本文是三部曲系列文章的第 2 部分。第 1 部分（请见参考文献 1）讨论了数字输入/输出缓冲器信息规范 (IBIS) 仿真模型的基本要素，以及它们在 SPICE 环境中的产生过程。本文（第 2 部分）将研究 IBIS 模型正确性检测。第 3 部分将刊登在后续《模拟应用期刊》上，其将介绍 IBIS 用户如何对印刷电路板 (PCB)开发阶段出现的信号完整性问题进行研究。
上传时间： 2014-12-23
上传用户：zhangyi99104144
1) 全数字化设计，交流采样，人机界面采用大屏幕点阵图形128X64 LCD中文液晶显示器。 2) 可实时显示A、B、C各相功率因数、电压、电流、有功功率、无功功率、电压总谐波畸变率、电流总谐波畸变率、电压3、5、7、9、11、13次谐波畸变率、电流3、5、7、9、 11、13次谐波畸变率频率、频率、电容输出显示及投切状态、报警等信息。 3) 设置参数中文提示，数字输入。 4) 电容器控制方案支持三相补偿、分相补偿、混合补偿方案，可通过菜单操作进行设置。 5) 电容器投切控制程序支持等容/编码（1：2、 1：2：3、 1：2：4：8…）等投切方式。 6) 具有手动补偿/自动补偿两种工作方式。 7) 提供电平控制输出接口（+12V），动态响应优于20MS。 8) 取样物理量为无功功率，具有谐波测量及保护功能。 9) 控制器具有RS-485通讯接口，MODBUS标准现场总线协议，方便接入低压配电系统。
上传时间： 2013-11-09
上传用户：dancnc
设计了一款用于UHF RFID射频前端接收机的高线性度LNA。该低噪声放大器采用噪声消除技术，具有单端输入差分输出的功能，能够同时实现输出平衡，噪声消除和非线性失真抵消，具有高的线性度。该电路采用TSMC 0.18 μm工艺设计，芯片面积只有0.02 mm2。电源电压为1.8 V，总电流为8 mA，后仿真结果增益为19.2 dB，噪声因子为2.5 dB，输入1 dB压缩点为-5.2 dBm。
上传时间： 2014-01-21
上传用户：kachleen
为了解决声表面波滤波器插损太大，造成有用信号衰减严重，弥补插损又会引起底部噪声抬高的问题。该文设计了一种用LC集总元件实现的窄带带通滤波器，其特点是插入损耗小，成本低，带外衰减大，较好解决了因声表面波滤波器插损大而引起的一系列问题，不会引起通道底部噪声的抬高。仿真结果证明了该设计方案的可行性。
上传时间： 2013-11-18
上传用户：13517191407
零漂移放大器可动态校正其失调电压并重整其噪声密度。自稳零型和斩波型是两种常用类型，可实现 nV 级失调电压和极低的失调电压时间/温度漂移。放大器的 1/f 噪声也视为直流误差，也可一并消除。零漂移放大器为设计师提供了很多好处：首先，温漂和 1/f 噪声在系统中始终起着干扰作用，很难以其它方式消除，其次，相对于标准的放大器，零漂移放大器具有较高的开环增益、电源抑制比和共模抑制比，另外，在相同的配置下，其总输出误差低于采用标准精密放大器的输出误差
上传时间： 2013-11-23
上传用户：kristycreasy
电子学名词1、 电阻率---又叫电阻系数或叫比电阻。是衡量物质导电性能好坏的一个物理量，以字母ρ表示，单位为欧姆*毫米平方/米。在数值上等于用那种物质做的长1米截面积为1平方毫米的导线，在温度20C时的电阻值，电阻率越大，导电性能越低。则物质的电阻率随温度而变化的物理量，其数值等于温度每升高1C时，电阻率的增加与原来的电阻电阻率的比值，通常以字母α表示，单位为1/C。2、 电阻的温度系数----表示物质的电阻率随温度而变化的物理量，其数值等于温度每升高1C时，电阻率的增加量与原来的电阻率的比值，通常以字母α表示，单位为1/C。3、 电导----物体传导电流的本领叫做电导。在直流电路里，电导的数值就是电阻值的倒数，以字母ɡ表示，单位为欧姆。4、 电导率----又叫电导系数，也是衡量物质导电性能好坏的一个物理量。大小在数值上是电阻率的倒数，以字母γ表示，单位为米/欧姆*毫米平方。5、 电动势----电路中因其他形式的能量转换为电能所引起的电位差，叫做电动势或者简称电势。用字母E表示，单位为伏特。6、 自感----当闭合回路中的电流发生变化时，则由这电流所产生的穿过回路本身磁通也发生变化，因此在回路中也将感应电动势，这现象称为自感现象，这种感应电动势叫自感电动势。7、 互感----如果有两只线圈互相靠近，则其中第一只线圈中电流所产生的磁通有一部分与第二只线圈相环链。当第一线圈中电流发生变化时，则其与第二只线圈环链的磁通也发生变化，在第二只线圈中产生感应电动势。这种现象叫做互感现象。8、 电感----自感与互感的统称。9、 感抗----交流电流过具有电感的电路时，电感有阻碍交流电流过的作用，这种作用叫做感抗，以Lx表示，Lx=2πfL。10、容抗----交流电流过具有电容的电路时，电容有阻碍交流电流过的作用，这种作用叫做容抗，以Cx表示，Cx=1/12πfc。11、脉动电流----大小随时间变化而方向不变的电流，叫做脉动电流。12、振幅----交变电流在一个周期内出现的最大值叫振幅。13、平均值----交变电流的平均值是指在某段时间内流过电路的总电荷与该段时间的比值。正弦量的平均值通常指正半周内的平均值，它与振幅值的关系：平均值=0.637*振幅值。14、有效值----在两个相同的电阻器件中，分别通过直流电和交流电，如果经过同一时间，它们发出的热量相等，那么就把此直流电的大小作为此交流电的有效值。正弦电流的有效值等于其最大值的0.707倍。15、有功功率----又叫平均功率。交流电的瞬时功率不是一个恒定值，功率在一个周期内的平均值叫做有功功率，它是指在电路中电阻部分所消耗的功率，以字母P表示，单位瓦特。16、视在功率----在具有电阻和电抗的电路内，电压与电流的乘积叫做视在功率，用字母Ps来表示，单位为瓦特。17、无功功率----在具有电感和电容的电路里，这些储能元件在半周期的时间里把电源能量变成磁场（或电场）的能量存起来，在另半周期的时间里对已存的磁场（或电场）能量送还给电源。它们只是与电源进行能量交换，并没有真正消耗能量。我们把与电源交换能量的速率的振幅值叫做无功功率。用字母Q表示，单位为芝。
标签： 电子学
上传时间： 2013-11-23
上传用户：zhoujunzhen
电路分析基础电路分析基础Fundamentals of Electric CircuitsFundamentals of Electric Circuits多媒体教学课件多媒体教学课件北京理工大学北京理工大学Beijing Institute of TechnologyBeijing Institute of Technology 目录•第一章集总电路中电压、电流的约束关系•第二章运用独立电流、电压变量的分析方法•第四章分解法及单口网络•第三章叠加方法与网络函数•第六章电容元件和电感元件•第七章一阶电路•第八章二阶电路•第十章正弦稳态功率和能量三相电路•第九章阻抗与导纳•第十一章电路的频率响应•第十二章耦合电感和理想变压器
标签： 电路分析基础
上传时间： 2013-11-10
上传用户：asdstation
中兴通讯硬件一部巨作－信号完整性 近年来，通讯技术、计算机技术的发展越来越快，高速数字电路在设计中的运用越来 越多，数字接入设备的交换能力已从百兆、千兆发展到几十千兆。高速数字电路设计对信 号完整性技术的需求越来越迫切。 在中、 大规模电子系统的设计中， 系统地综合运用信号完整性技术可以带来很多好处， 如缩短研发周期、降低产品成本、降低研发成本、提高产品性能、提高产品可靠性。 数字电路在具有逻辑电路功能的同时，也具有丰富的模拟特性，电路设计工程师需要 通过精确测定、或估算各种噪声的幅度及其时域变化，将电路抗干扰能力精确分配给各种 噪声，经过精心设计和权衡，控制总噪声不超过电路的抗干扰能力，保证产品性能的可靠 实现。 为了满足中兴上研一所的科研需要， 我们在去年和今年关于信号完整性技术合作的基 础上，克服时间紧、任务重的困难，编写了这份硬件设计培训系列教材的“信号完整性” 部分。由于我们的经验和知识所限，这部分教材肯定有不完善之处，欢迎广大读者和专家 批评指正。 本教材的对象是所内硬件设计工程师， 针对我所的实际情况， 选编了第一章——导论、 第二章——数字电路工作原理、第三章——传输线理论、第四章——直流供电系统设计， 相信会给大家带来益处。同时，也希望通过我们的不懈努力能消除大家在信号完整性方面 的烦脑。 在编写本教材的过程中，得到了沙国海、张亚东、沈煜、何广敏、钟建兔、刘辉、曹 俊等的指导和帮助，尤其在审稿时提出了很多建设性的意见，在此一并致谢！
上传时间： 2013-11-15
上传用户：大三三
第一章 传输线理论一 传输线原理二 微带传输线三 微带传输线之不连续分析第二章 被动组件之电感设计与分析一 电感原理二 电感结构与分析三 电感设计与模拟四 电感分析与量测传输线理论与传统电路学之最大不同，主要在于组件之尺寸与传导电波之波长的比值。当组件尺寸远小于传输线之电波波长时，传统的电路学理论才可以使用，一般以传输波长（Guide wavelength）的二十分之ㄧ（λ/20）为最大尺寸，称为集总组件（Lumped elements）；反之，若组件的尺寸接近传输波长，由于组件上不同位置之电压或电流的大小与相位均可能不相同，因而称为散布式组件（Distributed elements）。 由于通讯应用的频率越来越高，相对的传输波长也越来越小，要使电路之设计完全由集总组件所构成变得越来越难以实现，因此，运用散布式组件设计电路也成为无法避免的选择。 当然，科技的进步已经使得集总组件的制作变得越来越小，例如运用半导体制程、高介电材质之低温共烧陶瓷（LTCC）、微机电（MicroElectroMechanical Systems, MEMS）等技术制作集总组件，然而，其中电路之分析与设计能不乏运用到散布式传输线的理论，如微带线（Microstrip Lines）、夹心带线（Strip Lines）等的理论。因此，本章以讨论散布式传输线的理论开始，进而以微带传输线为例介绍其理论与公式，并讨论微带传输线之各种不连续之电路，以作为后续章节之被动组件的运用。
标签： 传输线
上传时间： 2014-01-10
上传用户：sunshie
第二部分：DRAM 内存模块的设计技术..............................................................143第一章 SDR 和DDR 内存的比较..........................................................................143第二章 内存模块的叠层设计.............................................................................145第三章 内存模块的时序要求.............................................................................1493.1 无缓冲（Unbuffered）内存模块的时序分析.......................................1493.2 带寄存器（Registered）的内存模块时序分析...................................154第四章 内存模块信号设计.................................................................................1594.1 时钟信号的设计.......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信号的设计..............................................................................1624.3 地址和控制线的设计...............................................................................1634.4 数据信号线的设计...................................................................................1664.5 电源，参考电压Vref 及去耦电容.........................................................169第五章 内存模块的功耗计算.............................................................................172第六章 实际设计案例分析.................................................................................178 目前比较流行的内存模块主要是这三种：SDR，DDR，RAMBUS。其中，RAMBUS内存采用阻抗受控制的串行连接技术,在这里我们将不做进一步探讨，本文所总结的内存设计技术就是针对SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。现在我们来简单地比较一下SDR 和DDR，它们都被称为同步动态内存，其核心技术是一样的。只是DDR 在某些功能上进行了改进，所以DDR 有时也被称为SDRAM II。DDR 的全称是Double Data Rate，也就是双倍的数据传输率，但是其时钟频率没有增加，只是在时钟的上升和下降沿都可以用来进行数据的读写操作。对于SDR 来说,市面上常见的模块主要有PC100/PC133/PC166,而相应的DDR内存则为DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
上传时间： 2014-01-13
上传用户：euroford
