采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
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NIP
非晶硅
薄膜太阳能电池
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2013-11-21
上传用户:wanqunsheng
太阳能蓄电池与光照时间的关系
例如:有一块单晶硅电池的组件,最大的输出功率Pm(额定功率)为25W,峰值电压(额定电压)Ump为17.2V,峰值电流(额定电流)为1.45A,开路电压为21V,短路电流为Isc为1.5A,某地区有效光照时间为12小时,求太阳能电池一天的发电量和所需的蓄电池的容量。
已知:Pm=25w ,h=12h ,U=17.2V ,太阳能电池的发电效率为:u=0.7,蓄电池的补偿值为n=1.4
太阳能电池的发电量:M=Pm×h×u=25×12×0.7=210W
按上诉公式:C=Ph/U=25×12/17.2=17.44Ah
那么实际的蓄电池的有效容量要在C=17.44/1.40=12.46Ah以上
所以在实际中我们可以选择14Ah左右容量的蓄电池。
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太阳能
光照
蓄电池
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2013-11-08
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