射频CMOS
共 65 篇文章
射频CMOS 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 65 篇文章，持续更新中。
磁珠的原理及应用
<P><FONT face=宋体>由于电磁兼容的迫切要求，电磁干扰</FONT>(EMI)<FONT face=宋体>抑制元件获得了广泛的应用。然而实际应用中的电磁兼容问题十分复杂，单单依靠理论知识是完全不够的，它更依赖于广大电子工程师的实际经验。为了更好地解决电子产品的电磁兼容性这一问题，还要考虑接地、</FONT> <FONT face=宋体>电路与</FONT>PCB<FONT face=宋
射频遥控在家电遥控器中的应用电路图
射频遥控在家电遥控器中的应用电路图
低功耗高速跟随器的设计
提出了一种应用于CSTN-LCD系统中低功耗、高转换速率的跟随器的实现方案。基于GSMC±9V的0.18 μm CMOS高压工艺SPICE模型的仿真结果表明，在典型的转角下，打开2个辅助模块时，静态功耗约为35 μA；关掉辅助模块时，主放大器的静态功耗为24 μA。有外接1 μF的大电容时，屏幕上的充放电时间为10 μs；没有外接1μF的大电容时，屏幕上的充放电时间为13μs。验证表明，该跟随器能
宽频带高功率射频脉冲功率放大器
利用MOS场效应管(MOSFET)，采取AB类推挽式功率放大方式，采用传输线变压器宽带匹配技术，设计出一种宽频带高功率射频脉冲功率放大器模块，其输出脉冲功率达1200W，工作频段0.6M~10MHz。调试及实用结果表明，该放大器工作稳定，性能可靠
CMOS版图设计技巧之一
CMOS版图设计技巧之一
ISM射频产品的晶体频率计算
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Abstract: Many industrial/scientific/medical (ISM) band radio frequency (RF) products use crystal oscillators to generate areference for the phase-locked loop (PLL)-based local oscillator (LO).
LM393中文资料
<span style="color: rgb(51, 51, 51); font-family: Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif, 宋体; font-size: 14px; line-height: 25px; text-align: left; background-color: rgb(247, 253, 255); ">LM393是双电压比较器集
3GHz射频信号源模块GR6710
产品概要： 3GHz射频信号源模块GR6710是软件程控的虚拟仪器模块，可以通过测控软件产生9kHz到3GHz的射频信号源和AM/FM/CW调制输出，具有CPCI、PXI、SPI、RS232、RS485和自定义IO接口。 产品描述： 3GHz射频信号源模块GR6710是软件程控的虚拟仪器模块，可以通过测控软件产生9kHz到3GHz的射频信号源和AM/FM/CW调制输出，还可以通过IQ选件实现其它任
高等模拟集成电路
近年来，随着集成电路工艺技术的进步，电子系统的构成发生了两个重要的变化： 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心，一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上（称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用，并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模，而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点，因而大多数复杂系统以数
拉扎维模拟CMOS集成电路设计(前十章全部课件)
拉扎维的前十章课件，初学者看看
一种带振幅调节的晶体振荡器
<span id="LbZY">设计了一种带振幅控制的晶体振荡器，用于32 768 Hz的实时时钟。振幅调节环采用源接地振荡器形式来得到高的频率稳定性和低的功耗。使用MOS管电阻有效的减小了版图面积。电路在0.35 μm、5 V CMOS工艺上实现，仿真和测试结果都能满足设计要求。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/31-
一种新的ISM频段低噪声放大器设计方法
为解决ISM频段低噪声放大器降低失配与减小噪声之间的矛盾,提出了一种改善放大器性能的设计方法.分析了单项参数的变化规律,提出了提高综合性能的方法,给出了放大器封装模型的电路结构.对射频放大器SP模型和封装模型进行仿真.仿真结果表明,输入和输出匹配网络对放大器的性能有影响,所提出的设计方法能有效分配性能指标,为改善ISM频段低噪声放大器的性能提出了一种新的途径
射频电路设计很好的PPT
射频电路设计很好的PPT
Construction Strategy of ESD P
Construction Strategy of ESD Protection Circuit<BR>Abstract： The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic concept<BR>ions of ESD protection design are presented.<BR>Key wo
如何选择正确的CMOS模拟开关
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Abstract: With the large number of analog switches on the market today, there are many performance criteria for a product designer to consider. This application note reviews the basic construct
（全美经典）工程电磁场基础
关于工科电磁场理论的基础教材，是无线电通信技术、射频技术基础。。。。。。
复旦cmos学习课件(模拟集成电路设计原理)
这是在网上找了好久的课件，比较不错，上面还有我的笔记，主要讲解模拟集成电路设计原理。
模拟电子基础器件动画模拟视频教程1
用动画的方式进行模拟，介绍模电里的基础性原理，像PN节 二极管 三极管 CMOS
CMOS器件抗静电措施的研究
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<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">由于CMOS器件静电损伤90%是延迟失效，对整机应用的可靠性影响太大，因而有必要对CMOS器件进行抗静电措施。本文描述了CMOS器件受静电损伤的机理，从而对设计人员提出了几种在线路设计中如何抗静电，以保护CM
MT-012 ADC需要考虑的交调失真因素
交调失真(IMD)是用于衡量放大器、增益模块、混频器和其他射频元件线性度的一项常用 指标。二阶和三阶交调截点(IP2和IP3)是这些规格参数的品质因素，以其为基础可以计算 不同信号幅度下的失真积。虽然射频工程师们非常熟悉这些规格参数，但当将其用于ADC 时往往会产生一些困惑。本教程首先在ADC的框架下对交调失真进行定义，然后指出将 IP2和IP3的定义应用于ADC时必须采取的一些预防措施。