一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计
提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。 ...
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查看全部13377个资源 »数字预失真系统反馈通道增益平坦度的补偿
针对数字预失真系统对反馈链路平坦度的要求，提出一种在不断开模拟链路的前提下，采用单音测量WCDMA&LTE混模基站射频拉远单元反馈链路的增益平坦度，并采用最小二乘法，分别拟合射频、本振和中频的增益的方法。采用MATLAB工具产生滤波器系数，在基本不增加复杂度的基础上，通过DPD软件离线补偿中...
用于UHF RFID阅读器的无电感巴伦LNA设计
设计了一款用于UHF RFID射频前端接收机的高线性度LNA。该低噪声放大器采用噪声消除技术，具有单端输入差分输出的功能，能够同时实现输出平衡，噪声消除和非线性失真抵消，具有高的线性度。该电路采用TSMC 0.18 μm工艺设计，芯片面积只有0.02 mm2。电源电压为1.8 V，总电流为8 ...
基于第二代电流传输器的积分器设计
介绍了一种基于低压、宽带、轨对轨、自偏置CMOS第二代电流传输器（CCII）的电流模式积分器电路，能广泛应用于无线通讯、射频等高频模拟电路中。通过采用0.18 μm工艺参数，进行Hspice仿真，结果表明：电流传输器电压跟随的线性范围为-1.04～1.15 V，电流跟随的线性范围为-9.02～...
（全美经典）工程电磁场基础
关于工科电磁场理论的基础教材，是无线电通信技术、射频技术基础。。。。。。...
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