射频驱动
共 65 篇文章
射频驱动 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 65 篇文章，持续更新中。
ADI技术指南合集之射频
ADI技术指南合集（第一版）射频及高速器件，
射频集成电路设计John Rogers(Radio Freq
<P>Radio Frequency Integrated Circuit Design</P>
<P>I enjoyed reading this book for a number of reasons. One reason is that it<BR>addresses high-speed analog design in the context of microwave issues.
带有增益提高技术的高速CMOS运算放大器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构，利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度，100 MS/s采样频率的高速流
基于AD8362的射频功率计设计
用AD8362制作功率计，用于测量射频功率
DN494 - 驱动一个低噪声、低失真18位、1.6Msps ADC
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LTC®2379-18 是一款 18 位、1.6Msps SAR ADC，具有极高的 SNR (101dB) 和 THD (–120dB)。该器件还具有一种独特的数字增益压缩功能，因而免除了在 ADC驱动器电路中增设一个负电源的需要。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-13052
PCF8591的AD和DA程序
PCF8591AD和DA驱动程序
模拟示波器驱动
东震三号模拟示波器
MT-019 DAC接口基本原理
本教程概述与内置基准电压源、模拟输出、数字输入和时钟驱动器的DAC接口电路相关的 一些重要问题。由于ADC也需要基准电压源和时钟，因此本教程中与这些主题相关的大多 数概念同样适用于ADC。
传输线变压器在射频功率放大器中的应用
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介绍由传输线变压器(又称为魔T 混合网络) 构成功率合成和功率分配的工作原理以及在射频大功率放大器中的应用。<br />
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基于N沟道MOS管H桥驱动电路设计与制作
基于N沟道MOS管H桥驱动电路设计与制作
基于第二代电流传输器的积分器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 20.909090042114258px; ">介绍了一种基于低压、宽带、轨对轨、自偏置CMOS第二代电流传输器（CCII）的电流模式积分器电路，能广泛应用于无线通讯、
功率MOSFET驱动保护电路方案
分析了对功率MOSFET器件的设计要求；设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单，实用性强，响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明，该电路驱动能力及保护功能效果良好。<br />
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用于UHF RFID阅读器的无电感巴伦LNA设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">设计了一款用于UHF RFID射频前端接收机的高线性度LNA。该低噪声放大器采用噪声消除技术，具有单端输入差分输出的功能，能够同时实现输出平衡，噪声消除
ADC需要考虑的交调失真因素
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交调失真(IMD)是用于衡量放大器、增益模块、混频器和其他射频元件线性度的一项常用指标。二阶和三阶交调截点(IP2和IP3)是这些规格参数的品质因素，以其为基础可以计算不同信号幅度下的失真积。虽然射频工程师们非常熟悉这些规格参数，但当将其用于ADC时往往会产生一些困惑。本教程首先在ADC的框架下对交调失真进行定义，然后指出将IP2和IP3的定义应用于A
AD8397轨到轨、高输出电流放大器
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AD8397内置两个电压反馈型运算放大器，能够以出色的线性度驱动高负载。共发射极、轨到轨输出级的输出电压能力优于典型射随输出级，驱动25 负载时摆幅可以达到任一供电轨的0.5 V范围以内。低失真、高输出电流和宽输出动态范围使AD8397特别适合要求高负载上大信号摆幅的应用。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/8
mos管门级驱动电阻计算
mos管门级驱动电阻计算
MOS管驱动基础和时间功耗计算
MOS关模型
<P>Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds：也是非线性的电容，它是体二极管的结电容，也是和电压相关的。这些电容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss决定的。由于Cgd同时在输入和输
High-Speed Digital System desi
前面讨论了很多内容，基本上涉及了有关PCB板的绝大部分相关的知识。第二章探讨了传输线的基本原理，第三章探讨了串扰，在第四章里我们阐述了许多在现代设计中必须关注的非理想互连的问题。对于信号从驱动端引脚到接收端引脚的电气路径的相关问题，我们已经做了一些探究，然而对于硅芯片，即处于封装内部的IC来说，其信号传输通常要通过过孔和连接器来进行，对这样的情况我们该如何处理？在本章中，我们将通过对封装、过孔和连
高频功率MOSFET驱动电路及并联特性研究
本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流<BR>特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性，然后根据<BR>功率MOSFET对驱动电路的要求，对驱动电路进行了参数计算并且选择应用了实<BR>用可靠的驱动电路。此外，对功率MOSFET在兆赫级并联山于不同的参数影响而<BR>引起的电流分配不均衡问题做了仿真研究及分析。
RF前置放大电路基础知识
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RF前置放大电路即读取光碟片射频信号的放大电路.其放大电路性能的好坏会直接影响到DVD-ROM产品性能的好坏.其主要功能如下:</p>
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(1)对镭射二极体供电进行控制.并产生参考</p>
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电压.</p>
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(2)对从光感检测器输出的微弱电流信号转成</p>
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电压信号进行放大处理.<br />
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