工艺要求
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查看全部 500 份 →使用0.18um 标准 CMOS 的工艺设计
使用0.18um 标准 CMOS 的工艺设计，内嵌ASIX CORE（32 位RISC 内核，兼容ARM720T，带8KB 指令数 据Cache 和全功能MMU），采用冯诺依曼结构
2016-09-07
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MEMS真空熔焊封装工艺研究
MEMS真空封装是提高MEMS惯性器件性能的主要手段。本文应用实验方法，在真空熔焊工艺设备上研究了MEMS器件金属外壳真空封装工艺。对不同镀层结构的外壳进行了封装实验比较和气密性测试，结果发现，金属外壳表面镀Ni和镀Au或管座表面镀Ni和A...
2016-07-26
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