低电压输入高电压输出的直流变换器被广泛地应用在太阳能光伏发电系统、风能发电系统、燃料电池系统、车载逆变器电源等电力电子装置中。随着电力电子技术的发展，对该类型的变换器也提出了更高的要求。 本文主要针对中小功率的升压变换器，对串联谐振软开关推挽电路进行了研究分析及实验。 文章首先对理想工作条件下的串联谐振软开关推挽电路进行理论、仿真分析，并通过实验验证了电路损耗小、效率高的特性。三种不同的控制方案：导通时间固定、关断时间变化的PFM调制方式，导通时间变化、关断时间固定的PFM调制方式，PWM调制方式，被分别应用到电路中。通过理论、仿真以及实验研究，比较分析了三种控制方案的优缺点，特别是对软开关特性、输出电压调节及适用范围等问题做了细致分析。文章还对应用在串联谐振软开关推挽电路中的变压器作了一定研究分析。根据变压器的机理，对该电路中特有变压器的高变比问题和漏感问题展开分析，并提出工艺和设计原理上的相应的解决方案。 为进一步实现能量的高效转换，提出了基于双变压器结构拓扑的串联谐振软开关推挽电路，并进行了有关理论分析、仿真和实验研究。同单变压器电路相比，该电路具有开关损耗小、变压器损耗小、效率更高的优点，实验结果充分验证了以上结论。
上传时间： 2013-04-24
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本课题为电流型高电压隔离电源，它是基于交流电流母线的分布式系统，能够整定短路电流，适应高电压工作环境的隔离电源。本论文介绍了该课题的应用场合，简要介绍了分布式系统的种类及各自优势，以及已有的电流型副边稳压电路相关的研究成果，并在此基础上提出了本课题的研究目标。 本篇论文主要针对课题方案的三个方面进行论述，分别阐述如下： 一，母线电流产生系统与电流型副边开关电路的匹配问题，包括各部分电路的功能介绍、电流型副边开关电路的小信号等效电路的建模、高电压隔离变压器及磁元件的选择； 二，模块体积小型化有利于高压部件的设计安装和EMS防护。为了省去体积较大的辅助电源部分，本课题采用了副边电路自供电的方式。在低压自供电方式下，利用比较器、TLA31等器件产生多路同步三角波以及开关驱动PWM脉冲。对自供电方式下的三角波振荡器进行比较，并对三角波振荡器电路模块进行了建模以及系统反馈补偿； 三，在本方案中实现了电流源拓扑的同步整流技术，利用PMOS管替代续流二极管，减小了电路的损耗、散热器的使用以及模块的体积。 本篇论文对本课题设计的核心部分进行了比较详细的介绍和分析，具体的参数计算方法也一一列出。最终，论文以研究目标为方向，通过一系列的改进措施，基本实现了课题要求。
上传时间： 2013-06-24
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本书主要阐述设计射频与微波功率放大器所需的理论、方法、设计技巧，以及将分析计算与计算机辅助设计相结合的优化设计方法。这些方法提高了设计效率，缩短了设计周期。本书内容覆盖非线性电路设计方法、非线性主动设备建模、阻抗匹配、功率合成器、阻抗变换器、定向耦合器、高效率的功率放大器设计、宽带功率放大器及通信系统中的功率放大器设计。 本书适合从事射频与微波动功率放大器设计的工程师、研究人员及高校相关专业的师生阅读。 作者简介 Andrei Grebennikov是M／A—COM TYCO电子部门首席理论设计工程师，他曾经任教于澳大利亚Linz大学、新加坡微电子学院、莫斯科通信和信息技术大学。他目前正在讲授研究班课程，在该班上，本书作为国际微波年会论文集。 目录 第1章 双口网络参数 1.1 传统的网络参数 1.2 散射参数 1.3 双口网络参数间转换 1.4 双口网络的互相连接 1.5 实际的双口电路 1.5.1 单元件网络 1.5.2 π形和T形网络 1.6 具有公共端口的三口网络 1.7 传输线 参考文献 第2章 非线性电路设计方法 2.1 频域分析 2.1.1 三角恒等式法 2.1.2 分段线性近似法 2.1.3 贝塞尔函数法 2.2 时域分析 2.3 NewtOn.Raphscm算法 2.4 准线性法 2.5 谐波平衡法 参考文献 第3章 非线性有源器件模型 3.1 功率MOSFET管 3.1.1 小信号等效电路 3.1.2 等效电路元件的确定 3.1.3 非线性I—V模型 3.1.4 非线性C.V模型 3.1.5 电荷守恒 3.1.6 栅一源电阻 3.1.7 温度依赖性 3.2 GaAs MESFET和HEMT管 3.2.1 小信号等效电路 3.2.2 等效电路元件的确定 3.2.3 CIJrtice平方非线性模型 3.2.4 Curtice.Ettenberg立方非线性模型 3.2.5 Materka—Kacprzak非线性模型 3.2.6 Raytheon(Statz等)非线性模型 3.2.7 rrriQuint非线性模型 3.2.8 Chalmers(Angek)v)非线性模型 3.2.9 IAF(Bemth)非线性模型 3.2.10 模型选择 3.3 BJT和HBT汀管 3.3.1 小信号等效电路 3.3.2 等效电路中元件的确定 3.3.3 本征z形电路与T形电路拓扑之间的等效互换 3.3.4 非线性双极器件模型 参考文献 第4章 阻抗匹配 4.1 主要原理 4.2 Smith圆图 4.3 集中参数的匹配 4.3.1 双极UHF功率放大器 4.3.2 M0SFET VHF高功率放大器 4.4 使用传输线匹配 4.4.1 窄带功率放大器设计 4.4.2 宽带高功率放大器设计 4.5 传输线类型 4.5.1 同轴线 4.5.2 带状线 4.5.3 微带线 4.5.4 槽线 4.5.5 共面波导 参考文献 第5章 功率合成器、阻抗变换器和定向耦合器 5.1 基本特性 5.2 三口网络 5.3 四口网络 5.4 同轴电缆变换器和合成器 5.5 wilkinson功率分配器 5.6 微波混合桥 5.7 耦合线定向耦合器 参考文献 第6章 功率放大器设计基础 6.1 主要特性 6.2 增益和稳定性 6.3 稳定电路技术 6.3.1 BJT潜在不稳定的频域 6.3.2 MOSFET潜在不稳定的频域 6.3.3 一些稳定电路的例子 6.4 线性度 6.5 基本的工作类别：A、AB、B和C类 6.6 直流偏置 6.7 推挽放大器 6.8 RF和微波功率放大器的实际外形 参考文献 第7章 高效率功率放大器设计 7.1 B类过激励 7.2 F类电路设计 7.3 逆F类 7.4 具有并联电容的E类 7.5 具有并联电路的E类 7.6 具有传输线的E类 7.7 宽带E类电路设计 7.8 实际的高效率RF和微波功率放大器 参考文献 第8章 宽带功率放大器 8.1 Bode—Fan0准则 8.2 具有集中元件的匹配网络 8.3 使用混合集中和分布元件的匹配网络 8.4 具有传输线的匹配网络 8.5 有耗匹配网络 8.6 实际设计一瞥 参考文献 第9章 通信系统中的功率放大器设计 9.1 Kahn包络分离和恢复技术 9.2 包络跟踪 9.3 异相功率放大器 9.4 Doherty功率放大器方案 9.5 开关模式和双途径功率放大器 9.6 前馈线性化技术 9.7 预失真线性化技术 9.8 手持机应用的单片cMOS和HBT功率放大器 参考文献
上传时间： 2013-04-24
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随着电力电子技术的迅速发展，双向DC/DC变换器的应用日益广泛。尤其是软开关技术的出现，使双向DC/DC变换器不断朝着高效化、小型化、高频化和高性能化的方向发展，软开关技术的应用可以降低双向DC/DC变换器的开关损耗，提高变换器的工作效率，为变换器的高频化提供可能性，从而减小变换器的体积，提高变换器的动态性能。双向DC/DC变换器在直流不停电电源系统、航空电源系统、电动汽车等车载电源系统、直流功率放大器以及蓄电池储能等场合都得到了广泛的应用。 本论文首先在研究硬开关的缺陷上，提出软开关技术；然后在研究双向DC/DC变换器的基本工作原理的基础上，对双向DC/DC变换器的应用及软开关双向DC/DC变换器的几种拓扑结构进一步阐述；把软开关技术和双向DC/DC变换器技术有机地结合在一起，提出一种新型的双向DC/DC变换器的拓扑结构。该双向DC/DC变换器的降压变换电路采用移相控制ZVSPWMDC/DC变换器；升压变换电路采用Boost升压和推挽式升压两种变换器相结合的两级升压的新型变换器。 在分别对移相控制ZVSPWMDC/DC变换器和Boost推挽式DC/DC变换器的工作原理进行分析研究的基础上，使用PSpice9.2计算机仿真软件对变换器的主电路进行仿真和分析，验证该新型双向DC/DC变换器的拓扑结构设计的正确性和可行性。
上传时间： 2013-04-24
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·内容简介:目前，开关电源已经成为各种电子设备必不可少的组成部分，并以其低损耗、高效率、高集成度、高性能比等显著特点成为具有良好发展前景不的一项新产品。本书全面深入地阐述了单片开关电源的电新应用技术、详细介绍了国外单片机开关电源集成电路最新主流以产品的原理、应用及电路设计，还专题介绍了计算机辅助设计及外围元器件的选择。 本书题材新颖、内容丰富、深入浅出，具有很高近况用价值。
上传时间： 2013-04-24
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AC/DC适配器(ADAPTER)高频电子变压器的设计有很多制约条件，比如空间体积、热的问题、转换器的效率、电磁干扰、PWM控制IC、性价比等。所以磁心选用受到一定的限制，不像一般资料中介绍的满足功率容量即可，选择的余地不大。所以本文不讲解具体的磁心选择，仅利用计算软件对磁心的功率容量进行校验。目前与NOTEBOOK和LCD配套的中高档ADAPTER工作频率在60KHz~100KHz左右。变压器的绕组已用上了三重绝缘线，再要做小变压器已经有难度。我们知道小型化开关变压器有两种方法：一、提高开关频率，带来的问题是对EMI的控制有一定难度；二、选用更高饱和磁通密度的磁心材料，如TDK公司的PC95和PE33 见表（1）。如果在100℃时Bsat能达到450mT~500mT，那么我们在设计开关变压器时就能使用更少的圈数，减少铜损，同时又能提高初级绕组的电感量，降低峰值电流，减少开关管的能量损耗，从而减少开关变压器的体积，进一步地实现ADAPTER的小型化。
上传时间： 2013-08-04
上传用户：bjgaofei
·这是聂志强的辛勤工作，他的邮件nie_zq@163.net改动后的硬件不再需要转换开关,5V电源从USB取电,编程高压VPP12V从MAX232中取出,不需要特殊升压电路。其中包含精美PCB文件，注意三极管BC547的b级不在中间。你也可以自由修改PCB文件。Easy 51Pro v2.0宇宙版 | |------软件 | |------Easy 51Pro
上传时间： 2013-06-16
上传用户：refent
电路连接 由于数码管品种多样，还有共阴共阳的，下面我们使用一个数码管段码生成器（在文章结尾） 去解决不同数码管的问题： 本例作者利用手头现有的一位不知品牌的共阳数码管：型号D5611 A/B，在Eagle 找了一个 类似的型号SA56-11，引脚功能一样可以直接代换。所以下面电路图使用SA56-11 做引脚说明。 注意： 1. 将数码管的a~g 段，分别接到Arduino 的D0~D6 上面。如果你手上的数码管未知的话，可以通过通电测量它哪个引脚对应哪个字段，然后找出a~g 即可。 2. 分清共阴还是共阳。共阴的话，接220Ω电阻到电源负极；共阳的话，接220Ω电阻到电源+5v。 3. 220Ω电阻视数码管实际工作亮度与手头现有原件而定，不一定需要准确。 4. 按下按钮即停。 源代码 由于我是按照段码生成器默认接法接的，所以不用修改段码生成器了，直接在段码生成器选择共阳极，再按“自动”生成数组就搞定。 下面是源代码，由于偷懒不用写循环，使用了部分AVR 语句。 PORTD 这个是AVR 的端口输出控制语句，8 位对应D7~D0，PORTD=00001001 就是D3 和D0 是高电平。 PORTD = a;就是找出相应的段码输出到D7~D0。 DDRD 这个是AVR 语句中控制引脚作为输出/输入的语句。DDRD = 0xFF;就是D0~D7 全部 作为输出脚了。 ARDUINO CODECOPY /* Arduino 单数码管骰子 Ansifa 2011-12-28 */ //定义段码表，表中十个元素由LED 段码生成器生成，选择了共阳极。 inta[10] = {0xC0, 0xF9, 0xA4, 0xB0, 0x99, 0x92, 0x82, 0xF8, 0x80, 0x90}; voidsetup() { DDRD = 0xFF; //AVR 定义PortD 的低七位全部用作输出使用。即0xFF=B11111111对 应D7~D0 pinMode(12, INPUT); //D12用来做骰子暂停的开关 } voidloop() { for(int i = 0; i < 10; i++) { //将段码输出PortD 的低7位，即Arduino 的引脚D0~D6，这样需要取出PORTD 最高位，即 D7的状态，与段码相加，之后再输出。 PORTD = a[i]; delay(50); //延时50ms while(digitalRead(12)) {} //如果D12引脚高电平，则在此死循环,暂停LED 跑 动 } }
上传时间： 2013-10-15
上传用户：baitouyu
摘要：从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发，对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较深入分析。从实际应用的角度，对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究，提出了有关参数的计算方法，并对多种因素对开关特性的影响效果进行了实验研究，所得出的结论对于功率MOSFET的正确运用和设计合理的MoSFET驱动电路具有指导意义．
上传时间： 2013-11-10
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磁芯电感器的谐波失真分析 摘 要：简述了改进铁氧体软磁材料比损耗系数和磁滞常数ηB，从而降低总谐波失真THD的历史过程，分析了诸多因数对谐波测量的影响，提出了磁心性能的调控方向。 关键词：比损耗系数， 磁滞常数ηB ，直流偏置特性DC-Bias，总谐波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年来，变压器生产厂家和软磁铁氧体生产厂家，在电感器和变压器产品的总谐波失真指标控制上，进行了深入的探讨和广泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的问题。从工艺技术上采取了不少有效措施，促进了质量问题的迅速解决。本文将就此热门话题作一些粗浅探讨。 一、 历史回顾 总谐波失真（Total harmonic distortion） ，简称THD，并不是什么新的概念，早在几十年前的载波通信技术中就已有严格要求<1>。1978年邮电部公布的标准YD/Z17－78“载波用铁氧体罐形磁心”中，规定了高μQ材料制作的无中心柱配对罐形磁心详细的测试电路和方法。如图一电路所示，利用LC组成的150KHz低通滤波器在高电平输入的情况下测量磁心产生的非线性失真。这种相对比较的实用方法，专用于无中心柱配对罐形磁心的谐波衰耗测试。 这种磁心主要用于载波电报、电话设备的遥测振荡器和线路放大器系统，其非线性失真有很严格的要求。 图中 ZD —— QF867 型阻容式载频振荡器，输出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通滤波器，阻抗 150Ω，阻带衰耗大于61dB， Lg88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB Ld88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次谐波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 选频电平表，输入高阻抗， L ——被测无心罐形磁心及线圈， C ——聚苯乙烯薄膜电容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 测量时，所配用线圈应用丝包铜电磁线SQJ9×0.12(JB661-75)在直径为16.1mm的线架上绕制 120 匝， （线架为一格） ， 其空心电感值为 318μH（误差1％） 被测磁心配对安装好后，先调节振荡器频率为 36.6～40KHz， 使输出电平值为+17.4 dB， 即选频表在 22′端子测得的主波电平 （P2）为+17.4 dB，然后在33′端子处测得输出的三次谐波电平（P3）， 则三次谐波衰耗值为：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 为放大器增益dB 从以往的资料引证， 就可以发现谐波失真的测量是一项很精细的工作，其中测量系统的高、低通滤波器，信号源和放大器本身的三次谐波衰耗控制很严，阻抗必须匹配，薄膜电容器的非线性也有相应要求。滤波器的电感全由不带任何磁介质的大空心线圈绕成，以保证本身的“洁净” ，不至于造成对磁心分选的误判。 为了满足多路通信整机的小型化和稳定性要求， 必须生产低损耗高稳定磁心。上世纪 70 年代初，1409 所和四机部、邮电部各厂，从工艺上改变了推板空气窑烧结，出窑后经真空罐冷却的落后方式，改用真空炉，并控制烧结、冷却气氛。技术上采用共沉淀法攻关试制出了μQ乘积 60 万和 100 万的低损耗高稳定材料，在此基础上，还实现了高μ7000～10000材料的突破，从而大大缩短了与国外企业的技术差异。当时正处于通信技术由FDM（频率划分调制）向PCM（脉冲编码调制） 转换时期， 日本人明石雅夫发表了μQ乘积125 万为 0.8×10 ，100KHz）的超优铁氧体材料<3>，其磁滞系数降为优铁
上传时间： 2014-12-24
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