实用
共 30 篇文章
实用 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 30 篇文章，持续更新中。
图解实用电子技术丛书 OP放大器应用技巧100例
图解实用电子技术丛书 OP放大器应用技巧100例
功率MOSFET驱动保护电路方案
分析了对功率MOSFET器件的设计要求；设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单，实用性强，响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明，该电路驱动能力及保护功能效果良好。<br />
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电工安全操作实用技术手册
工控技术
晶体管代换手册下载
<P>为使本书成为国内目前<BR> 最新、最全、最适用的晶体管<BR> 代换手册，编者根据国内外<BR> 出版的最新资料，在1992年<BR> 最新增订版的基础上，又增<BR> 加了数千种日本晶体管和数<BR> 千种欧州晶体管型号及其代<BR> 换的国内外型号，并且，还介<BR> 绍了美国1985年以前生产<BR> 的3N型场效应管及其代换<BR> 型号。<BR> 本手册介绍
哈达玛变换光谱仪压缩系统研究
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; "> 基于数字微镜器件（Digital Micro-mirror Device，DMD）的哈达玛变换光谱技术是一种新型的光谱成像技术，在国内很少有专门的文献介绍[1-3]。文中先介绍了本实验采用的哈达玛光谱仪样机
增量式光电编码器信号处理电路方案
设计了一种集编码器信号接收、光电隔离、鉴相、频率电压转化和电压调整输出功能于一体的综合性电路，并对电路各组成部分作了较为详细的分析和阐述。实践证明，该电路通用性强、操作简单、性能可靠、实用性强。<br />
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西门子S7-300 PID用法
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PID(比例-积分-微分)控制器作为最早实用化的控制器已有70多年历史，现在仍然是应用最广泛的工业控制器。PID控制器简单易懂，使用中不需精确的系统模型等先决条件，因而成为应用最为广泛的控制器。</p>
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基于MC9S08SL8的电动汽车仪表盘信号转换器设计
<span id="LbZY">笔者以Freescale的S08系列8位微处理器MC9S08SL8为核心，为某电动汽车设计了一款仪表盘信号转换器，实现了电机转速检测、与电机控制器的LIN通信、原车仪表信号模拟等功能。利用芯片内部资源特性设计了其硬件结构及电路，根据仪表盘的原理和工作方式设计了软件流程，装车试验运行稳定，有很高的实用价值。<br />
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自适应预失真前馈功率放大系统分析
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在本课题中，兼顾了效率及线性度，采用自适应预失真前馈复合线性化系统来改善高功率放大器的线性度。由于加入自适应控制模块，射频电路不受温度、时漂、输入功率等的影响，可始终处于较佳工作状态，这使得整个放大系统更为实用，也更具有拓展价值。</p>
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模拟电路应用设计
非常实用的一本好书
过采样∑—△ADC的原理及实现
论述了过采样Σ一AADC的基本原理及结构，分析了Σ一△调制器的频域传输特性和系统的信噪比，给出了实现不同的A／D转换精度必须满足的条件和用单片机实现Σ一AADC的具体方法和电路．实际使用表明，该方法测量结果可靠，具有实用价值．<br />
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宽频带高功率射频脉冲功率放大器
利用MOS场效应管(MOSFET)，采取AB类推挽式功率放大方式，采用传输线变压器宽带匹配技术，设计出一种宽频带高功率射频脉冲功率放大器模块，其输出脉冲功率达1200W，工作频段0.6M~10MHz。调试及实用结果表明，该放大器工作稳定，性能可靠
ADI处理器实用丛书-高速设计技术
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本书内容包括三大部分：第1 部分从运算放大器的基本概念和理论出发，重点介绍了运算放大器的原理与设计，以及在各种电子系统中的应用，包括视频应用、RF/IF 子系统(乘法器、调制器和混频器)等;第2 部分主要介绍了高速采样和高速ADC 及其应用、高速DAC 及其应用、以及DDS 系统与接收机子系统等;第3 部分介绍了有关高速硬件设计技术，如仿真、建模、原型、布局、去藕与接地，以及EMI 与R
基于Protel的数字钟双面电路板设计
非常的简单实用，对双面<a href="http://www.hqpcb.com/">电路板打样</a>设计很有价值！
仪器实际操作基础知识（数字微波仪器）
实用性强
2012年电子技术课程设计题
实用的课程设计题目！！！
精确实用的电压频率转换电路
精确实用的电压频率转换电路
振荡电路的设计-实用电子路
振荡电路的设计-实用电子路
10.7 MHz中等带宽晶体滤波器的研制
文中使用了一种较为简单但非常实用的设计方法，采用四节八晶体差接桥型电路，设计和研制出了一种小型化低损耗中等带宽的石英晶体滤波器。该产品的中心频率为10.7 MHz，通带带宽属中等，阻带抑制要求较高，插入损耗较小，矩形系数小，晶体滤波器外形尺寸偏小。解决的关键技术问题是：晶体滤波器电路的设计，滤波器晶体谐振器的设计，滤波器的插损IL≦3 dB、3 dB带宽Bw3dB≥±19 kH
p-n结的隧道击穿模型研究
在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量<br />
研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。<br />
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