IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）绝缘栅双极型品体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFEt高输入阻抗和GT的低导通压降两方面的优点。IGB综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。成为功率半导体器件发展的主流，广泛应用于风电、光伏、电动汽车、智能电网等行业中。在电动汽车行业中，电机控制器、辅助动力系统，电动空调中，IGBT有着广泛的使用，大功率IGB多应用于电机控制器中，由于电动汽车电机控制器工作环境干扰比较大，IGBT的门极分布电容及实际开关中存在的米勒效应等寄生参数的直接影响到驱动电路的可靠性1电机控制器在使用过程中，在过流、短路和过压的情况下要对1GBT实行比较完善的保护。过流会引起电机控制器的温度上升，可通过温度传感器来进行检测，并由相应的电路来实现保护；过压一般发生在IGBT关断时，较大的di/dt会在寄生电感上产生了较高的电压，可通过采用缓冲电路来钳制，或者适当降低开关速率。短路故障发生后瞬时就会产生极大的电流，很快就会损坏1GBT，主控制板的过流保护根本来不及，必须由硬件电路控制驱动电路瞬间加以保护。因此驱动器的设计过程中，保护功能设计得是否完善，对系统的安全运行尤其重要。
上传时间： 2022-06-22
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IGBT是MOSFET和GTR的复合器件，它具有开关速度快、热稳定性好、驱动功率小和驱动电路简单的特点，又具有通态压降小、耐压高和承受电流大等优点.IGBT作为主流的功率输出器件，特别是在大功率的场合，已经被广泛的应用于各个领域。本文在介绍了1GBT结构、工作特性的基础上，针对风电变流器实验平台和岸电电源的实际应用，选择了各自的IGBT模块。然后对IGBT的驱动电路进行了深入地研究，详细地说明了IGBT对栅极驱动的一些特殊要求及应该满足的条件。接着对三种典型的驱动模块进行了分析，同时分别针对风电变流器实验平台和岸电电源，设计了三菱的M57962AL和Concept的2SD315A驱动模块的外围驱动电路。对于大功率的设备，电路中经常会遇到过流、过压、过温的问题，因此必要的保护措施是必不可少的。针对上述问题，本文分析了出现各种状况的原因，并给出了各自的解决方案：采用分散式和集中式过流保护相结合的方法实现过电流保护；采用缓存吸收电路及采样检测电路以防止过电压的出现；通过选择正确的散热器及利用铂电阻的特性来实施检测温度，从而使电路能够更好地可靠运行。同时，为了满足今后1.5MW风电变流器和试验电源等更大功率设备的需求，在性价比上更倾向于采用IGBT模块串、并联的方式来取代高耐压、大电流的单管1GBT.本文就同一桥臂的IGBT串联不均压，并联不均流的问题进行了阐述，并给出了相应的解决方案。最后针对上述的不平衡情形，采用PSpice对其进行仿真模拟，并通过加入均压、均流电路后的仿真结果，有效地说明了电路的可行性。
上传时间： 2022-06-22
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AR0231AT7C00XUEA0-DRBR（RGB滤光）安森美半导体推出采用突破性减少LED闪烁 (LFM)技术的新的230万像素CMOS图像传感器样品AR0231AT，为汽车先进驾驶辅助系统(ADAS)应用确立了一个新基准。新器件能捕获1080p高动态范围(HDR)视频，还具备支持汽车安全完整性等级B(ASIL B)的特性。LFM技术(专利申请中)消除交通信号灯和汽车LED照明的高频LED闪烁，令交通信号阅读算法能于所有光照条件下工作。AR0231AT具有1/2.7英寸(6.82 mm)光学格式和1928(水平) x 1208(垂直)有源像素阵列。它采用最新的3.0微米背照式(BSI)像素及安森美半导体的DR-Pix™技术，提供双转换增益以在所有光照条件下提升性能。它以线性、HDR或LFM模式捕获图像，并提供模式间的帧到帧情境切换。 AR0231AT提供达4重曝光的HDR，以出色的噪声性能捕获超过120dB的动态范围。AR0231AT能同步支持多个摄相机，以易于在汽车应用中实现多个传感器节点，和通过一个简单的双线串行接口实现用户可编程性。它还有多个数据接口，包括MIPI(移动产业处理器接口)、并行和HiSPi(高速串行像素接口)。其它关键特性还包括可选自动化或用户控制的黑电平控制，支持扩频时钟输入和提供多色滤波阵列选择。封装和现状：AR0231AT采用11 mm x 10 mm iBGA-121封装，现提供工程样品。工作温度范围为-40℃至105℃(环境温度)，将完全通过AEC-Q100认证。
标签： 图像传感器
上传时间： 2022-06-27
上传用户：XuVshu
超低成本电路简单N-6W （AC85-264V）IC原厂设计制造...pdf 971KB2020-03-03 16:54 解开关电源电路说解.pdf 487KB2020-03-03 16:54 开关电源设计(第3版)中文.pdf 58.2M2020-03-03 16:54 开关电源原理与设计.pdf 4M2020-03-03 16:54 单片开关电源最新应用技术.pdf 7.8M2020-03-03 16:54 超低成本电路简单 5V 精密基准稳压源IC.pdf 263KB2020-03-03 16:54 实用电池充电器与保护器电路集锦.pdf 6.6M2020-03-03 16:54 开关电源的主要元器件.pdf 338KB2020-03-03 16:54 开关电源设计第二版.pdf 31.5M2020-03-03 16:54 精通开关电源设计.pdf 133.7M2020-03-03 16:54 开关电源知识.rar 479KB2020-03-03 16:54 仙童开关电源设计软件Off-lineSMPSDesignTools1.6.zip 5.3M2020-03-03 16:54 开关电源的原理与设计.pdf 17.9M2020-03-03 16:54 开关电源原理与设计-经典.pdf 682KB2020-03-03 16:54 特种集成电源最新应用技术.pdf 7.6M2020-03-03 16:54 更新.zip 144.4M2020-03-03 16:54 现代高频感应加热电源工程设计与应用.pdf 23.8M2020-03-03 16:54 开关电源EMI整改经验总结.pdf 51KB2020-03-03 16:54 开源力量新版在线学习网站开通啦！.txt 6KB2020-03-03 16:54 开关稳压电源--原理、设计与实用电路.pdf 7.4M2020-03-03 16:54 开关电源简介.pdf 68KB2020-03-03 16:54 超低成本电路简单K-24. IC原厂设计制造..pdf 394KB2020-03-03 16:54 开关电源的结构和基本原理.pdf 9M2020-03-03 16:54 超低成本电路简单L-12W（AC85-264V）. IC原厂设计制造.pdf 717KB2020-03-03 16:54 超低成本电路简单K.18W（AC85-264V）. IC原厂设计制造..pdf 394KB2020-03-03 16:54 变压器基础知识培训教材.pdf 954KB2020-03-03 16:54 现代电源设计大全.pdf 7.2M2020-03-03 16:54 开关电源变压器的设计公式.pdf 264KB2020-03-03 16:54 开关电源简介-经典资料.pdf 14KB2020-03-03 16:54 开关电源功率变压器设计.pdf 187KB2020-03-03 16:54 [精通开关电源设计](Switching.Power.Supplies.A.To.Z).Sanjaya.Maniktala.扫描版.PDF 33.9M2020-03-03 16:54 开关电源抑制噪声技术.pdf 283KB2020-03-03 16:54 刘坚强电源维修视频.zip 2.19G2020-03-03 16:54 现代逆变技术及其应用.pdf 6.6M2020-03-03 16:54
上传时间： 2013-08-05
上传用户：eeworm
江苏宏微科技是一家设计生产半导体器件的高科技公司，公司设计生产各种具有自主知识产权的功率半导体器件。在公司的系列化产品中， IGBT以其高的性价比，高可靠性成为客户在电源设计领域的首选
上传时间： 2013-07-08
上传用户：diertiantang
特点： 精确度0.1%满刻度 可作各式數學演算式功能如:A+B/A-B/AxB/A/B/A&B(Hi or Lo)/|A|/ 16 BIT类比输出功能 输入与输出绝缘耐压2仟伏特/1分钟(input/output/power) 宽范围交直流兩用電源設計 尺寸小,穩定性高
上传时间： 2014-12-23
上传用户：ydd3625
特点(FEATURES) 精确度0.1%满刻度 (Accuracy 0.1%F.S.) 可作各式数学演算式功能如:A+B/A-B/AxB/A/B/A&B(Hi or Lo)/|A| (Math functioA+B/A-B/AxB/A/B/A&B(Hi&Lo)/|A|/etc.....) 16 BIT 类比输出功能(16 bit DAC isolating analog output function) 输入/输出1/输出2绝缘耐压2仟伏特/1分钟(Dielectric strength 2KVac/1min. (input/output1/output2/power)) 宽范围交直流两用电源设计(Wide input range for auxiliary power) 尺寸小,稳定性高(Dimension small and High stability)
上传时间： 2013-11-24
上传用户：541657925
提出了一种以现代化的单片机控制技术为基础，结合D/A转换、模拟电子开关、功率放大、液晶显示和串行通信等技术实现对铁磁材料的磁滞回线进行测量的新方法，并在该方法的基础上成功设计并研制出一种新型智能励磁仪，将新仪器与分析仪、上位机等进行联机试验，结果表明新仪器具有更加友好的用户界面，所得实验数据的精度高、可靠性好。同时新仪器具有手动/自动两种工作模式，且可以实现与上位机的数据通信，自动化和智能化程度大大提高。
上传时间： 2013-11-20
上传用户：sunchao524
/*--------- 8051内核特殊功能寄存器 -------------*/ sfr ACC = 0xE0; //累加器 sfr B = 0xF0; //B 寄存器 sfr PSW = 0xD0; //程序状态字寄存器 sbit CY = PSW^7; //进位标志位 sbit AC = PSW^6; //辅助进位标志位 sbit F0 = PSW^5; //用户标志位0 sbit RS1 = PSW^4; //工作寄存器组选择控制位 sbit RS0 = PSW^3; //工作寄存器组选择控制位 sbit OV = PSW^2; //溢出标志位 sbit F1 = PSW^1; //用户标志位1 sbit P = PSW^0; //奇偶标志位 sfr SP = 0x81; //堆栈指针寄存器 sfr DPL = 0x82; //数据指针0低字节 sfr DPH = 0x83; //数据指针0高字节 /*------------ 系统管理特殊功能寄存器 -------------*/ sfr PCON = 0x87; //电源控制寄存器 sfr AUXR = 0x8E; //辅助寄存器 sfr AUXR1 = 0xA2; //辅助寄存器1 sfr WAKE_CLKO = 0x8F; //时钟输出和唤醒控制寄存器 sfr CLK_DIV = 0x97; //时钟分频控制寄存器 sfr BUS_SPEED = 0xA1; //总线速度控制寄存器 /*----------- 中断控制特殊功能寄存器 --------------*/ sfr IE = 0xA8; //中断允许寄存器 sbit EA = IE^7; //总中断允许位 sbit ELVD = IE^6; //低电压检测中断控制位 8051
上传时间： 2013-10-30
上传用户：yxgi5
#include<iom16v.h> #include<macros.h> #define uint unsigned int #define uchar unsigned char uint a,b,c,d=0; void delay(c) { for for(a=0;a<c;a++) for(b=0;b<12;b++); }; uchar tab[]={ 0xc0,0xf9,0xa4,0xb0,0x99,0x92,0x82,0xf8,0x80,0x90,
上传时间： 2013-10-21
上传用户：13788529953
