封装差异

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封装差异 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 21 篇文章,持续更新中。

模拟cmos集成电路设计

拉扎维经典著作,陈贵灿等翻译。介绍了mos工艺短沟道效应\   单级和差动放大频响反馈/震荡/封装工艺等

模拟cmos集成电路设计(design of analog

<P>模拟集成电路的设计与其说是一门技术,还不如说是一门艺术。它比数字集成电路设计需要更严格的分析和更丰富的直觉。严谨坚实的理论无疑是严格分析能力的基石,而设计者的实践经验无疑是诞生丰富直觉的源泉。这也正足初学者对学习模拟集成电路设计感到困惑并难以驾驭的根本原因。.<BR>美国加州大学洛杉机分校(UCLA)Razavi教授凭借着他在美国多所著名大学执教多年的丰富教学经验和在世界知名顶级公司(AT&

COOLMOS_原理结构

看到不少网友对COOLMOS感兴趣,把自己收集整理的资料、个人理解发出来,与大家共享。个人理解不一定完全正确,仅供参考。COOLMOS(super junction)原理,与普通VDMOS的差异如下:<br /> 对于常规VDMOS器件结构,大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI参杂浓度减小了,电阻必然变大,R

双通道通用精密运算放大器评估板

<div> EVAL-PRAOPAMP-2R/2RU/2RM评估板支持采用SOIC、TSSOP和MSOP封装的双运算放大器。它能以不同的应用电路和配置为用户提供多种选择和广泛的灵活性。该评估板不是为了用于高频器件或高速放大器。但是,它为用户提供了不同电路类型的多种组合,包括有源滤波器、仪表放大器、复合放大器,以及外部频率补偿电路。本应用笔记会给出几个应用电路的例子。<br /> <img al

黑魔书(逻辑门的高速特性)pdf下载

在数字设备的设计中,功耗、速度和封装是我们主要考虑的3个问题,每位设计者都希望<BR>功耗最低、速度最快并且封装最小最便宜,但是实际上,这是不可能的。我们经常是从各种型号<BR>规格的逻辑芯片中选择我们需要的,可是这些并不是适合各种场合的各种需要。<BR>当一种明显优于原来产品的新的技术产生的时候,用户还是会提出各方面设计的不同需<BR>求,因此所有的逻辑系列产品实际上都是功耗、速度与封装的一种折

铝电解电容器:详细介绍原理,应用,使用技巧

<P class=diarycontent style="MARGIN: 0cm 0cm 0pt; LAYOUT-GRID-MODE: char; LINE-HEIGHT: 12pt; mso-pagination: none"><FONT size=3>铝电解电容器:详细介绍原理,应用,使用技巧<p></p></FONT></P> <P class=MsoNormal style="MARGIN

High-Speed Digital System desi

前面讨论了很多内容,基本上涉及了有关PCB板的绝大部分相关的知识。第二章探讨了传输线的基本原理,第三章探讨了串扰,在第四章里我们阐述了许多在现代设计中必须关注的非理想互连的问题。对于信号从驱动端引脚到接收端引脚的电气路径的相关问题,我们已经做了一些探究,然而对于硅芯片,即处于封装内部的IC来说,其信号传输通常要通过过孔和连接器来进行,对这样的情况我们该如何处理?在本章中,我们将通过对封装、过孔和连

集成式工业接口数字隔离器减少尺寸与成本

随着竞争产品价格的降低和产品差异化需求的增加,在工业市场上生存也变得越来越艰难。同时,安全标准不见有丝毫放宽,这要求更多的工业应用采用电流隔离,给光耦合器带来不利影响。这些不利影响会导致以下这些因素的增加:尺寸、功耗、电路板、元件数和成本。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-1212111524313Y.jpg"

常用全系列场效应管_MOS管型号参数封装资料

MOS管的资料

精密运算放大器自动校零

运算放大器集成电路,与其它通用<BR>集成电路一样,向低电压供电方向发<BR>展,普遍使用3V供电,目的是减少功<BR>耗和延长电池寿命。这样一来,运算放<BR>大器集成电路需要有更高的元件精度和<BR>降低误差容限。运算放大器一般位于电<BR>路系统的前端,对于时间和温度稳定性<BR>的要求是可以理解的,同时要改进电路<BR>结构和修调技术。当前,运算放大器是<BR>在封装后用激光修调和斩波器稳

双极运算放大器的辐射效应和退火特性

<div>  本文介绍了O P207 双极运算放大器的60CoC射线、不同能量电子和质子的辐照试验以及60CoC和电子辐射损伤在室温和100℃高温条件下的退火效应, 揭示了双极运算放大器电参数对不同射线的辐照响应规律; 研究了不同辐射源对双极运算放大器的不同辐射损伤机理; 并对质子辐照损伤程度与能量的依赖关系以及质子辐照损伤同60CoC和电子辐照损伤的差异进了探讨. 结果表明, 界面态的产生是6

ADIS16334安装_机械设计指南和示例

<div> ADIS16334是一款薄型、完全校准的MEMS惯性测量单元(IMU)。图1为该封装的顶视图,其中包括四个安装孔,配备嵌入式安装架,有助于控制附加硬件的整体高度。安装孔为M2 &times; 0.4 mm或2至56个机械螺丝提供了足够的间隙。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-1212131A523

一种新的ISM频段低噪声放大器设计方法

为解决ISM频段低噪声放大器降低失配与减小噪声之间的矛盾,提出了一种改善放大器性能的设计方法.分析了单项参数的变化规律,提出了提高综合性能的方法,给出了放大器封装模型的电路结构.对射频放大器SP模型和封装模型进行仿真.仿真结果表明,输入和输出匹配网络对放大器的性能有影响,所提出的设计方法能有效分配性能指标,为改善ISM频段低噪声放大器的性能提出了一种新的途径

电感和磁珠的区别及应用场合和作用

<P style="WORD-BREAK: break-all; LINE-HEIGHT: 16.7pt"><FONT face=宋体>磁珠由氧磁体组成,电感由磁心和线圈组成,磁珠把交流信号转化为热能,电感把交流存储起来,缓慢的释放出去。<p></p></FONT></P> <P style="WORD-BREAK: break-all; LINE-HEIGHT: 16.7pt"><FONT fa

电子元器件的封装尺寸

元器件封装

CMOS模拟开关工作原理

<P class=MsoNormal style="BACKGROUND: white; MARGIN: 0cm 0cm 0pt; TEXT-ALIGN: left; mso-pagination: widow-orphan" align=left><FONT size=3>开关在电路中起接通信号或断开信号的作用。最常见的可控开关是继电器,当给驱动继电器的驱动电路加高电平或低电平时,继电器就吸合或

贴片元件封装尺寸图

贴片元件封装尺寸图

IC封装热计算研究

<p> Many thermal metrics exist for integrated circuit (IC) packages ranging from &theta;ja to &Psi;jt.Often, these thermal metrics are misapplied by customers who try to use them to estimate junction

MEMS器件气密封装工艺规范

MEMS是融合了硅微加工,LIGA和精密机械加工等多种加工技术,并应用现代信息技术构成的微型系统.

利用传统旋钮接口控制AD5111

<div> 数字电位计是机械电位计的最佳替代产品,因其具有小尺寸封装、更高可靠性、高精度和更小电压毛刺等优势。数字电位计可采用各种数字和手动接口。手动或按钮接口直接通过两个按钮开关进行控制, 例如AD5116或AD5228。按向上按钮可提高电阻,按向下按钮可降低电阻,如图1所示。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/82901