【问题描述】 在一个N*N的点阵中，如N=4,你现在站在（1，1），出口在（4，4）。你可以通过上、下、左、右四种移动方法，在迷宫内行走，但是同一个位置不可以访问两次，亦不可以越界。表格最上面的一行加黑数字A[1..4]分别表示迷宫第I列中需要访问并仅可以访问的格子数。右边一行加下划线数字B[1..4]则表示迷宫第I行需要访问并仅可以访问的格子数。如图中带括号红色数字就是一条符合条件的路线。 给定N，A[1..N] B[1..N]。输出一条符合条件的路线，若无解，输出NO ANSWER。（使用U，D，L，R分别表示上、下、左、右。） 2 2 1 2 （4，4） 1 （2，3） （3，3） （4，3） 3 （1，2） （2，2） 2 （1，1） 1 【输入格式】 第一行是数m (n < 6 )。第二行有n个数，表示a[1]..a[n]。第三行有n个数，表示b[1]..b[n]。 【输出格式】 仅有一行。若有解则输出一条可行路线，否则输出“NO ANSWER”。
标签： 点阵
上传时间： 2014-06-21
上传用户：llandlu
实验源代码 //Warshall.cpp #include<stdio.h> void warshall(int k,int n) { int i , j, t; int temp[20][20]; for(int a=0;a<k;a++) { printf("请输入矩阵第%d 行元素:",a); for(int b=0;b<n;b++) { scanf ("%d",&temp[a][b]); } } for(i=0;i<k;i++){ for( j=0;j<k;j++){ if(temp[ j][i]==1) { for(t=0;t<n;t++) { temp[ j][t]=temp[i][t]||temp[ j][t]; } } } } printf("可传递闭包关系矩阵是:\n"); for(i=0;i<k;i++) { for( j=0;j<n;j++) { printf("%d", temp[i][ j]); } printf("\n"); } } void main() { printf("利用 Warshall 算法求二元关系的可传递闭包\n"); void warshall(int,int); int k , n; printf("请输入矩阵的行数 i: "); scanf("%d",&k); 四川大学实验报告 printf("请输入矩阵的列数 j: "); scanf("%d",&n); warshall(k,n); }
上传时间： 2016-06-27
上传用户：梁雪文以
#include "iostream" using namespace std; class Matrix { private: double** A; //矩阵A double *b; //向量b public: int size; Matrix(int ); ~Matrix(); friend double* Dooli(Matrix& ); void Input(); void Disp(); }; Matrix::Matrix(int x) { size=x; //为向量b分配空间并初始化为0 b=new double [x]; for(int j=0;j<x;j++) b[j]=0; //为向量A分配空间并初始化为0 A=new double* [x]; for(int i=0;i<x;i++) A[i]=new double [x]; for(int m=0;m<x;m++) for(int n=0;n<x;n++) A[m][n]=0; } Matrix::~Matrix() { cout<<"正在析构中~~~~"<<endl; delete b; for(int i=0;i<size;i++) delete A[i]; delete A; } void Matrix::Disp() { for(int i=0;i<size;i++) { for(int j=0;j<size;j++) cout<<A[i][j]<<" "; cout<<endl; } } void Matrix::Input() { cout<<"请输入A:"<<endl; for(int i=0;i<size;i++) for(int j=0;j<size;j++){ cout<<"第"<<i+1<<"行"<<"第"<<j+1<<"列:"<<endl; cin>>A[i][j]; } cout<<"请输入b:"<<endl; for(int j=0;j<size;j++){ cout<<"第"<<j+1<<"个:"<<endl; cin>>b[j]; } } double* Dooli(Matrix& A) { double *Xn=new double [A.size]; Matrix L(A.size),U(A.size); //分别求得U，L的第一行与第一列 for(int i=0;i<A.size;i++) U.A[0][i]=A.A[0][i]; for(int j=1;j<A.size;j++) L.A[j][0]=A.A[j][0]/U.A[0][0]; //分别求得U，L的第r行，第r列 double temp1=0,temp2=0; for(int r=1;r<A.size;r++){ //U for(int i=r;i<A.size;i++){ for(int k=0;k<r-1;k++) temp1=temp1+L.A[r][k]*U.A[k][i]; U.A[r][i]=A.A[r][i]-temp1; } //L for(int i=r+1;i<A.size;i++){ for(int k=0;k<r-1;k++) temp2=temp2+L.A[i][k]*U.A[k][r]; L.A[i][r]=(A.A[i][r]-temp2)/U.A[r][r]; } } cout<<"计算U得:"<<endl; U.Disp(); cout<<"计算L的:"<<endl; L.Disp(); double *Y=new double [A.size]; Y[0]=A.b[0]; for(int i=1;i<A.size;i++ ){ double temp3=0; for(int k=0;k<i-1;k++) temp3=temp3+L.A[i][k]*Y[k]; Y[i]=A.b[i]-temp3; } Xn[A.size-1]=Y[A.size-1]/U.A[A.size-1][A.size-1]; for(int i=A.size-1;i>=0;i--){ double temp4=0; for(int k=i+1;k<A.size;k++) temp4=temp4+U.A[i][k]*Xn[k]; Xn[i]=(Y[i]-temp4)/U.A[i][i]; } return Xn; } int main() { Matrix B(4); B.Input(); double *X; X=Dooli(B); cout<<"~~~~解得:"<<endl; for(int i=0;i<B.size;i++) cout<<"X["<<i<<"]:"<<X[i]<<" "; cout<<endl<<"呵呵呵呵呵"; return 0; }
标签： 道理特分解法
上传时间： 2018-05-20
上传用户：Aa123456789
模拟电路设计本身是一个非常复杂的学科，而对相关器件的了解更是学习中的重中之重，本期电子书教程主要围绕模拟电子器件，梳理有关模拟设计基础的基本设计技术。包括理想的运算放大器基础知识、运算放大器错误源和规格以及专业放大器，如仪表放大器、可变增益放大器、对数放大器、模拟倍频器、模拟开关和基准电压源等。 本书共计65篇文章、18万字，目的是为广大从事该模拟设计的工程师以及电子工程相关学子提供学习资料和设计参考指南。
标签： 模拟电子器件
上传时间： 2021-10-24
上传用户：bluedrops
本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用， 定义了理想功率开关的电特性， 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 （GTO） 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构， 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。 碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层， 以防止其提前击穿。 另外， 必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。 这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。 第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸（MCT） 结构和基极电阻控制晶闸管 （BRT） 结构， 后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。 第10章介绍了发射极开关晶闸（EST）， 该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断， 并可利用IGBT加工工艺来制造。 这种器件具有良好的安全工作区。本书最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书， 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。
标签： 大功率器件
上传时间： 2021-11-02
上传用户：
FC162是一款低功耗，高速，高噪声容限，EPROM/ROM基于8位CMOS工艺制造的单片机，采用RISC指令集，共有42条指令， 除分支指令为两个周期指令以外其余为单周期指令。这种易用、易记的指令集大大缩短了开发时间。 FC162包含了上电复位(Power-on Reset POR)，掉电复位(Brown-out Reset BOR)， 上电复位计数器（Power-up Reset Timer PWRT），振荡启动计数器 (Oscillator Start-up Timer OST)， 看门狗定时器(Watchdog Timer)， EPROM/ROM， SRAM，双向三 态I/O口，（可以设置为上拉/下拉）， 省电睡眠模式， 一个带8位预置器的8位定时/计数器，独立中断，睡眠唤醒模式和可靠的代码保 护，有两个振荡源可供用户配置选择，包含省电振荡源和低功耗振荡器。 FC162可访问256×13的程序存储空间。 FC162能直接或间接访问寄存器以及数据存储区，所有的特殊功能寄存器分布在数据存储区同时包含特定的程序指针。
标签： fc162
上传时间： 2021-11-13
上传用户：qingfengchizhu
SH367309是5-16串锂电池BMS用数字前端芯片，适用于总电压不超过70V的锂电池Pack。 SH367309工作在保护模式下，可独立保护锂电池Pack。提供过充电保护、过放电保护、温度保护、充放电过流保护、短路保护、二次过充电保护等。集成平衡开关提高电芯一致性。 SH367309工作在采集模式下，可配合MCU管理锂电池Pack，同时使能所有保护功能。 SH367309内置VADC，用于采集电芯电压、温度以及电流；内置CADC采集电流，用于统计Pack剩余容量；内置EEPROM，用于保存保护阈值及延时等可调参数；内置TWI通讯接口，用于操作相关寄存器及EEPROM。产品特性介绍■ 硬件保护功能 - 过充电保护功能 - 过放电保护功能 - 充放电高温保护功能 - 充放电低温保护功能 - 充放电过流保护功能 - 短路保护功能 - 二次过充电保护功能 - 断线保护功能■ 内置平衡开关■ 禁止低压电芯充电功能■ 小电流检测功能■ 支持乱序上下电■ 内置看门狗模块■ 模式设计 - 采集模式（SH367309配合MCU应用） - 保护模式（SH367309独立应用） - 仓运模式 - 烧写模式■ 13-bit VADC用于采集电压/温度/电流 - 转换频率：10Hz - 16路电压采集通道 - 1路电流采集通道 - 3路温度采集通道■ 16-bit Ʃ-∆CADC用于采集电流 - 转换频率：4Hz■ 内置EEPROM - 编程/擦除次数：≤ 100次■ 稳压电源 - 3.3V（25mA@MAX）■ MOSFET驱动：电池组负端NMOS驱动■ CTL管脚：优先控制充放电MOSFET关闭■ TWI通讯接口：支持CRC8校验■ 低功耗设计： - IDLE状态 - SLEEP状态 - Powerdown状态■ 封装 - TQFP48L
标签： sh367309
上传时间： 2021-11-22
上传用户：jason_vip1
SH367309是锂电池BMS用数字前端芯片，适用于总电压不超过70V的锂电池Pack。在保护模式下，可独立保护锂电池Pack。提供过充电保护、过放电保护、温度保护、充放电过流保护、短路保护、二次过充电保护等。集成平衡开关提高电芯一致性。在采集模式下，可配合MCU管理锂电池Pack，同时使能所有保护功能。
上传时间： 2022-04-19
上传用户：
手动开关手动开关没有自动切换为直接的但它提供给用户的切换事件时间的精确控制。参照图20中的流程图。1。写使用系统时钟开关选择目标时钟源的8位值寄存器（clk_swr）。然后swbsy位是由硬件，和目标源振荡器开始。古老的时钟源继续驱动CPU和外设。2。该软件具有等到目标时钟源准备（稳定的）。这是在clk_swcr寄存器和快捷旗由中断如果swien位设置显示。3。最终软件的作用是设置，在所选择的时间，在clk_swcr的赛文点寄存器来执行开关。在手动和自动切换模式，旧的系统时钟源不会自动关闭的情况下是由其他模块（LSI混凝土可用于例如独立的看门狗驱动）。时钟源可以关机使用在内部时钟寄存器的位（clk_ickcr）和外部时钟寄存器（clk_eckcr）。如果时钟开关不因任何原因的工作，软件可以通过清除swbsy标志复位电流开关操作。这将恢复clk_swr注册到其以前的内容（旧的系统时钟）。注意：在清理swbsy标志具有复位时钟主开关的程序，应用程序必须等到后产生新的主时钟切换请求之前有一段至少两个时钟周期。
标签： stm8l
上传时间： 2022-07-17
上传用户：fliang
B＋树实现源码，JAVA语言，数据库索引技术
上传时间： 2013-12-22
上传用户：xc216
