1、平台介绍 公司开发平台非常完备,分别是PHS、GSM、CDMA、WCDMA。 自研PDA产品p500已经上市。 TD-SCDMA也在预研中。 固定台产品线也已经成立。 2、方案介绍 GSM部分主要由TI方案和ADI方案,其中ADI方案比较成熟。 CDMA部分主要为QUALCOMM方案。 PHS部分主要为OKI(日本冲电气公司)方案和KYOCERA方案。 WCDMA部分主要是QUALCOMM方案,ADI方案还在预研中。 PDA目前主要是INTEL方案。 3、硬件总体框图 ADI430平台 二、基带硬件组成 1、基带套片构成 2、基带套片浏览 3、套片功能介绍 4、基带结构框图 5、射频接口 6、关键技术简介 7、功能单元
上传时间: 2013-12-26
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带串口的超声波
上传时间: 2013-12-27
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MPU6050数据分析与滤波,三轴加速度传感器
上传时间: 2013-10-15
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隔离放大器IC___产品特点: 1.精度等级:0.1级、0.2级、0.5级。 2.0-2.5V/0-5V/0-10V/1-5V等标准电压信号、0-1mA/ 0-10mA/0-20mA/4-20mA等标准电流信号输入, 输出标准的隔离信号。 3.输出电压信号:0-5V/0-10V/1-5V、输出电流信号:0-10mA/0-20mA/4-20mA,具有高带载能力。 4.全量程范围内极高的线性度(非线性度<0.2%) 隔离放大器IC___应用举例: 1.直流电流/电压信号的隔离、转换及放大 2.模拟信号地线干扰抑制及数据隔离采集 3.信号远程无失传输 4.电力监控、医疗设备隔离安全栅 5.一进一出、一进两出、两进两出模拟信号转换 隔离放大器IC___产品型号及定义 连续隔离电压值: 3000VDC 电源电压输入范围: ±10%Vin 焊接温度(10秒): +300℃ AOT -U(A)□ -P□- O□ 输入电压或电流信号值 U1:0-5V A1:0—1mA U2:0-10V A2: 0—10mA U3:0-75mV A3: 0—20mA U4:0-2.5V A4: 4—20mA U5:0-±5V A5:0—±1mA U6:0-±10V A6: 0—±10mA U7:0-±100mV A7: 0—±20mA U8:用户自定义 A8: 用户自定义 隔离放大器IC___辅助电源 P1:DC24V P2:DC12V P3:DC5V P4:DC15V P5:用户自定义 隔离放大器IC____输出信号 O1: 4-20mA O2: 0-20mA O4: 0-5V O5: 0-10V O6: 1-5V O7: 0-±5V O8: 0-±10V O9: -20-+20mA O10: 用户自定义 隔离放大器IC___产品特征: 奥通 光耦隔离系列产品是通过模拟信号(线性光耦)隔离放大,转换按比列输出的一种信号隔离放大器,产品抗干扰强。广泛应用在电力、工业控制转换,仪器仪表、远程监控、医疗设备、工业自控等需要电量隔离测控的行业。光耦隔离系列产品属于双隔离产品,输入信号与辅助电源隔离,辅助电源与输出隔离 ,隔离电压3000VDC 隔离放大器IC___产品说明: 1.SIP12脚符合UL94V-0标准阻燃封装 2.只需外接电位器既可调节零点和增益 3.电源、信号、输入输出 3000VDC隔离 4.工业级温度范围:-45~+85度 5.有较强的抗EMC电磁干扰和高频信号空间干扰特性 6.大小: 32.0mm*13.8mm*8.8mm
上传时间: 2014-01-04
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高通系列处理器深度分析
上传时间: 2013-10-17
上传用户:copu
提取基波分量的高精度快速滤波算法
上传时间: 2013-10-09
上传用户:brilliantchen
高通(Qualcomm)不只是一家在移动SoC芯片和3G通信技术上造诣颇深的公司,而且是一家拥有移动GPU自主设计能力和生产能力的公司。移动GPU是SoC芯片的一部分,与ARM架构的通用处理器(CPU)一起构成SoC芯片体现应用性能的两个重要部分。
上传时间: 2013-11-17
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高通智能手机芯片列表,向大家列举了高通的众多芯片
上传时间: 2013-10-12
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SmartARM9B92 是由广州致远电子有限公司完全按照工业级标准(EMC/EMI)设计开发的一款通用工控/教学开发平台,其核心控制器采用了TI 公司最新推出的LM3S9000 系列芯片。LM3S9000 在通用处理性能方面取得了最新突破,实现了连接性、存储器配置与高级运动控制的完美结合。SmartARM9B92 开发平台提供了丰富的接口:外部总线接口(EPI)、USB OTG 接口、10/100Mbps 以太网接口、带电气隔离的CAN 接口、电机驱动板接口、带电气隔离的RS-485 接口、I2S 音频接口、UART/Modem 接口和SD 卡接口等,同时集成了大容量存储器,包括SRAM、SDRAM、NOR Flash 和NAND Flash。SmartARM9B92平台将LM3S9B92 的功能特性发挥的淋漓尽致,最大程度上满足客户的应用需求。
上传时间: 2013-10-31
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第1章 微带扇形偏置电路基本理论之一 1 第2章 扇形微带偏置理论之二 4 第3章 利用ADS仿真设计扇形微带偏置的整个过程 6 3.1 计算10GHz时四分之一波长高阻线(假设设计阻抗为100欧)的长度和宽度。 7 3.2 将高阻线和扇形微带放入电路中,并仿真和优化(注意优化的变量都有哪些) 7 3.3 仿真结果分析(关键) 9 3.4 生成版图 10 3.5 导出到autoCAD中并填充 11 第4章 有助于加深理解扇形微带偏置原理的ADS仿真分析 11 4.1 单根四分之一波长微带线的仿真 11 4.2 四分之一波长微带线+扇形微带线的仿真 12 4.3 我的理解 12
上传时间: 2013-10-15
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