电源是电子设备的重要组成部分，其性能的优劣直接影响着电子设备的稳定性和可靠性，随着电子技术的发展，电子设备的种类越来越多，其对电源的要求也更加灵活多样，因此如何很好的解决系统的电源问题已经成为了系统成败的关键因素。本论文研究选取了BICMOS工艺，具有功耗低、集成度高、驱动能力强等优点.根据电流模式的PWM控制原理，研究设计了一款基于BICMOS工艺的双相DC-DC电源管理芯片。本电源管理芯片自动控制两路单独的转换器工作，两相结构能提供大的输出电流，但是在开关上的功耗却很低。芯片能够精确的调整CPU核心电压，对称不同通道之间的电流。本电源管理芯片单独检测每一通道上的电流，以精确的获得每个通道上的电流信息，从而更好的进行电流对称以及电路的保护。文中对该DC-DC电源管理芯片的主要功能模块，如振荡器电路、锯齿波发生电路、比较器电路、平均电流电路、电流检测电路等进行了设计并给出了仿真验证结果。该芯片只需外接少数元件就可构成一个高性能的双相DC-DC开关电源，可广泛应用于CPU供电系统等。通过应用Hspice软件对该变换器芯片的主要模块电路进行仿真，验证了设计方案和理论分析的可行性和正确性，同时在芯片模块电路设计的基础上，应用0.8umBICMOS工艺设计规则完成了芯片主要模块的版图绘制，编写了DRC.LVS文件并验证了版图的正确性。所设计的基于BICMOS工艺的DC-DC电源管理芯片的均流控制电路达到了预期的要求。
标签： DC-DC电源管理
上传时间： 2022-06-26
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脉宽调制(PWM)DC/DC充全桥变换器适用于中大功率变换场合，为了实现其高效率、高功率密度和高可靠性，有必要研究其软开关技术。《脉宽调制DC/DC全桥变换器的软开关技术（第二版）》系统阐述PWM DC/民金桥变换器的软开关技术。系统提出DC/DC金桥变换器的一族PWM控制方式，并对这些PWM控制方式进行分析，指出为了实现PWM DC/DC全桥变换器的软开关，必须引人超前桥臂和滞后桥臂的概念，而且超前桥臂只能实现零电压开关(ZVS)，滞后桥臂可以实现ZVS或零电流开关(ZCS)钮根据超前桥臂和滞后桥臀实现软开关的方式，将软开关PWM DC/DC全桥变换器归纳为ZVS和ZVZCS两种类型，并讨论这两类变换器的电路拓扑、控制方式和工作原理。提出消除输出整流二极管反向恢复引起的电压振荡的方法，包括加入籍位二极管与电流互感器和采用输出倍流整流电路方法。介绍PWM DC/DC全桥变换器的主要元件，包括输入滤波电容、高频变压器、输出滤波电感和滤波电容的设计，介绍移相控制芯片UC3875的使用以及IGBT和MOSFET的驱动电路，给出一种采用ZVS PWM DC/DC全桥变换器的通讯用开关电源的设计实例。
标签： 脉宽调制 DC/DC全桥变换器 软开关
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技术向：USBType-C工作原理深度解析
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声光控楼道灯技术资料本电路设计工作电压为市电220V，用于控制5-60W以内的白炽灯通断电
标签： 声光控楼道灯
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军用产品研制技术文件编写范例 范例8 标准化工作报告 15P 6M.pdf
标签： 军用产品研制
上传时间： 2022-07-22
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电子元器件抗ESD技术讲义:引 言 4 第1 章 电子元器件抗ESD损伤的基础知识 5 1.1 静电和静电放电的定义和特点 5 1.2 对静电认识的发展历史 6 1.3 静电的产生 6 1.3.1 摩擦产生静电 7 1.3.2 感应产生静电 8 1.3.3 静电荷 8 1.3.4 静电势 8 1.3.5 影响静电产生和大小的因素 9 1.4 静电的来源 10 1.4.1 人体静电 10 1.4.2 仪器和设备的静电 11 1.4.3 器件本身的静电 11 1.4.4 其它静电来源 12 1.5 静电放电的三种模式 12 1.5.1 带电人体的放电模式(HBM) 12 1.5.2 带电机器的放电模式（MM） 13 1.5.3 充电器件的放电模型 13 1.6 静电放电失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效机理 15 第2章 制造过程的防静电损伤技术 2.1 静电防护的作用和意义 2.1.1 多数电子元器件是静电敏感器件 2.1.2 静电对电子行业造成的损失很大 2.1.3 国内外企业的状况 2.2 静电对电子产品的损害 2.2.1 静电损害的形式 2.2.2 静电损害的特点 2.2.3 可能产生静电损害的制造过程 2.3 静电防护的目的和总的原则 2.3.1 目的和原则 2.3.2 基本思路和技术途径 2.4 静电防护材料 2.4.1 与静电防护材料有关的基本概念 2.4.2 静电防护材料的主要参数 2.5 静电防护器材 2.5.1 防静电材料的制品 2.5.2 静电消除器（消电器、电中和器或离子平衡器） 2.6 静电防护的具体措施 2.6.1 建立静电安全工作区 2.6.2 包装、运送和存储工程的防静电措施 2.6.3 静电检测 2.6.4 静电防护的管理工作 第3章 抗静电检测及分析技术 3.1 抗静电检测的作用和意义 3.2 静电放电的标准波形 3.3 抗ESD检测标准 3.3.1 电子元器件静电放电灵敏度（ESDS）检测及分类的常用标准 3.3.2 标准试验方法的主要内容（以MIL-STD-883E 方法3015.7为例） 3.4 实际ESD检测的结果统计及分析 3.4.1 试验条件 3.4.2 ESD评价试验结果分析 3.5 关于ESD检测中经常遇到的一些问题 3.6 ESD损伤的失效定位分析技术 3.6.1 端口I－V特性检测 3.6.2 光学显微观察 3.6.3 扫描电镜分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光辐射显微分析技术 3.6.6 分层剥离技术 3.6.7 小结 3.7 ESD和EOS的判别方法讨论 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS对器件损伤的分析判别方法 第4 章 电子元器件抗ESD设计技术 4.1 元器件抗ESD设计基础 4.1.1抗ESD过电流热失效设计基础 4.1.2抗场感应ESD失效设计基础 4.2元器件基本抗ESD保护电路 4.2.1基本抗静电保护电路 4.2.2对抗静电保护电路的基本要求 4.2.3 混合电路抗静电保护电路的考虑 4.2.4防静电保护元器件 4.3 CMOS电路ESD失效模式和机理 4.4 CMOS电路ESD可靠性设计策略 4.4.1 设计保护电路转移ESD大电流。 4.4.2 使输入/输出晶体管自身的ESD阈值达到最大。 4.5 CMOS电路基本ESD保护电路的设计 4.5.1 基本ESD保护电路单元 4.5.2 CMOS电路基本ESD保护电路 4.5.3 ESD设计的辅助工具－TLP测试 4.5.4 CMOS电路ESD保护设计方法 4.5.5 CMOS电路ESD保护电路示例 4.6 工艺控制和管理
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本书系统论述DC-DC高频开关电源的工作原理与工程设计方法。主要包括：PWM变换器和软开关PWM变换器的电路拓扑、原理、控制、动态分析及稳定校正；功率开关元件MOSFET、IGBT的特性及应用；智能功率开关变换器的原理与应用；磁性元件的特性与设计计算方法；开关电源中有源功率因数校正；同步整流与并联均流等技术；PWM开关电源的可靠稳定性与制作问题；开关电源的数字仿真方法、计算机辅助优化设计和最优控制方法等。
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专辑类-实用电子技术专辑-385册-3.609G 功率半导体的工作原理..pdf
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专辑类-实用电子技术专辑-385册-3.609G 恒流源及其应用电路-561页-8.7M.pdf
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专辑类-测试技术专辑-134册-1.93G 频谱分析仪的工作原理-3页-0.2M.pdf
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