性参数和内部功能方框图，还给出了它们的典型应用电路。讨论了它们的使用要点及注意事项，对每种驱动芯片进行了IGBT的驱动实验，通过有关的波形验证了它们的特点，最后得出结论：IGBT驱动集成电路的发展趋势是集过流保护、驱动信号放大功能、能够外接电源且具有很强抗干扰能力等于一体的复合型电路。关键词：绝缘栅双极晶体管：集成电路；过流保护1前言电力电子变换技术的发展，使得各种各样的电力电子器件得到了迅速的发展.20世纪80年代，为了给高电压应用环境提供一种高输入阻抗的器件，有人提出了绝缘门极双极型品体管（IGBT）[1].在IGBT中，用一个MoS门极区来控制宽基区的高电压双极型晶体管的电流传输，这藏产生了一种具有功率MOSFET的高输入阻抗与双极型器件优越通态特性相结合的非常诱人的器件，它具有控制功率小、开关速度快和电流处理能力大、饱和压降低等性能。在中小功率、低噪音和高性能的电源、逆变器、不间断电源（UPS）和交流电机调速系统的设计中，它是日前最为常见的一种器件。
上传时间： 2022-06-21
上传用户：jiabin
IGBT关断电压尖峰是其中的主要问题，解决它的最有效方法是采用叠层母线连接器件。针对二极管籍位型三电平拓扑两个基本强追换流回路，本文用ANSOFT Q3D软件比较研究了三类适用于多层母线排的叠层方案，并提出了一种新颖的叠层母线分组连接结构，结合特殊设计的吸收电容布局，减小了各IGBT模块的关断过冲，省去阻容吸收电路，并优化了高频电流在不同电容间的分布，抑制电解电容发热。通过理论计算与仿真两种方式计算该设计方案的杂散电感，并用实验加以证实。本文还设计了大面积一体化水冷散热器，表面可以贴装15个功率器件和若干传感器和平衡电阻，采用水冷方式以迅速带走满载运行时开关器件的损耗发热，并能达到结构紧凑和防爆的效果。在散热器内部设计了细槽水道结构以避开100多个定位螺孔，同时可以获得更大的热交换面积。本文分析了SCALE驱动芯片的两类器件级短路保护原理，并设计了针对两类保护动作的阈值测试实验，以确保每个器件在安全范围内工作；设计了系统控制和三类系统级保护电路：驱动板和控制板的布局布线经过合理安排能在较强的电磁干扰下正常工作。论文最后，在电抗器、电阻器、异步感应电机等不同类型、各功率等级负载下，对变流模块进行了测试，并解决了直流中点电压平衡问题。各实验证实了设计理论并体现了良好的应用效果。
上传时间： 2022-06-22
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开关升压型锂电池充电管理芯片FLD5302/3概述 为开关型两节或三节锂离子/锂 聚合物电池充电管理芯片，非常适合于便携 式设备的充电管理应用。 集电压和电 流调节器、预充、充电状态指示和充电截止 适配器自适应等功能于一体，采用 SOP-8 封装。 对电池充电分为三个阶段：预 充（ Pre-charge ）、恒流（CC/Constant Current）、恒压（CV/Constant Voltage）过程。 集成过压及过流保护，确保电芯的 安全。
上传时间： 2022-06-25
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概述CK3362N/S是一款工业级有感三相直流无刷电机驱动控制IC ，其外围电路简单，低成本，应用方便；配合不同的MOSFET和电源电路，可以适配各种电压及各种功率的电机；芯片集成过流保护，堵转保护，限流驱动等多种保护控制机制。CK3362S在CK3362N基础上增加刹车且能量回馈功能。特性 工作电压范围：3.8V～5.5V· 适用于有霍尔电机· 马达升降速速度调节· 转速信号输出· 过载保护· 限流驱动· 堵载保护· 工作温度范围：-40～85度· 正反转转向控制· 转向软换向控制· 缓启动功能· 转速调节（0.02VDD～VDD线性调节）· SOP16无铅封装
上传时间： 2022-06-30
上传用户：wangshoupeng199
这是我做项目里的VK2C21C芯片驱动部分。不是完整可用的程序。没有主程序。不是拿着就能用的那种。需要移植的。
标签： VK2C21C
上传时间： 2022-07-01
上传用户：wangshoupeng199
SG3525 是一种性能优良、功能齐全和通用性强的单片集成PWM控制芯片，它简单可靠及使用方便灵活，输出驱动为推拉输出形式，增加了驱动能力；内部含有欠压锁定电路、软启动控制电路、PWM锁存器，有过流保护功能，频率可调，同时能限制最大占空比。1)2)内置 5．1 V±1．0%的基准电压源。实物图3)芯片内振荡器。4)具有振荡器外部同步功能。5)死区时间可调。为了适应驱动快速场效应管的需要，末级采用推拉式工作电路，使开关速度更快，末级输出或吸入电流最大值可达400mA。6)内设欠压锁定电路。当输入电压小于 8V 时芯片内部锁定，停止工作(基准源及必要电路除外)，使消耗电流降至小于 2mA。7)比较器的反相输入端即软启动控制端芯片的引脚 8，可外接软启动电容。该电容器内部的基准电压 Uref由恒流源供电，达到2．5V的时间为t=(2．5V/50μA)C，占空比由小到大(50%)变化。8)内置PWM(脉宽调制)。锁存器将比较器送来的所有的跳动和振荡信号消除。只有在下一个时钟周期才能重新置位，系统的可靠性高。
标签： sg3525
上传时间： 2022-07-18
上传用户：d1997wayne
文件是基于Multisim的MOS管H桥驱动仿真，电路原理图由LM317恒流源电路、两个IR2011PBF半桥驱动电路、MOS管组成的全桥电路，可用于设计恒流电路和H桥驱动电路。
上传时间： 2022-07-19
上传用户：1208020161
