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平行耦合

  • 隔直旁路电容及扼流电感的取值

    这里仅讨论电容及电感值的选取。种类的选取,则需要更多的工程实践,更多的RF电路的经验,这里不再讨论。从理论上讲,隔直电容、旁路电容的容量应满足。显然,在任何角频率下,这在工程上是作不到的。电容量究竟取多大是合理的呢?图1-5(a),(b)给出了隔直电容(多数情况下,这个电容又称为耦合电容)和旁路电容的使用简化

    标签: 旁路电容 扼流 电感

    上传时间: 2013-11-12

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  • 电流型PWM整流器的控制器设计

    电流型PWM整流器因其良好的功率因数和直流电流源特性,可望在某些场合取代产生大量谐波的二极管或晶闸管相控整流装置,但是由于其本身的强耦合非线性特性,使得变流器常采用复杂的直接电流控制策略,从而使控制器的设计非常复杂。文中提出一种改进的基于d-q坐标系的间接电流控制方法,在电网电压平衡情况下,通过解耦控制,能获得线性的动态响应。

    标签: PWM 电流型 整流器 制器设计

    上传时间: 2014-12-24

    上传用户:asaqq

  • DN509 - 具6V至100V输入电压范围的微功率隔离反激式转换器

    与其他的隔离式拓扑相比,反激式转换器因其相对简单和成本低而在隔离式 DC/DC 应用中得到了广泛的运用。即使如此,设计传统的反激式转换器并非易事,变压器需要谨慎的设计,而且众所周知的右半平面 (RHP) 零点以及光耦合器的传播延迟会使环路补偿复杂化。

    标签: 100V 509 DN 输入

    上传时间: 2013-11-04

    上传用户:ouyang426

  • 一款485通讯隔离产品的EMC设计与改善

    电子、电气产品的设计,必须保证在一定的电磁环境中能正常工作,既满足标准规定的抗干扰极限值要求,在受到一定的电磁干扰时,无性能降级或故障;又要满足标准规定的电磁辐射极限值的要求,对电磁环境不构成污染。所以,产品设计之初,就要从分析产品预期的电磁环境、干扰源、耦合途径和敏感部件入手,采用相应的技术措施,抑制干扰源、切断或削弱耦合途径,增强敏感部件的抗干扰能力等。文中详细介绍了一款485通讯隔离产品从辐射超标到顺利通过FCC CLASS B认证,在原理设计、PCB制板等多方面所做的各项改进措施。文中所提到的方法及规则,对产品EMC设计具有很大的参考及指导意义。

    标签: 485 EMC 通讯隔离

    上传时间: 2013-10-24

    上传用户:sz_hjbf

  • ADUM3200双通道数字隔离器

    ADuM320x是采用ADI公司iCoupler® 技术的双通道数字隔离器。这些隔离器件将高速CMOS与单芯片变压器技术融为一体,具有优于光耦合器等替代器件的出色性能特征。 iCoupler器件不用LED和光电二极管,因而不存在一般与光耦合器相关的设计困难。简单的iCoupler 数字接口和稳定的性能特征,可消除光耦合器通常具有的电流传输比不确定、非线性传递函数以及温度和使用寿命影响等问题。这些iCoupler 产品不需要外部驱动器和其它分立器件。此外,在信号数据速率相当的情况下,iCoupler 器件的功耗只有光耦合器的1/10至1/6。 ADuM320x隔离器提供两个独立的隔离通道,支持多种通道配置和数据速率(请参考数据手册“订购指南”部分)。两款器件均可采用2.7 V至5.5 V电源电压工作,与低压系统兼容,并且能够跨越隔离栅实现电压转换功能。ADuM320x隔离器具有已取得专利的刷新特性,可确保不存在输入逻辑转换时及上电/关断条件下的直流正确性。 与ADuM120x隔离器相比,ADuM320x隔离器包含多项电路和布局改进,系统级IEC 61000-4-x测试(ESD、突波和浪涌)显示其性能大大增强。对于ADuM120x或ADuM320x产品,这些测试的精度主要取决于用户电路板或模块的设计与布局。 应用 --尺寸至关重要的多通道隔离 --SPI 接口/数据转换器隔离 --RS-232/RS-422/RS-485收发器隔离 --数字现场总线隔离 特性: 增强的系统级ESD保护性能,符合IEC 61000-4-x标准 工作温度最高可达:125℃ 8引脚窄体SOIC封装,符合RoHS标准 技术指标: 高共模瞬变抗扰度:>25 kV/μs 双向通信 - 3 V/5 V 电平转换 - 高数据速率:dc 至 25 Mbps(NRZ)

    标签: ADUM 3200 双通道 数字隔离器

    上传时间: 2013-10-11

    上传用户:skhlm

  • ADuM1200双通道数字隔离器

    ADUM1201: 双通道数字隔离器(1/1通道方向性) ADuM120x 是采用ADI公司iCoupler® 技术的双通道数字隔离器。这些隔离器件将高速CMOS与单芯片变压器技术融为一体,具有优于光耦合器等替代器件的出色性能特征。 iCoupler器件不用LED和光电二极管,因而不存在一般与光耦合器相关的设计困难。简单的iCoupler 数字接口和稳定的性能特征,可消除光耦合器通常具有的电流传输比不确定、非线性传递函数以及温度和使用寿命影响等问题。这些iCoupler产品不需要外部驱动器和其它。 特性: 8引脚窄体SOIC封装,符合RoHS标准 低功耗工作 双向通信 3 V/5 V电平转换 工作温度最高可达125°C

    标签: ADuM 1200 双通道 数字隔离器

    上传时间: 2014-01-17

    上传用户:hui626493

  • S11MD5V中文资料

    光敏耦合器

    标签: S11 MD5 11 MD

    上传时间: 2014-01-03

    上传用户:huanglang

  • 基于级联多电平逆变器的STATCOM研究

    本文提出用级联多电平逆变器取代变压器多重化结构的STATCOM 拓扑结构,用载波相移正弦脉宽调制技术(Carrier phase-shifted SPWM,以下简称CPS-SPWM)取代工频调制。这种基于CPS-SPWM 级联多电平逆变器的STATCOM 不仅去掉了多重化变压器,而且用较低的开关频率可以获得较高的等效开关频率的输出效果,简化了滤波;针对电力系统强耦合、非线性的特征,本文提出了将自抗扰控制应用于STATCOM 装置的控制策略,此控制策略不但可以大大缩短动态过程,改善系统的动态性能,而且具有较强的鲁棒性。

    标签: STATCOM 级联 电平逆变器

    上传时间: 2013-11-20

    上传用户:maqianfeng

  • MPP CCD暗电流温度特性研究

    研究了MPP电荷耦合器件(CCD)暗电流和暗电流非均匀性的温度特性,并与非MPP CCD的暗电流和暗电流非均匀性的温度特性进行了对比分析。研究结果表明,MPP CCD抑制了表面暗电流,相较于非MPP CCD具有较低的暗电流和暗电流非均匀性,可以承受更高的工作温度。

    标签: MPP CCD 电流 温度特性

    上传时间: 2013-10-23

    上传用户:netwolf

  • CMOS射频功率放大器中的变压器合成技术

    设计了一种可在CMOS射频功率放大器中用于功率合成的宽带变压器。通过对变压器的并联和串联两种功率合成形式进行分析与比较,指出了匝数比、功率单元数目以及寄生电阻对变压器功率合成性能的影响;提出了一种片上变压器的设计方法,即采用多层金属叠层并联以及将功放单元内置于变压器线圈中的方式,解决了在CMOS工艺中设计变压器时面临的寄生电阻过大及有效耦合长度不足等困难。设计的变压器在2~3 GHz频段内的损耗小于1.35 dB,其功率合成效率高达76 以上,适合多模多频段射频前端的应用。

    标签: CMOS 射频功率放大器 变压器 合成技术

    上传时间: 2014-12-24

    上传用户:ewtrwrtwe